一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法技术

本发明专利技术提供一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，该方法包括：上料机构上的顶针装置和吸取装置向上运行，使分割后的晶圆与划片膜脱离；采集设备采集晶圆与划片膜的脱离过程的图像数据，并将图像数据传输到处理设备；处理设备接收图像数据，并根据图像数据计算划片膜从晶圆上脱离的脱离速度；根据脱离速度，确定划片膜的相对粘度。本发明专利技术能够对分割后的晶圆划片膜的相对粘度进行检测。对分割后的晶圆划片膜的相对粘度进行检测。对分割后的晶圆划片膜的相对粘度进行检测。

【技术实现步骤摘要】
一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造领域，越来越多超薄的大面积芯片逐渐被应用，但是厚度薄面积大的芯片在分选、装配过程将芯片从划片膜上吸取时极易发生碎裂。影响芯片吸取成功与否的重要因素是划片膜的粘度，但划片膜粘度会在晶圆分割后发生变化，现有技术中，通常采用测试剥离力的方法来测试分割前的划片膜粘度，而并没有针对晶圆分割后划片膜粘度的检测方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，用来检测晶圆划片分割后划片膜的相对粘度。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，分割后的晶圆表面贴附划片膜，所述晶圆装载到上料机构上，所述上料机构上设置顶针装置、吸取装置和固定装置，且所述顶针装置和吸取装置垂直地平面且相对设置，所述晶圆设置在所述顶针装置和所述吸取装置之间，且所述晶圆接触所述吸取装置，以及所述划片膜固定到所述固定装置上并接触所述顶针装置；在所述上料机构的一侧设置采集设备；所述微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法包括：
[0005]所述上料机构上的所述顶针装置和所述吸取装置向上运行，使所述晶圆与所述划片膜脱离；
[0006]所述采集设备，采集所述晶圆与所述划片膜的脱离过程的图像数据，并将所述图像数据传输到处理设备；
[0007]所述处理设备接收所述图像数据，并根据所述图像数据计算所述划片膜从所述晶圆上脱离的脱离速度；根据脱离速度，确定所述划片膜的相对粘度。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述顶针装置和所述吸取装置同步向上运行。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述顶针装置和所述吸取装置采用相同的速度向上运行。
[0010]在一种可能的实现方式中，所述采集设备采集所述图像数据的帧率大于50fps。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述顶针装置上设置至少一个顶针，每个顶针接触所述划片膜；所述晶圆向上运动的高度为最外侧的顶针装置以外的划片膜与晶圆脱离。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述图像数据包括图像采集时间和图像；所述根据所述图像数据计算所述划片膜从所述晶圆上脱离的脱离速度，包括：根据所述图像的像素计算所述最外侧的顶针装置以外的划片膜与晶圆脱离的距离；根据所述图像采集时间和所述距离，计算所述划片膜从所述晶圆上脱离的脱离速度。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述根据所述脱离速度，确定所述划片膜的相对粘度，包括：
[0014]根据计算所述划片膜从所述晶圆上脱离的脱离速度的方式，确定已知合适粘度划片膜从预设晶圆上脱离的预设脱离速度；根据所述脱离速度和所述预设脱离速度，确定所述划片膜的相对粘度。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述采集设备设置在所述上料机构一侧且与晶圆平行位置以上的位置。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述处理设备接收所述图像数据，并根据所述图像数据确定所述晶圆向上运动的高度，根据所述晶圆向上运动的高度，确定所述划片膜的相对粘度。
[0017]第二方面，本专利技术实施例提供了一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测装置，包括：
[0018]上料机构，用于控制包括的顶针装置和吸取装置向上运行，使所述晶圆与贴附在所述晶圆上的划片膜脱离；
[0019]采集设备，用于采集所述晶圆与所述划片膜的脱离过程的图像数据，并将所述图像数据传输到处理设备；
[0020]所述处理设备，用于接收所述图像数据，并根据所述图像数据计算所述划片膜从所述晶圆上脱离的脱离速度；以及根据所述脱离速度，确定所述划片膜的相对粘度。
