半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置(1)具备绝缘层(30)、多个配线(40)、半导体元件(10)以及密封树脂(20)。绝缘层(30)具有在厚度方向(Z)上彼此朝向相反侧的主面(31)及背面(32)、以及形成于主面(31)与背面(32)的厚度方向(Z)之间的侧面(33)。多个配线(40)具有埋入于绝缘层(30)的埋入部(41)、以及遍及从背面(32)到侧面(33)形成且由与埋入部(41)连接的金属膜构成的再配线部(42)。半导体元件(10)具有与多个配线(40)的埋入部(41)的至少一部分连接的多个电极(14)，且搭载于主面(31)。密封树脂(20)与主面(31)相接，且覆盖半导体元件(10)。半导体元件(10)。半导体元件(10)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]随着近年来的电子设备的小型化，用于电子设备的半导体装置的小型化不断推进。因此，提出了所谓的Fan－Out型的半导体装置，其具备具有多个电极的半导体元件、覆盖半导体元件中的形成有多个电极的背面的绝缘层、以及形成于绝缘层并且与多个电极电连接，且位于比半导体元件靠外方的多个配线。由此，实现半导体装置的小型化，并且能够灵活地对应安装有半导体装置的配线基板的配线图案的形状。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016－89081号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]另外，在例如专利文献1的半导体装置中，由于为连接于多个配线的端子从绝缘层的背面露出的结构，因此，在通过焊料将半导体装置安装于配线基板的情况下，难以从半导体装置的外部视觉确认焊料。因此，在从基于焊料的半导体装置与配线基板的接合状态视觉确认半导体装置向配线基板的安装状态的观点上，具有改善的余地。
[0008]本公开的目的在于提供能够容易地确认半导体装置向配线基板的安装状态的半导体装置及半导体装置的制造方法。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]解决上述课题的半导体装置包括绝缘层、多个配线、半导体元件以及密封树脂。上述绝缘层具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面及背面、以及形成于上述主面与上述背面的上述厚度方向之间的侧面。上述多个配线具有至少一部分埋入于上述绝缘层的埋入部、以及遍及从上述背面到上述侧面形成且由与上述埋入部连接的金属膜构成的再配线部。上述半导体元件具有与上述多个配线的上述埋入部的至少一部分连接的多个电极，且搭载于上述主面。上述密封树脂与上述主面相接，且覆盖上述半导体元件。
[0011]根据该结构，在半导体装置通过焊料安装于配线基板的情况下，通过焊料附着于形成于绝缘层的侧面的再配线部，形成焊角。通过露出于半导体装置的外部的焊角，能够视觉确认将半导体装置接合于配线基板的焊料。从而，能够容易视觉确认半导体装置的安装状态。
[0012]解决上述课题的半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一埋入部、第一再配线部、第二埋入部、第二再配线部、半导体元件以及密封树脂。上述第一绝缘层具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一主面及第一背面、以及形成于上述第一主面与上述第一背面的上述厚度方向之间的第一侧面。上述第二绝缘层在上述厚度方向上层叠于上述第一绝缘
层，且具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第二主面及第二背面、以及形成于上述第二主面与上述第二背面的上述厚度方向之间的第二侧面。上述第一埋入部的至少一部分埋入上述第一绝缘层。上述第一再配线部形成于上述第一绝缘层的至少上述第一背面，且由与上述第一埋入部连接的金属膜构成。上述第二埋入部的至少一部分埋入上述第二绝缘层，且与上述第一再配线部连接。上述第二再配线部遍及从上述第二背面到上述第二侧面形成，且由与上述第二埋入部连接的金属膜构成。上述半导体元件具有与上述第一埋入部的至少一分部连接的电极，且搭载于上述第一主面。上述密封树脂与上述第一主面相接，且覆盖上述半导体元件。
[0013]根据该结构，在半导体装置通过焊料安装于配线基板的情况下，通过焊料附着于形成于第二绝缘层的第二侧面的第二再配线部，形成焊角。通过露出于半导体装置的外部的焊角，能够视觉确认将半导体装置接合于配线基板的焊料。从而，能够容易视觉确认半导体装置的安装状态。
[0014]解决上述课题的半导体装置的制造方法具备如下工序：元件埋入工序，该工序将半导体元件以使上述半导体元件的厚度方向的一方所设置的电极从树脂背面露出的方式埋入密封树脂；绝缘层形成工序，该工序形成绝缘层，该绝缘层具有覆盖上述密封树脂的上述树脂背面及上述电极的主面、以及与上述主面朝向相反侧的背面；侧面形成工序，该工序在上述绝缘层形成与上述背面交叉的侧面；以及配线形成工序，该工序形成埋入上述绝缘层且与上述电极连接的埋入部、以及遍及从上述背面到上述侧面的再配线部。
[0015]根据该结构，在半导体装置通过焊料安装于配线基板的情况下，通过焊料附着于形成于绝缘层的侧面的再配线部，形成焊角。通过露出于半导体装置的外部的焊角，能够视觉确认将半导体装置接合于配线基板的焊料。从而，能够容易视觉确认半导体装置的安装状态。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据上述半导体装置及半导体装置的制造方法，能够容易地确认半导体装置向配线基板的安装状态。
附图说明
[0018]图1是一实施方式的半导体装置的立体图。
[0019]图2是从图1的半导体装置的背面侧观察的立体图。
[0020]图3是图1的半导体装置的后视图。
[0021]图4是沿着图3的4－4线的示意性的剖视图。
[0022]图5是放大了图4的多个配线的一部分及其周边的放大图。
[0023]图6是沿着图3的6－6线的示意性的剖视图。
[0024]图7是表示半导体装置的制造方法的一例的流程图。
[0025]图8A是表示半导体装置的制造方法的元件埋入工序的一例的说明图。
[0026]图8B是表示半导体装置的制造方法的绝缘层形成工序的一例的说明图。
[0027]图8C是表示半导体装置的制造方法的侧面形成工序的一例的说明图。
[0028]图8D是表示半导体装置的制造方法的配线形成工序的一例的说明图。
[0029]图8E是放大了图8D的多个槽的一部分及其周边的放大图。
[0030]图8F是表示半导体装置的制造方法的配线形成工序的一例的说明图。
[0031]图8G是放大了图8F的多个配线的一部分及其周边的放大图。
[0032]图8H是表示半导体装置的制造方法的切断工序的一例的说明图。
[0033]图8I是表示半导体装置的制造方法的切断工序的一例的说明图。
[0034]图9是将一实施方式的半导体装置安装于配线基板的状态的示意性的剖视图。
