预热环及外延生长设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种预热环，用于外延生长设备，包括环形主体，所述环形主体包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面与外延生长设备中用于承载硅片的基座的承载面位于同一侧，所述第二面上沿其周向均匀的设置有凹凸结构。本实用新型专利技术还涉及一种外延生长设备。通过凹凸结构的设置，增加了预热环与环境的接触面积，提高升温或降温的速度。提高升温或降温的速度。提高升温或降温的速度。

【技术实现步骤摘要】
预热环及外延生长设备


[0001]本技术涉及硅产品制作
，尤其涉及一种预热环及外延生长设备。

技术介绍

[0002]外延是在抛光片的单晶衬底上，按照衬底的晶向沉积一层排列有序的单晶硅薄层的技术，新生长的单晶层就是外延层，带有外延层的衬底称为外延片。 300mm(12inch)是目前硅硅片尺寸可达到的最大尺寸。随着芯片产业产品率及利润率的要求不断提高，高品质的外延片应用范围越来越广。对于外延片来说，其外延薄膜的质量要求很高，关键指标就在于外延层厚度及电阻率的均匀性控制。
[0003]外延反应的成膜质量直接影响到半导体器件的性能。精确控制外延制程中的工艺条件是提高外延片质量的重要研究方向。其中碳化硅涂层的石墨加工环，又称预热环，位于下层衬垫上预热环的边缘。预热环将热控区的范围扩展到硅片之外，并在硅片制作过程中使导入的气体先在预热环进行升温。这样可以提高沉积物的均匀性。
[0004]预热环正面从中心部到外部是平整的，背面为中心部平整，边缘呈L状。该预热环主要特征为受热面与基座受热面几乎没有太大差异。但作为预加热用途的预热环没有达本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种预热环，用于外延生长设备，其特征在于，包括环形主体，所述环形主体包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面与外延生长设备中用于承载硅片的基座的承载面位于同一侧，所述第二面上沿其周向均匀的设置有凹凸结构；所述第二面上的部分区域向远离所述第一面的方向凸设形成凸出结构，以使得所述第二面形成所述凹凸结构。2.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述凸出结构为条形结构，所述条形结构的延伸方向经过所述环形主体的中心点，所述凸出结构沿所述环形主体的周向间隔设置。3.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述凸出结构在垂直于其延伸方向上的截...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔贤斌，金柱炫，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：