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外延生长装置及外延晶片的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:32207675
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本发明提供一种能够在不损坏预热环的前提下抑制预热环与下部衬垫之间的起尘的外延生长装置。本发明的外延生长装置具备:腔室;配置在腔室内壁的环状的上部衬垫及下部衬垫;设置在腔室内部且用于载置半导体晶片的基座;及载置在向下部衬垫(26)的开口部突出...
该专利属于胜高股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过胜高股份有限公司授权不得商用。
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