【技术实现步骤摘要】
本专利技术的
技术介绍
1、本专利技术的
概括地来说，本专利技术涉及层状超晶格材料的制作，更具体地来说，是涉及一种构成铁电集成电路器件的制造方法，通过利用低温快速递变退火技术，铁电集成电路器件包括具有高极化率、低疲劳和低漏电流特性的层状超晶格材料的薄膜。2、问题的提出铁电化合物具有良好的特性而用于非易失性集成电路存储器。参见米勒的美国专利5046043。当铁电器件(例如电容器)具有所需的电特性时，例如高剩余极化、良好的矫顽场、高疲劳电阻和低漏电流，它可用作非易失性存储器。层状超晶格材料氧化物已被研究而用于集成电路。在Watanabe等人的美国专利5434102(1995年7月18日公布)和Yoshimori等人的美国专利5468684(1995年11月21日公布)中，描述了将这些材料集成于实际的集成电路中的过程。层状超晶格材料表现出铁电存储器中的特性，其数量级优于PZT(锆钛酸铅)及PLZT(锆钛酸铅镧)化合物。集成电路中一种典型的铁电存储器包含半导体衬底和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)，它电连接一个铁电器件，一般是铁电电容器。目前应用和...
【技术保护点】
一种制造层状超晶格材料之薄膜的方法，包括以下步骤：提供（３１２）衬底；提供（３２２）包含有效量内金属组成部分的母体，用于在加热所述母体时形成层状超晶格材料；将所述母体涂覆（３２４）在所述衬底上以形成涂层；所述方法的特征在于：在５００℃至７５０℃的范围内的维持温度下，对所述涂层进行快速递变退火（“ＲＲＡ”）（３２８），进行时间为在所述维持温度下的５分钟至１２０分钟范围内之维持时间，在所述衬底上形成所述层状超晶格材料之薄膜（１２４，２２６，５１０）。
【技术特征摘要】
US 2000-3-9 09/523,9191.一种制造层状超晶格材料之薄膜的方法，包括以下步骤提供(312)衬底；提供(322)包含有效量内金属组成部分的母体，用于在加热所述母体时形成层状超晶格材料；将所述母体涂覆(324)在所述衬底上以形成涂层；所述方法的特征在于在500℃至750℃的范围内的维持温度下，对所述涂层进行快速递变退火(“RRA”)(328)，进行时间为在所述维持温度下的5分钟至120分钟范围内之维持时间，在所述衬底上形成所述层状超晶格材料之薄膜(124，226，510)。2.一种制造层状超晶格材料之薄膜的方法，包括以下步骤提供(312)衬底；提供(322)包含有效量内金属组成部分的母体，用于在加热所述母体时形成所述层状超晶格材料之所述薄膜；将所述母体涂覆(324)在所述衬底上以形成涂层；所述方法的特征在于在所述的涂覆所述母体之后，基本上只通过进行快速递变退火(“RRA”)(328)加热所述涂层达到500℃至750℃之范围内的温度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，用5分钟至120分钟之范围内的维持时间进行所述的快速递变退火。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的快速递变退火是在含氧气氛中进行的。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的快速递变退火基本上是在纯氧气(O2)中进行的。6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的温度不超过700℃。7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的温度为650℃。8.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述的维持时间不少于15分钟。9.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述的维持时间不少于30分钟。10.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述的温度为650℃，所述的维持时间不少于30分钟。11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，进行所述的快速递变退火所采用的实际递变率是在每秒10℃至100℃之范围内。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，进...
【专利技术属性】
技术研发人员：内山洁，有田浩二，纳拉杨索拉亚鹏，卡罗斯A帕兹德阿罗，
申请(专利权)人：塞姆特里克斯公司，松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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