[0035]图10是变更例的半导体装置的示意性的剖视图。
[0036]图11是放大了图10的多个配线的一部分及其周边的放大图。
[0037]图12A是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的元件埋入工序的一例的说明图。
[0038]图12B是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的绝缘层形成工序的一例的说明图。
[0039]图12C是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的侧面形成工序的一例的说明图。
[0040]图12D是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的配线形成工序的一例的说明图。
[0041]图12E是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的切断工序的一例的说明图。
[0042]图13A是表示图10的变更例的半导体装置的另一制造方法的元件埋入工序的一例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘层，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面及背面、以及形成于上述主面与上述背面的上述厚度方向之间的侧面；多个配线，其具有至少一部分埋入于上述绝缘层的埋入部、以及遍及从上述背面到上述侧面形成且由与上述埋入部连接的金属膜构成的再配线部；半导体元件，其具有与上述多个配线的上述埋入部的至少一部分连接的多个电极，且搭载于上述主面；以及密封树脂，其与上述主面相接，且覆盖上述半导体元件。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述绝缘层由包含热固化性的合成树脂以及添加剂的材料构成，上述添加剂含有组成上述多个配线的一部分的金属元素。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述再配线部在上述厚度方向上遍及上述绝缘层的整个上述侧面而形成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，上述密封树脂具备：第一树脂部分，其是在上述厚度方向上靠上述绝缘层的部分，且具有与上述绝缘层的侧面朝向相同的方向的第一侧面；以及第二树脂部分，其是在上述厚度方向与上述绝缘层相反一侧的部分，在与上述厚度方向正交的方向上形成得比上述第一树脂部分大，且具有与上述第一侧面朝向相同的方向的第二侧面，上述第一树脂部分的上述第一侧面位于比上述第二树脂部分的上述第二侧面靠内方。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在上述密封树脂通过上述第一树脂部分与上述第二树脂部分的大小的差形成有向上述密封树脂的内侧凹陷的台阶。6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，上述半导体元件具有彼此朝向相反侧的元件主面及元件背面，在上述元件背面设有上述多个电极，上述半导体元件以上述元件背面及上述多个电极露出的方式埋入上述密封树脂，上述绝缘层具有覆盖上述半导体元件的上述元件背面及上述多个电极的第一被覆部和覆盖上述第一树脂部分的上述第一侧面的至少一部分的第二被覆部，上述第二被覆部具有作为上述绝缘层的上述侧面的侧面。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，上述绝缘层的上述侧面包括相对于上述厚度方向倾斜的倾斜面。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，上述绝缘层具有槽，该槽包括从上述背面朝向上述厚度方向凹陷的背面侧槽和从上述侧面朝向与上述厚度方向正交的方向凹陷的侧面侧槽，上述再配线部与上述槽相接。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，上述绝缘层由包含热固化性的合成树脂以及添加剂的材料构成，上述添加剂含有组成
上述多个配线的一部分的金属元素，上述再配线部具有与上述槽相接的基础层和覆盖上述基础层的镀敷层，上述基础层由上述添加剂所含有的上述金属元素组成。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，上述镀敷层具有朝向上述镀敷层的厚度方向凹陷的凹部。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，上述凹部沿上述再配线部延伸的方向延伸。12.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一绝缘层，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一主面及第一背面、以及形成于上述第一主面与上述第一背面的上述厚度方向之间的第一侧面；第二绝缘层，其在上述厚度方向上层叠于上述第一绝缘层，且具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第二主面及第二背面、以及形成于上述第二主面与上述第二背面的上述厚度方向之间的第二侧面；第一埋入部，其至少一部分埋入上述第一绝缘层；第一再配线部，其形成于上述第一绝缘层的至少上述第一背面，且由与上述第一埋入部连接的金属膜构成；第二埋入部，其至少一部分埋入上述第二绝缘层，且与上述第一再配线部连接；第二再配线部，其遍及从上述第二背面到上述第二侧面形成，且由与上述第二埋入部连接的金属膜构成；半导体元件，其具有与上述第一埋入部的至少一分部连接的电极，且搭载于上述第一主面；以及密封树脂，其与上述第一主面相接，且覆盖上述半导体元件。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，上述第一再配线部具有形成于上述第一背面的第一背面侧再配线部、以及在与上述第一背面侧再配线部分离的状态下形成于上述第一侧面的第一侧面侧再配线部，上述第一背面侧再配线部与上述第二埋入部连接，上述第一侧面侧再配线部与上述第二再配线部连接。14.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其特征在于，从上述厚度方向观察，上述第二再配线部包括与上述第一再配线部重叠的部分。15.根据权利要求12～14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，上述第二绝缘层由包含热固化性的合成树脂以及添加剂的材料构成，上述添加剂含有分别组成上述第二埋入部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：富士和则，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：