半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供一种能够使组装有半导体装置的电力转换电路小型化、并且能够柔性地应用于各种电气设备的缓冲电路内置型半导体装置。本发明专利技术涉及的半导体装置100包括：半导体基体110；源电极120；漏电极130；多个沟槽140；第一电极150，隔着分别形成在多个沟槽140的侧壁上的栅极绝缘膜172配置在沟槽内；第二电极160，以与第一电极150隔开的状态形成在第一电150极的上方；第一绝缘区域170；以及第二绝缘区域174，其中，沟槽140、第一电极150以及第二电极160从平面上看被形成为条纹状，多个第二电极160中的至少任一个与漏电极130连接。第二电极160中的至少任一个与漏电极130连接。第二电极160中的至少任一个与漏电极130连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，已知有沟槽栅型的半导体装置(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1中记载的半导体装置900为沟槽栅型的半导体装置，如图22所示，其包括：半导体基体910，具有n型漂移层912、形成在漂移层912表面的p型基极区域913、以及形成在基极区域913表面的n型源极区域914；源电极920，形成在半导体基体910的一个表面侧；漏电极(未图示)，形成在半导体基体910的另一个表面侧；多个沟槽940，形成在半导体基体910的一个表面，并具有与漂移层912邻接的底部942、以及与漂移层912、基极区域913和源极区域914邻接的侧壁944；以及栅电极950，隔着分别形成在多个沟槽940的侧壁944上的栅极绝缘膜972配置在沟槽940内，并且侧面与基极区域913相对。
[0004]以往，也知晓在将上述这样的半导体装置900组装到电力转换电路中时，为了吸收开关噪声需要另行安装缓冲电路(以往的电力转换电路例如参照本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基体，具有第一导电型的漂移层、形成在所述漂移层表面的第二导电型的基极区域、以及形成在所述基极区域表面的第一导电型的源极区域；源电极，形成在所述半导体基体的一个表面侧；漏电极，形成在所述半导体基体的另一个表面侧；多个沟槽，形成在所述半导体基体的一个表面，并具有与所述漂移层邻接的底部、以及与所述漂移层、所述基极区域和所述源极区域邻接的侧壁；多个第一电极，隔着分别形成在所述多个沟槽的所述侧壁上的栅极绝缘膜配置在所述沟槽内，并且其侧面与所述基极区域相对；多个第二电极，以与所述第一电极隔开的状态形成在各个所述第一电极的上方；第一绝缘区域，形成在所述沟槽的所述底部与所述第一电极之间，使所述第一电极与所述沟槽的所述底部隔开；以及第二绝缘区域，延展于所述第二电极与所述第一电极之间，使所述第二电极与所述第一电极隔开，并且延展于所述第二电极与所述沟槽的所述侧壁之间，使所述第二电极与所述沟槽的所述侧壁隔开，其中，所述沟槽、所述第一电极以及所述第二电极从平面上看被形成为条纹状，多个所述第二电极中的至少任一个与所述漏电极连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第二电极被配置在所述沟槽内。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第二电极被配置在将所述源极区域以及所述基极区域中的至少一方与所述第二绝缘区域夹住的相对位置上。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述沟槽的所述侧壁与所述第二电极之间的所述第二绝缘区域的厚度比所述栅极绝缘膜的厚度厚。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第二电极的至少一部分被配置在未形成有所述沟槽的所述半导体基体的所述一个表面的高度位置的上方。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：大谷欣也，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：