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一种用于形成层状超晶格材料的液态母体被涂覆(324)在集成电路衬底(122,224,508)。利用递变率为每秒50℃的快速递变退火(“RRA”)技术(328),在650℃之维持温度下对该母体涂层在氧气中进行时间为30分钟之维持时间的退火。...该专利属于塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社授权不得商用。
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一种用于形成层状超晶格材料的液态母体被涂覆(324)在集成电路衬底(122,224,508)。利用递变率为每秒50℃的快速递变退火(“RRA”)技术(328),在650℃之维持温度下对该母体涂层在氧气中进行时间为30分钟之维持时间的退火。...