水平表面间隔层的形成方法及由此形成的器件技术

本发明专利技术提供了一种在水平表面上形成自对准间隔层，同时从垂直表面上除去间隔层材料的方法，优选方法使用一种注入后对显影液不溶解的抗蚀剂。通过在具有垂直和水平表面的衬底上保形地淀积抗蚀剂，注入抗蚀剂，并显影抗蚀剂，从垂直表面上除去抗蚀剂，同时抗蚀剂留在水平表面上。由此，自对准间隔层形成在水平表面上，同时从垂直表面上除去间隔层材料。然后在进一步的制造中使用所述水平表面间隔层。优选的方法可以用在许多需要分别地处理衬底２０的垂直和水平表面的不同工艺中。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请一般涉及半导体的制造领域，特别涉及在水平表面上形成间隔层的方法。在半导体器件的制造中使成本和性能具有竞争力的需要使集成电路中的器件密度不断增加。为了增加器件的密度，不断地需要新技术以减小这些半导体器件的特征尺寸。半导体制造中的一个基本技术是使用侧壁间隔层。如已转让给国际商用机器公司的Pogge的U.S.专利No.4,256,514“在本体上形成窄尺寸区域的方法”中所公开的，通常在结构上保形地淀积间隔层材料之后通过定向腐蚀形成侧壁间隔层。定向的腐蚀从水平表面上除去了所有的间隔层材料，但在结构的垂直表面上留下了“间隔层”。要形成侧壁间隔层，材料保形地淀积在结构上，覆盖水平和垂直表面。然后进行定向腐蚀。所述定向腐蚀从水平表面上除去材料，同时在侧壁上留下材料形成侧壁间隔层。这些间隔层固有地与侧壁自对准。这些侧壁间隔层由于各种原因广泛地用在各种应用中。例如，在场效应晶体管(FET)的形成中侧壁间隔层就特别有用。在所述应用中，侧壁间隔层形成在晶体管栅的侧壁上，它们可以保护栅，并提高了栅边缘的掺杂剂控制。不幸的是，侧壁间隔层有几个局限。最显著的局限是正如它们的名字所意味的，侧壁间隔层仅形成在结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在具有水平表面和垂直表面的半导体衬底上形成水平表面间隔层的方法，包括以下步骤：ａ）在垂直和水平表面上保形地形成对注入敏感的抗蚀剂层；ｂ）基本上垂直于所述水平表面注入到所述注入敏感的抗蚀剂层内，使水平表面上的对注入敏感的抗蚀剂层基本上注入，垂直表面上的对注入敏感的抗蚀剂层基本上未注入；以及ｃ）显影对注入敏感的抗蚀剂层，使基本上未注入的抗蚀剂从垂直表面上除去，基本上注入的抗蚀剂留在水平表面上。

【技术特征摘要】
US 1998-10-29 09/1821731.一种在具有水平表面和垂直表面的半导体衬底上形成水平表面间隔层的方法，包括以下步骤a)在垂直和水平表面上保形地形成对注入敏感的抗蚀剂层；b)基本上垂直于所述水平表面注入到所述注入敏感的抗蚀剂层内，使水平表面上的对注入敏感的抗蚀剂层基本上注入，垂直表面上的对注入敏感的抗蚀剂层基本上未注入；以及c)显影对注入敏感的抗蚀剂层，使基本上未注入的抗蚀剂从垂直表面上除去，基本上注入的抗蚀剂留在水平表面上。2.根据权利要求1的方法，其中保形地形成对注入敏感的抗蚀剂的步骤包括化学汽相淀积对注入敏感的抗蚀剂。3.根据权利要求1的方法，其中对注入敏感的抗蚀剂包括聚硅烷。4.根据权利要求1的方法，其中保形地形成对注入敏感的抗蚀剂的步骤包括化学汽相淀积由甲硅烷形成的等离子体的聚硅烷抗蚀剂。5.根据权利要求1的方法，其中注入到所述对注入敏感的抗蚀剂的步骤包括注入氧。6.根据权利要求1的方法，其中注入到所述对注入敏感的抗蚀剂的步骤包括注入氮。7.根据权利要求1的方法，其中注入到所述对注入敏感的抗蚀剂的步骤包括将注入的物质穿过电场加速，以驱动注入到注入敏感的抗蚀剂层内。8.根据权利要求1的方法，其中显影对注入敏感的抗蚀剂层的步骤包括用氯等离子体显影。9.根据权利要求1的方法，还包括在注入所述对注入敏感的抗蚀剂之前，用掺杂剂物质掺杂所述对注入敏感的抗...

【专利技术属性】
技术研发人员：古川俊治，MC哈利，SJ霍尔梅斯，DV霍拉克，PA拉比多西，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[]