使用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件制造技术

本发明专利技术揭示了一种用芯片尺寸封装生产的功率二极管器件。该功率半导体器件包括管芯，管芯具有第一表面和第一表面相对的第二表面；至少一个引线框，该至少一个引线框中的每一个具有第一端和第二端，第一端电连接在管芯的第一表面的对应端或第二表面对应端；导电板，电连接在管芯的第二表面端的对应端上；和封装材料，用于封装管芯、引线框的一端和导电板。每一个引线框的第二端和与管芯的第二个表面电连接的表面相对的导电板的表面暴露在封装材料的外面，并且处于同一平面。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种功率半导体器件，特别涉及使用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件。传统的功率半导体的大小(例如，功率二极管)比功率二极管管芯10大得多。因此，传统的功率二极管不能满足目前市场的重量轻、薄和小的设计要求。根据本专利技术用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件包括具有带有第一表面端的第一表面和与第一表面相对的带有第二表面端的第二表面的功率半导体管芯；至少一个引线框，该引线框具有第一端和第二端，第一端电连接在管芯的第一表面的第一表面端或第二表面的第二表面端，导电板，电连接在管芯的第二表面端端；和封装材料，用于封装管芯、至少一个引线框的一端和导电板。所述至少一个引线框的第二端和没有与管芯的第二个表面端连接的导电板的表面暴露在封装材料的外面，并且处于同一平面。实施例1参照图2，示出了根据本专利技术的第一个实施例的用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件。在图2中功率二极管管芯30具有第一表面30′(p型端)和与第一表面相对的第二表面(N型端)30″。引线框32具有第一端32′和第二端32″。第一端32′通过焊料36连接在功率二极管管芯30的第一表面30′上。导电板(例如，铜板)34通过焊料38连接在功率二极管管芯30的第二表面30″上。此外，封装材料35用于封装功率二极管管芯30、引线框32的第一个端32′、导电板34和焊料36和38。实施例2参照图3，示出了根据本专利技术的第二个实施例的用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件。在图3中一个双功率二极管管芯40具有第一表面和与第二表面。第一表面包括第一p型端40′和第二p型端40″，第二表面包括一N型端40。第一引线框42具有第一端42′和第二端42″。第一端42′通过焊料41连接到第一p型端40′。第二引线框44也具有第一端44′和第二端44″。第一端44′通过焊料43连接到第二p型端40″。导电板(例如，铜板)46通过焊料45连接在N型端40。此外，封装材料48用于封装管芯40、第一引线框42和第二引线框44的第一端42′和44′、导电板46和焊料41、43和45。实施例3参照图4，示出了根据本专利技术的第三个实施例的用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件。如图4所示，功率MOSFET管芯50包括栅极50″、源极50和漏极50′。第一引线框52具有第一端52′和第二端52″。第一端52′通过焊料51连接在源极50′。第二引线框54也具有第一端54′和第二端54″。第一端54′通过焊料53连接到栅极50″。导电板(例如，铜板)56通过焊料55连接源极50上。封装材料58用于封装管芯50、第一引线框52和第二引线框54的第一端52′和54′、导电板56和焊料51、53和55。实施例4参照图5，示出了根据本专利技术的第四个实施例的用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件。如图5所示，功率MOSFET管芯60包括栅极60″、源极60′和漏极60。第一引线框62具有第一端62′和第二端62″。第一端62′通过焊料61连接在源极60′。第二引线框64也具有第一端64′和第二端64″。第一端64′通过焊料63连接到栅极60″。导电板(例如，铜板)66通过焊料65连接到漏极60上。封装材料68用于封装管芯60、第一引线框62和第二引线框64的第一端62′和64′、导电板66和焊料61、63和65。实施例5参照图6，示出了根据本专利技术的第五个实施例的用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件。如图6所示，功率MOSFET管芯70包括栅极70″、源极70′和漏极70。