场效应管、其制备方法及电子电路技术

本申请提供了一种场效应管、其制备方法及电子电路，在制备时，在衬底上依次形成沟道层、控制栅极层、金属栅极层、硬质掩膜层和光刻胶层后，形成第一光刻胶掩模图案，对硬质掩膜层进行干法刻蚀，形成第一硬质掩膜图案，对第一光刻胶掩膜图案进行尺寸收缩处理，形成第二光刻胶掩模图案，第二光刻胶掩模图案暴露出第一硬质掩膜图案的部分形成台阶面，依次对第一硬质掩膜图案、金属栅极层和控制栅极层进行干法刻蚀，在干法刻蚀的过程中台阶面向下传递并停留在控制栅极的侧壁，台阶面可以改善侧壁漏电问题，采用一道掩模构图工艺制备出阶梯型栅结构，减少工艺复杂度和工业成本，且仅采用干法刻蚀形成台阶面，减少了刻蚀损伤。减少了刻蚀损伤。减少了刻蚀损伤。

【技术实现步骤摘要】
场效应管、其制备方法及电子电路


[0001]本申请涉及到半导体
，尤其涉及到一种场效应管、其制备方法及电子电路。

技术介绍

[0002]由于氮化镓(GaN)的禁带宽度大、迁移率高等优点，GaN广泛用于功率器件领域的衬底材料。其中，最广泛的应用是高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)。在HEMT器件中，金属栅极(包括TiN/W/Ni等单层或其中一种或多种的叠层)与控制栅极(包括pGaN)的叠层结构是最常见的栅极叠层结构(也可以称为栅结构)。这种结构的器件在工作时，金属栅极与控制栅极之间侧壁会有一个漏电通道，使得栅极漏电(gate leakage，Igleak)等电性参数受到影响。
[0003]目前业界通常利用硬质掩膜(hard mask)加湿法横向腐蚀金属栅极的方法，或使用阻挡(spacer)刻蚀方法，或使用三次掩模构图工艺，使金属栅极的尺寸向内收缩，形成与下方的控制栅极呈阶梯型的结构，从而切断金属栅极与控制栅极的侧壁通道，改善漏电。但是，硬质掩膜加湿法横向腐蚀金属栅极方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应管，其特征在于，包括：沟道层，位于衬底上；控制栅极，位于所述沟道层上，所述控制栅极具有顶面和与所述顶面连接的侧壁，所述侧壁具有平行于所述顶面的台阶面；金属栅极，位于所述控制栅极的顶面上，且所述金属栅极在所述衬底上的正投影落入所述顶面在所述衬底上的正投影所在区域内；钝化层，位于所述金属栅极上且覆盖所述控制栅极和所述金属栅极；源极和漏极，位于所述沟道层上，所述源极和所述漏极分别位于所述控制栅极的两侧。2.如权利要求1所述的场效应管，其特征在于，所述台阶面的宽度大于50nm。3.如权利要求1或2所述的场效应管，其特征在于，所述台阶面的高度与所述控制栅极的厚度的比值在0
‑
1之间。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的场效应管，其特征在于，还包括：硬质掩膜，位于所述金属栅极与所述钝化层之间，所述硬质掩膜在所述衬底上的正投影落入所述金属栅极在所述衬底上的正投影所在区域内。5.一种电子电路，其特征在于，包括电路板以及设置在所述电路板上的如权利要求1
‑
4任一项所述的场效应管。6.一种场效应管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成沟道层、控制栅极层、金属栅极层、硬质掩膜层和光刻胶层；利用掩模板对所述光刻胶层进行构图，形成第一光刻胶掩模图案；利用所述第一光刻胶掩模图案的遮挡，对所述硬质掩膜层进行干法刻蚀，形成第一硬质掩膜图案；对所述第一光刻胶掩膜图案进行尺寸收缩处理，形成第二光刻胶掩模图案，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：易洪昇，孙辉，胡浩林，高彪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：