切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种切割晶粒接合一体型膜，其包括：切割带，具有基材以及设置于基材上的压敏胶黏剂层；以及晶粒接合膜，具有第一表面以及与第一表面为相反侧的第二表面，且以压敏胶黏剂层与第一表面接触的方式配置于切割带的压敏胶黏剂层上。晶粒接合膜以晶粒接合膜的总量为基准含有75质量％以上的导电性粒子。晶粒接合膜上的第一表面的表面粗糙度为1.0μm以下，且第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。且第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。且第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜以及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种切割晶粒接合(dicing/die
‑
bonding)一体型膜、晶粒接合膜以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，半导体装置是经由以下工序而制造的。首先，将半导体晶圆贴附于切割用压敏胶片(pressure
‑
sensitive adhesive sheet)上，在这种状态下将半导体晶圆单片化为半导体晶片(切割工序)。之后，实施拾取工序、压接工序及晶粒接合工序等。在专利文献1中公开一种兼具下述功能的黏性黏合剂片(tac ky adhesive sheet)(切割晶粒接合一体型膜)：在切割工序中固定半导体晶圆的功能以及在晶粒接合工序中使半导体晶片与基板黏合的功能。在切割工序中，通过将半导体晶圆及黏合剂(adhesive)层单片化，可得到带有黏合剂片的晶片。
[0003]近年来，普及一种被称为功率半导体装置的设备，所述功率半导体装置进行电力的控制等。功率半导体装置由于提供的电流而容易产生热，因此要求优异的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切割晶粒接合一体型膜，其包括：切割带，具有基材以及设置于所述基材上的压敏胶黏剂层；以及晶粒接合膜，具有第一表面以及与所述第一表面为相反侧的第二表面，且以所述第一表面与所述压敏胶黏剂层接触的方式配置于所述切割带的所述压敏胶黏剂层上，所述晶粒接合膜以晶粒接合膜的总量为基准含有75质量％以上的导电性粒子，所述晶粒接合膜中，所述第一表面的表面粗糙度为1.0μm以下，且所述第二表面的表面粗糙度为1.0μm以下。2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述第一表面的表面粗糙度大于所述第二表面的表面粗糙度。3.根据权利要求1或2所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述第一表面的表面粗糙度为0.25μm以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述晶粒接合膜的导热率为1.6W/m
·
K以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述导电性粒子为球状。6.根据权利要求5所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述导电性粒子的平均粒径为3.0μm以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述导电性粒子为导热率(20℃)为250W/m
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K以上的导电性粒子。8.根据权利要求1至7中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述晶粒接合膜还含有热固性树脂、固化剂及弹性体。9.根据权利要求8所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述热固性树脂包含在25℃下为液状的环氧树脂，所述在25℃下为液状的环氧树脂的含量以晶粒接合膜的总量为基准为2质量％以上。10.一种半导体装置的制造方法，其包括：将权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：小关裕太，中村祐树，山中大辅，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：