MRAM设备及制造用在MRAM结构中的磁轭结构的方法技术

一种ＭＲＡＭ设备，其包括基底；多个包括位线和字线的导线；和包括一对磁轭结构的ＭＴＪ堆栈，其中，所说的每一个磁轭结构都环绕导线。一种制造用在ＭＲＡＭ结构中的磁轭结构的方法，其包括制备基底；在基底上形成第一个导线；制造ＭＴＪ堆栈，包括制造环绕第一个导线的第一个磁轭结构；在ＭＴＪ堆栈上形成第二个导线；制造环绕第二个导线的第二个磁轭结构；在该结构上沉积氧化物层；和金属化该结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及先进的非挥发性磁性RAM(MRAM)设备，具体地说，本专利技术涉及用在MRAM设备中的磁性隧道结(MTJ，即magnetic tunnelingjunction)磁轭结构。1997年6月17日授权于Gallagher等人的美国专利5640343“Magneticmemory array using magnetic tunnel Junnction devices in the memory cells”提供了MTJ设备的一般背景信息，并且解释了该设备如何写入和读取。2001年2月6日授权于Chen等人的美国专利6183859“Low resistanceMTJ”描述了低电阻磁性RAM的制造方法。2001年10月16日授权于Naji等人的6304477“Content addressablemagnetic random access memory”描述了具有差分标签程序位线(differentialtag program bit line)和匹配线的MRAM。在MRAM结构中制造磁轭结构的方法包括制备基底；在基底上形成第一个导线；制造MTJ堆栈，包括制造环绕第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＲＡＭ设备，其包括：基底；多个包括位线和字线的导线；和包括一对磁轭结构的ＭＴＪ堆栈，其中，所说的每一个磁轭结构都环绕导线。

【技术特征摘要】
US 2002-1-31 10/061,9741.一种MRAM设备，其包括基底；多个包括位线和字线的导线；和包括一对磁轭结构的MTJ堆栈，其中，所说的每一个磁轭结构都环绕导线。2.根据权利要求1的MRAM设备，其中，所说的磁轭结构是马蹄形。3.根据权利要求1的MRAM设备，其中，所说的基底包括和所说的多个导线中的一个相连的MOS晶体管。4.根据权利要求1的MRAM设备，其中，所说的MTJ堆栈包括AF自旋层、FM自旋层、绝缘间隙层、隧道阻挡层、两个FM自由层、底电极、晶种层和顶盖层。5.根据权利要求1的MRAM设备，其中，所说的磁轭结构依次包括氧化物层、NiFe层和环绕相关导线的氧化物层。6.根据权利要求5的MRAM设备，其中，所说的磁轭结构包括位于所说的NiFe层和所说的导线之间的铜阻挡层，其中，所说的铜阻挡层由选自TiN和WN的材料制成。7.根据权利要求1的MRAM设备，其中，所说的基底包括MOS晶体管，第一个导线形成在基底上，并且被包覆磁轭结构所环绕；和其中所说的MTJ堆栈包括选自Ta、NiMn、CoFe；Ta、FeMn、CoFe；和Ta、NiFe、FeMn、CoFe磁层的固定磁层；其中所说的MTJ堆栈还包括隧道阻挡层和自由磁层。8.根据权利要求7的MRAM设备，其中，所说的自由磁层选自NiFe和CoFe磁层。9.根据权利要求1的MRAM设备，其中，MRAM需要的编程电流为μA范围。10.一种制造用在MRAM结构中的磁轭结构的方法，其包括如下步骤a)制备基底；b)在基底上形成第一个导线；c)制造MTJ堆栈，包括制造环绕第一个导线的第一个磁轭结构；d)在MTJ堆栈上形成第二个导线；e)制造环绕第二个导线的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘威，许胜籘，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]