[0021]本专利技术实施例提供一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，通过将划片膜固定到固定装置上，然后上料机构上的顶针装置和吸取装置托着晶圆向上运行，使分割后的晶圆与划片膜脱离；采集设备采集晶圆与划片膜脱离过程的图像数据，并将图像数据传输到处理设备；处理设备通过图像数据计算划片膜从晶圆上脱离的脱离速度；根据脱离速度确定划片膜相对粘度，可以对分割后的晶圆划片膜的相对粘度进行检测。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本专利技术实施例提供的微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法的流程示意图；
[0024]图2是本专利技术实施例提供的测量微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度采用的设备示意图；
[0025]图3(1)是本专利技术实施例提供的晶圆与划片膜的粘合状态示意图；
[0026]图3(2)是本专利技术实施例提供的晶圆与划片膜的脱离状态示意图；
[0027]图4是本专利技术实施例提供的微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测装置的示意图。
具体实施方式
[0028]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本专利技术实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本专利技术。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本专利技术的描述。
[0029]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图通过具体实施例来进行说明。
[0030]图1为本专利技术实施例提供的微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法的流程示意图。其中，执行微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测时，采用的设备如图2所示。分割后的晶圆201的表面贴附划片膜202，晶圆201装载到上料机构203上，上料机构203上设置顶针装置204、吸取装置205和固定装置206，且顶针装置204和吸取装置205垂直地平面且相对设置，这样可以使晶圆201设置在顶针装置204和吸取装置205之间，且在晶圆201随顶针装置204和吸取装置205运行时，不容易掉落。晶圆201设置在顶针装置204和吸取装置205之间，且晶圆201接触吸取装置205，以及划片膜202固定到固定装置206上并接触顶针装置204，以固定晶圆201，防止晶圆201掉落，且可以保证晶圆201随顶针装置204和吸取装置205运行时，保持平稳状态，在上料机构203的一侧设置采集设备207。
[0031]可选的，采集设备207可以是相机、摄像机、高速相机等图像采集设备，并放置在在上料机构一侧且与晶圆平行位置以上的位置，以保证采集设备能够采集从晶圆顶起至划片膜脱离过程的图像数据。
[0032]可选的，固定装置20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，其特征在于，分割后的晶圆表面贴附划片膜，所述晶圆装载到上料机构上，所述上料机构上设置顶针装置、吸取装置和固定装置，且所述顶针装置和吸取装置垂直地平面且相对设置，所述晶圆设置在所述顶针装置和所述吸取装置之间，且所述晶圆接触所述吸取装置，以及所述划片膜固定到所述固定装置上并接触所述顶针装置；在所述上料机构的一侧设置采集设备；所述微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法包括：所述上料机构上的所述顶针装置和所述吸取装置向上运行，使所述晶圆与所述划片膜脱离；所述采集设备，采集所述晶圆与所述划片膜的脱离过程的图像数据，并将所述图像数据传输到处理设备；所述处理设备接收所述图像数据，并根据所述图像数据计算所述划片膜从所述晶圆上脱离的脱离速度；根据所述脱离速度，确定所述划片膜的相对粘度。2.根据权利要求1所述的一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，其特征在于，所述顶针装置和所述吸取装置同步向上运行。3.根据权利要求1或2所述的一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，其特征在于，所述顶针装置和所述吸取装置采用相同的速度向上运行。4.根据权利要求1所述的一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，其特征在于，所述采集设备采集所述图像数据的帧率大于50fps。5.根据权利要求1或2所述的一种微波、射频芯片专用晶圆划片膜相对粘度的检测方法，其特征在于，所述顶针装置上设置至少一个顶针，每个顶针接触所述划片膜；所述晶圆向上运动的高度为最外侧的顶针装置以外的划片膜与晶圆脱离。6.根据权利要求5所述的一种微波、射频芯片专用晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫志峰，高群星，郝永利，任超杰，王静辉，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：