外延生长装置及外延晶片的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够在不损坏预热环的前提下抑制预热环与下部衬垫之间的起尘的外延生长装置。本发明专利技术的外延生长装置具备：腔室；配置在腔室内壁的环状的上部衬垫及下部衬垫；设置在腔室内部且用于载置半导体晶片的基座；及载置在向下部衬垫（26）的开口部突出的支承部（26a）上，并且配置在基座的外周的预热环（60），预热环（60）构成为，在半导体晶片（W）被运入至腔室内部并载置在基座（4）上为止的输送路径中半导体晶片（W）所通过的区域的正上方的至少一部分区域，不被支承部（26a）支承。不被支承部（26a）支承。不被支承部（26a）支承。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延生长装置及外延晶片的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种外延生长装置及外延晶片的制造方法。

技术介绍

[0002]在代表性的半导体晶片即硅晶片上形成有硅外延层的外延硅晶片用作如下基板，即，用来制作MOSFET（Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor：金属氧化层半导体场效应晶体管）、DRAM（Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器）等各式各样的半导体器件的基板。
[0003]图1中示出使外延层气相生长在半导体晶片的表面上的单片式外延生长装置的一例。该图中所示的外延层生长装置100具有工艺腔室10，所述工艺腔室10具有上部拱顶11、下部拱顶12及拱顶安装体13。上部拱顶11及下部拱顶12是由透明的石英构成，通过夹具14安装在拱顶安装体13。
[0004]在上述工艺腔室10的内壁配置有用于保护拱顶安装体13的环状的上部衬垫15及下部衬垫16，这些衬垫分别由石英构成。然后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种外延生长装置，使外延层气相生长在半导体晶片的表面上，其特征在于具备：腔室；配置在所述腔室内壁的环状的上部衬垫及下部衬垫；设置在所述腔室内部且用于载置所述半导体晶片的基座；及载置在向所述下部衬垫的开口部突出的支承部上，并且配置在所述基座的外周的预热环，所述半导体晶片在所述基座下降的状态下，从设置在所述腔室的晶片运入口运入至所述腔室内部，并经由所述下部衬垫的支承部及所述预热环的下方，最后载置在所述基座上，所述预热环构成为，在所述半导体晶片被运入至所述腔室内部并载置在所述基座上为止的输送路径中所述半导体晶片所通过的区域的正上方的至少一部分区域，不被所述支承部支承。2.根据权利要求1所述的外延生长装置，其中，在所述至少一部分区域，没有设置所述支承部。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡盛珀，楢原和宏，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：