一种晶钻大理石瓷质砖及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种晶钻大理石瓷质砖及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：在坯体表面施高温哑光面釉；在施高温哑光面釉后的坯体表面喷墨打印设计图案；在喷墨打印设计图案后的坯体表面喷固定剂并定位布晶钻干粒；在布晶钻干粒后的坯体表面施高透明抛釉；将施高透明抛釉后的坯体烧成并抛光，得到所述晶钻大理石瓷质砖。所述晶钻大理石瓷质砖具有无毛孔的玻化表面，釉面光泽度高，具有晶钻立体效果。具有晶钻立体效果。具有晶钻立体效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶钻大理石瓷质砖及其制备方法


[0001]本专利技术涉及建筑陶瓷领域，特别涉及一种晶钻大理石瓷质砖及其制备方法。

技术介绍

[0002]天然石材在花色、质感和呈现形式上的天然特性使其在现代装修中具有较大优势。但是随着开采活动的不断进行，天然矿产资源日趋匮乏，各式人造石材随之在装修应用中崭露头角。人们生活水平的不断提高促使消费者对人造石材的表面外观和内在质感提出进一步要求，例如希望人造石材表面具备类似天然石材的闪亮晶体效果，以使陶瓷制品闪烁出点点星光。因此，如此生产如同晶砂类天然石材的闪光晶粒产品成为装饰建材业追求的方向之一。
[0003]中国专利CN110078501A公开的全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法将闪光颗粒与大理石抛釉混合成釉料并通过淋釉或者喷釉施加在生坯表面，釉料的随机分布使闪光颗粒有部分颗粒外露在瓷质砖表面。但是由于闪光颗粒的高始熔温度和高硬度，在烧制过程中难以熔融淌平，亦无法被抛磨而呈现如同相邻区域处透明釉的纯镜面抛平和透明效果，进而抛光后制品表面上看上去具有众多的斑点、麻点等粒子装饰，视觉呈现为犹如被封堵的微细毛孔的瑕疵、斑点，从而影响了整体的表面效果。中国专利CN112811939A公开的具有闪光晶粒效果的瓷质板材的制造方法采用平铺装置或雕花辊式分区装置布施含有闪光晶粒和透明干粒的混合干粒形成闪光晶粒层，再在闪光晶粒层上设置透明釉层，以得到具有闪光晶粒效果的瓷质板材。所述方法的闪光晶粒用量大，成本高，表面效果单一。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本专利技术提供一种晶钻大理石瓷质砖及其制备方法。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种晶钻大理石瓷质砖的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：在坯体表面施高温哑光面釉；在施高温哑光面釉后的坯体表面喷墨打印设计图案；在喷墨打印设计图案后的坯体表面喷固定剂并定位布晶钻干粒；在布晶钻干粒后的坯体表面施高透明抛釉；将施高透明抛釉后的坯体烧成并抛光，得到所述晶钻大理石瓷质砖。
[0006]较佳地，所述晶钻干粒的化学成分包括：以质量百分比计，烧失：1.1～3.6％、SiO2：15.2～25.6％、ZrO2：65.3～75.6％、HfO2：0.5～5.5％、MgO：3.8～8.2％。
[0007]较佳地，所述晶钻干粒的粒径为180～380微米。
[0008]较佳地，所述晶钻干粒的施加量为100～300g/m2。
[0009]较佳地，所述高透明抛釉的化学成分包括：以质量百分比计，SiO2：50.3～60.5％、Al2O3：10.4～16.3％、碱土金属氧化物：10.1～21.0％、碱金属氧化物：3.4～8.5％、ZnO：3.7～7.6％、B2O3：3.2～6.6％。
[0010]较佳地，所述高透明抛釉的施加方式为淋釉，比重为1.82～1.86g/cm3，施加量为550～750g/m2。
[0011]较佳地，所述高温哑光面釉的化学成分包括：以质量百分比计，SiO2：54.6～62.8％、Al2O3：18.3～24.5％、碱土金属氧化物：2.4～7.9％、碱金属氧化物：3.4～9.2％、ZrO2：4.8～10.7％。
[0012]较佳地，所述高温哑光面釉的施加方式为喷釉，比重为1.42～1.46g/cm3，施加量为600～800g/m2。
[0013]较佳地，所述高透明抛釉的始融温度为1020～1060℃。
[0014]第二方面，本专利技术提供上述任一项所述的制备方法获得的晶钻大理石瓷质砖。
附图说明
[0015]图1本专利技术晶钻大理石瓷质砖的砖面效果图；图2是网版印花布施晶钻干粒的砖面效果图；图3是晶钻干粒凸出于抛釉层的的砖面效果图。
具体实施方式
