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本发明涉及具有共享导电字线的紧凑存储器单元及其制造方法。本文公开的示例性器件包括：第一存储器单元，其包括位于半导体衬底的上表面上方的第一存储器栅极；以及第二存储器单元，其包括位于半导体衬底的上表面上方的第二存储器栅极。在该示例中，该器件还包...
该专利属于格芯新加坡私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯新加坡私人有限公司授权不得商用。

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