具有共享导电字线的紧凑存储器单元及其制造方法技术

本发明专利技术涉及具有共享导电字线的紧凑存储器单元及其制造方法。本文公开的示例性器件包括：第一存储器单元，其包括位于半导体衬底的上表面上方的第一存储器栅极；以及第二存储器单元，其包括位于半导体衬底的上表面上方的第二存储器栅极。在该示例中，该器件还包括导电字线结构，其位于半导体衬底的上表面上方且在第一存储器栅极和第二存储器栅极之间，其中该导电字线结构由第一存储器单元和第二存储器单元共享。单元共享。单元共享。

【技术实现步骤摘要】
具有共享导电字线的紧凑存储器单元及其制造方法


[0001]本公开一般地涉及集成电路的制造，更具体地涉及具有共享导电字线的新颖紧凑存储器单元的各种实施例以及制造这种存储器单元的各种新颖方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器单元广泛用于许多现代集成电路器件和许多消费产品中。通常，存储器单元是存储电学信息的装置。存在多种不同形式的存储器单元，例如浮栅型存储器单元、电荷俘获型存储器单元等。电荷俘获型存储器单元的一种典型配置包括位于半导体衬底上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的电荷存储层、位于电荷存储层上的阻挡绝缘层以及位于阻挡绝缘层上方的栅电极。即使是最基本的电子消费产品，通常也包含数百万个这样的存储器单元。
[0003]存储器单元的各种结构可由多种不同的材料制成。在较常见的一种材料组合中，栅极绝缘层和阻挡绝缘层由二氧化硅制成，电荷存储层由氮化硅(或富硅氮化物)制成。由于在存储器单元中采用的材料(氧化物
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氮化物
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氧化物)，这种存储器单元有时被称为“ONO”型存储器单元。栅电极可由多种不同的导电材料组成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件，包括：具有上表面的半导体衬底；第一存储器单元，其包括位于所述半导体衬底的所述上表面上方的第一存储器栅极；第二存储器单元，其包括位于所述半导体衬底的所述上表面上方的第二存储器栅极；以及导电字线结构，其位于所述半导体衬底的所述上表面上方且在所述第一存储器栅极和所述第二存储器栅极之间，其中所述导电字线结构由所述第一存储器单元和所述第二存储器单元共享。2.根据权利要求1所述的器件，还包括：第一侧壁间隔物，其邻近所述第一存储器栅极定位；以及第二侧壁间隔物，其邻近所述第二存储器栅极定位，其中所述导电字线结构物理地接触所述第一侧壁间隔物和所述第二侧壁间隔物二者。3.根据权利要求1所述的器件，还包括：用于所述第一存储器单元的第一导电选择栅极结构，所述第一导电选择栅极结构位于所述半导体衬底的所述上表面上方且邻近所述第一存储器栅极；以及用于所述第二存储器单元的第二导电选择栅极结构，所述第二导电选择栅极结构位于所述半导体衬底的所述上表面上方且邻近所述第二存储器栅极。4.根据权利要求2所述的器件，还包括：用于所述第一存储器单元的第一导电选择栅极结构，所述第一导电选择栅极结构位于所述半导体衬底的所述上表面上方且邻近所述第一存储器栅极，其中所述第一导电选择栅极结构物理地接触所述第一侧壁间隔物；以及用于所述第二存储器单元的第二导电选择栅极结构，所述第二导电选择栅极结构位于所述半导体衬底的所述上表面上方且邻近所述第二存储器栅极，其中所述第二导电选择栅极结构物理地接触所述第二侧壁间隔物。5.根据权利要求1所述的器件，还包括：位于所述半导体衬底中的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区用作所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的源极线；以及位于所述半导体衬底中的第二掺杂区，其中所述第二掺杂区用作所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的位线。6.根据权利要求1所述的器件，还包括：绝缘材料层，其位于所述导电字线结构的底表面和所述半导体衬底的所述上表面之间；第一栅帽盖，其位于所述第一存储器栅极上方，所述第一栅帽盖具有上表面；以及第二栅帽盖，其位于所述第二存储器栅极上方，所述第二栅帽盖具有上表面，其中所述导电字线结构的上表面位于所述第一栅帽盖和所述第二栅帽盖的所述上表面下方或与其基本共面。7.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一存储器栅极和所述第二存储器栅极中的每一者包括：栅极绝缘层，其位于所述半导体衬底上方；
电荷存储层，其位于所述栅极绝缘层上方；阻挡绝缘层，其位于所述电荷存储层上方；以及导电栅电极，其位于所述阻挡绝缘层上方。8.根据权利要求1所述的器件，还包括：第一侧壁间隔物，其邻近所述第一存储器栅极定位，其中所述第一侧壁间隔物物理地接触所述第一存储器栅极；以及第二侧壁间隔物，其邻近所述第二存储器栅极定位，其中所述第二侧壁间隔物物理地接触所述第二存储器栅极。9.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电字线结构物理地接触所述第一存储器栅极且物理地接触所述第二存储器栅极。10.根据权利要求9所述的器件，还包括：用于所述第一存储器单元的第一导电选择栅极结构，所述第一导电选择栅极结构位于所述半导体衬底的所述上表面上方且邻近所述第一存储器栅极，其中所述第一导电选择栅极结构物理地接触所述第一存储器栅极；以及用于所述第二存储器单元的第二导电选择栅极结构，所述第二导电选择栅极结构位于所述半导体衬底的所述上表面上方且邻近所述第二存储器栅极，其中所述第二导电选择栅极结构物理地接触所述第二存储器栅极。11.一种器件，包括：具有上表面的半导体衬底；第一存储器单元，其包括位于所述半导体衬底的所述上表面上方的第一存储器栅极；第一侧壁间隔物，其邻近所述第一存储器栅极定位；第二存储器单元，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙永顺，卓荣发，陈学深，郭克文，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：