三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备技术方案

本发明专利技术实施例涉及一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备，该三维存储器的制作方法包括：在衬底上形成堆叠结构，衬底包括多个块区域以及位于相邻块区域之间的栅线缝隙区；形成位于块区域和栅线缝隙区上且贯穿堆叠结构的多个沟道孔；在栅线缝隙区上形成栅线狭缝，栅线狭缝用以将相邻块区域上的堆叠结构分隔开，从而在块区域上刻蚀形成沟道孔的过程中，能够避免由于块区域上堆叠结构的应力分布不均匀而导致沟道孔形貌一致性差的问题，有利于增大后续制程的工艺窗口，并改善三维存储器中存储单元的电性参数均一性。器中存储单元的电性参数均一性。器中存储单元的电性参数均一性。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备


[0001]本专利技术实施例涉及存储器
，具体涉及一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，半导体工业不断寻找新的生产方式，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数量的存储器单元。其中，3D NAND(三维与非门)存储器由于其存储密度高、成本低等优点，已成为目前较为前沿、且极具发展潜力的三维存储器技术。
[0003]现有的3D NAND存储器通常会包括多个存储块区域，相邻存储块区域通过栅线缝隙区分隔开，且每一存储块区域中分布多个沟道结构。但是，在存储块区域中刻蚀形成沟道孔的过程中，由于栅线缝隙区中堆叠结构的应力作用，会使得存储块区域中堆叠结构的应力分布不均匀，靠近栅线缝隙区的沟道孔在刻蚀过程中的保型性较差，易于发生变形，导致所形成的深孔结构的形貌难以保持一致，进而影响后续制程的工艺窗口。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备，以提高存储块区域中沟道孔的形貌本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成堆叠结构，所述衬底包括多个块区域以及位于相邻所述块区域之间的栅线缝隙区；形成位于所述块区域和所述栅线缝隙区上且贯穿所述堆叠结构的多个沟道孔；在所述栅线缝隙区上形成栅线狭缝，所述栅线狭缝用以将相邻所述块区域上的所述堆叠结构分隔开。2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述栅线缝隙区上形成栅线狭缝之前，还包括：在所述沟道孔的内壁上依次形成存储功能层和沟道层，以形成沟道结构；去除位于所述栅线缝隙区上的所述沟道孔中的所述沟道层；形成填充所述沟道孔中剩余空间的绝缘层。3.根据权利要求2所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述栅线缝隙区上形成栅线狭缝，具体包括：去除位于所述栅线缝隙区上的所述堆叠结构、所述绝缘层和所述存储功能层，以形成栅线狭缝。4.根据权利要求2所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述栅线缝隙区上形成栅线狭缝之前，还包括：在所述块区域上于所述沟道孔远离所述衬底的一端中形成对应的沟道插塞，所述沟道插塞与对应的所述沟道孔中的所述沟道层相连接。5.根据权利要求2所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述块区域包括相连接的核心区和台阶区，在所述栅线缝隙区上形成栅线狭缝之前，还包括：去除所述台阶区上的部分所述堆叠结构，以形成台阶结构。6.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述多个沟道孔在垂直于所述衬底的方向上延伸至所述衬底内。7.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述栅线缝隙区上形成栅线狭缝之后，还包括：在所述栅线狭缝中形成栅线隙结构。8.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜丙杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：