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本文提出了一种改进作为半导体器件存储节点的铂膜刻蚀倾角的方法。采用该方法，在含有氧气的刻蚀气体刻蚀下，铂膜上含有钛的粘附层转变成ＴｉＯｘ，阻止了进一步刻蚀。在预定温度如１２０～３００℃下，ＴｉＯｘ可以防止腐蚀粘附层掩模。基于以上事实，过刻蚀...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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