第一引线框72具有第一端72′和第二端72″。第一端72′通过焊料71连接在源极70′上。第二引线框74也具有第一端74′和第二端74″。第一端74′通过焊线79连接到栅极70″。导电板(例如，铜板)76通过焊料75连接漏极70上。封装材料78用于封装管芯70、第一引线框72和第二引线框74的第一端72′和74′、导电板76、焊线79和焊接71、73和75。实施例6参照图7，示出了根据本专利技术的第六个实施例的用芯片尺寸封装生产的功率半导体器件。如图7所示，功率MOSFET管芯80包括栅极80″、源极80′和漏极80。第一引线框82具有第一端82′和第二端82″。第一端82′通过焊料81连接在源极80′上。第二引线框84也具有第一端84′和第二端84″。第一端84′通过银焊膏89连接到栅极80″。导电板(例如，铜板)86通过焊料85连接漏极80上。封装材料88用于封装管芯80、第一引线框82和第二引线框84的第一端82′和84′、银焊膏89和焊料81、83和85。该根据本专利技术的用芯片尺寸封装生产的功率二极管器件的优点是本专利技术的功率二极管器件的尺寸远小于传统的功率二极管器件，而且装在同一平面上的引线适于电路板的电流表面安装工艺。尽管本专利技术使用优选实施例来揭示的，但是这种揭示对本专利技术没有局限性。本领域的技术人员能够在下面的权利要求的范围和精神内对本专利技术作出修改。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率半导体器件，包括：管芯，具有带有第一表面端和与第一表面相对的第二表面端；至少一个引线框，所述的至少一个引线框具有第一端和第二端，第一端电连接在所述管芯的第一表面端或第二表面端；导电板，电连接在所述管芯的第二表面端；和 封装材料，用来封装所述的管芯、所述的至少一个引线框的一端和所述的导电板，其中，所述至少一个引线框的第二端和所述的没有与所述的管芯的第二个表面端连接的所述的导电板的表面暴露在所述封装材料的外面，并且处于同一平面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率半导体器件，包括管芯，具有带有第一表面端和与第一表面相对的第二表面端；至少一个引线框，所述的至少一个引线框具有第一端和第二端，第一端电连接在所述管芯的第一表面端或第二表面端；导电板，电连接在所述管芯的第二表面端；和封装材料，用来封装所述的管芯、所述的至少一个引线框的一端和所述的导电板，其中，所述至少一个引线框的第二端和所述的没有与所述的管芯的第二个表面端连接的所述的导电板的表面暴露在所述封装材料的外面，并且处于同一平面。2.权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述的管芯是功率二极管管芯。3.权利要求2所述的功率半导体器件，其中第一表面端是P型端，和，第二表面端是N型端。4.权利要求3所述的功率半导体器件，其中所述的至少一个引线框的第一端电连接在所述管芯的P型端上。5.权利要求3所述的功率半导体器件，其中所述的至少一个引线框的第一端是通过焊料电连接在所述管芯的P型端上。6.权利要求3所述的功率半导体器件，其中所述的导电板电连接在所述管芯的N型端上。7.权利要求3所述的功率半导体器件，其中所述的导电板是通过焊料电连接在所述管芯的N型端上。8.权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述的管芯是由两个相连的功率二极管组成的。9.权利要求8所述的功率半导体器件，其中第一表面端具有第一P型端和第二P型端，并且第二表面端是N型端。10.权利要求9所述的功率半导体器件，其中所述的至少一个引线框是两个引线框，一个第一引线框和一个第二引线框，所述第一引线框的第一端电连接在所述管芯的第一P型端上，以及所述第二引线框的第一端电连接在所述管芯的第二P型端上。11.权利要求9所述的功率半导体器件，其中所述的至少一个引线框是两个引线框，一个第一引线框和一个第二引线框，所述第一引线框的第一端通过焊料电连接在所述管芯的第一P型端上，以及所述第二引线框的第一端通过焊料电连接在所述管芯的第二P型端上。12.权利要求9所述的功率半导体器件，其中所述的导电板是电连接在所述管芯的N型端上。13.权利要求9所述的功率半导体器件，其中所述的导电板是通过焊料电连接在所述管芯的N型端上。14.权利要求1所述的功率半导体器件，其中所述的管芯是功率MOSFET管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世冠，徐正陆，
申请(专利权)人：台湾通用器材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]