[0016]通过下述实施方式进一步说明本专利技术，应理解，下述实施方式仅用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。在没有特殊说明的情况下，各百分含量指质量百分含量。
[0017]以下示例性说明本专利技术所述晶钻大理石瓷质砖的制备方法。
[0018]将坯体粉料压制成型获得坯体。坯体粉料的化学成分不受限制，采用本领域常用的坯体配方即可。所述坯体优选为通体坯。例如，将坯体粉料定点定位布料并压制成型，得到底面纹理完全一致的通体坯。
[0019]在坯体表面施高温哑光面釉。所述高温哑光面釉的化学成分包括：以质量百分比计，SiO2：54.6～62.8％、Al2O3：18.3～24.5％、碱土金属氧化物：2.4～7.9％、碱金属氧化物：3.4～9.2％、ZrO2：4.8～10.7％。相对于普通的锆白面釉，上述化学组成的高温哑光面釉利于墨水着色，与晶钻干粒的闪光效果形成反差，使晶钻干粒在抛釉层呈现出晶莹剔透的晶钻装饰效果。
[0020]作为示例，所述高温哑光面釉的化学成分包括：以质量百分比计，烧失：0.5～4.5％、SiO2：54.6～62.8％、Al2O3：18.3～24.5％、CaO：0.5～1.3％、MgO：0.5～0.8％、BaO：1.4～5.8％、Na2O：0.1～3.6％、K2O：3.3～5.6％、ZrO2：4.8～10.7％。
[0021]所述高温哑光面釉的施加方式可为喷釉。一些实施方式中，高温哑光面釉的比重为1.42～1.46g/cm3，施加量为600～800g/m2。本专利技术高温哑光面釉的施加量较高，能够减少通体坯对喷墨图案颜色的影响。一些实施方式中，所述高温哑光面釉形成的面釉层厚度为0.2～0.4mm。
[0022]在施高温哑光面釉后的坯体表面喷墨打印设计图案。可以还原珍稀大理石的质感肌理，层次更加细腻。
[0023]在喷墨打印设计图案后的坯体表面喷固定剂并定位布晶钻干粒。可以采用干粒机喷固定剂并布晶钻干粒使得晶钻干粒装饰于喷墨图案层之上。可以根据喷墨图案适应性调整晶钻干粒的施加位置从而变幻晶钻干粒的纹理效果。
[0024]所述晶钻干粒的化学成分包括：以质量百分比计，烧失：1.1～3.6％、SiO2：15.2～25.6％、ZrO2：65.3～75.6％、HfO2：0.5～5.5％、MgO：3.8～8.2％。本专利技术把钻石光泽成分直接制备成干粒，降低氧化硅含量，提高氧化锆的含量，利于减小晶钻干粒对抛釉成分的影响，使生产过程更稳定。
[0025]所述晶钻干粒的原料组成包括：以质量百分比计，氧化锆65～75％、石英10～20％、氧化铪0.5～6％、烧滑石10～15％。晶钻干粒主要采用氧化锆、石英、氧化铪，还添加适量烧滑石作为稳定剂，稳定剂促进氧化锆在干粒的制备过程中经过高温作用由单斜晶体转化成稳定的立方氧化锆晶体，表面有晶钻光泽，在烧成过程中却不发生晶型转变，也不与透明抛釉熔合，如此在抛釉层中呈现晶钻立体效果。如将钻石光泽成分和其他干粒(普通干粒)混合使用，会将钻石光泽成分带入并熔入抛釉层中，会改变抛釉的成分比例，影响钻石光泽效果。本专利技术把钻石光泽成分直接制备成干粒，可以减小晶钻干粒成分对抛釉成分的影响。
[0026]制备晶钻干粒时，按上述配比称取各原料，放入熔炉在1400～1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶钻大理石瓷质砖的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在坯体表面施高温哑光面釉；在施高温哑光面釉后的坯体表面喷墨打印设计图案；在喷墨打印设计图案后的坯体表面喷固定剂并定位布晶钻干粒；在布晶钻干粒后的坯体表面施高透明抛釉；将施高透明抛釉后的坯体烧成并抛光，得到所述晶钻大理石瓷质砖。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶钻干粒的化学成分包括：以质量百分比计，烧失：1.1～3.6％、SiO2：15.2～25.6％、ZrO2：65.3～75.6％、HfO2：0.5～5.5％、MgO：3.8～8.2％。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述晶钻干粒的粒径为180～380微米。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述晶钻干粒的施加量为100～300 g/m2。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述高透明抛釉的化学成分包括：以质量百分比计，SiO2：50.3～60.5％、Al2O3：10.4～16.3％、碱土...

【专利技术属性】
技术研发人员：张松竹，李万平，尹伟，袁广平，陈琴云，
申请(专利权)人：广东清远蒙娜丽莎建陶有限公司，
类型：发明
国别省市：