【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及刻印光刻技术，尤其是，涉及其中使用定向流体压力(direct fluid pressure)把一模型压入一薄膜的刻印光刻技术。该方法对于在一增加区域上提供增加的分辨率和均匀性的毫微刻印光刻技术是尤其有用的。
技术介绍
光刻技术在半导体集成电路和许多光、磁和微机械器件的制造中是关键工序。光刻技术在衬底支撑的一薄膜上造成一图形，以便在接下来的工序中该图形能够被复制到衬底中或加在衬底上的其它材料中。通常的光刻技术代表性地包括把一保护层薄膜应用到衬底上，使该保护层暴露于想得到的辐照图形，并显影暴露的薄膜以产生实际图形。在该方法中，分辨率被射线的波长限制，并且随着特征(feature)尺寸变小设备变得越来越昂贵。基于从根本上不同原理上的毫微刻印光刻技术提供了高分辨率，高生产量，低成本和大范围覆盖的潜力。在毫微刻印光刻技术中，具有纳米尺度特征的模型被压入一薄膜，根据模型的该特征使薄膜形状变形并在薄膜中形成一凹凸图形。在模型移走之后，薄膜可以被加工以消除减小了厚度的区域。该消除使下面的衬底暴露以便进一步的加工。毫微刻印光刻技术的细节在1998年6月30日授权的...
【技术保护点】
一种处理衬底表面的方法包括步骤：在衬底的表面提供一可塑层；提供压模表面具有多个突出特征的一模型；用定向流体压力把压模表面和模制层压在一起以减小突出特征下面的可塑层的厚度从而产生减小厚度的区域；以及从可塑层撤走模型。
【技术特征摘要】
US 2000-7-18 09/618,1741.一种处理衬底表面的方法包括步骤在衬底的表面提供一可塑层；提供压模表面具有多个突出特征的一模型；用定向流体压力把压模表面和模制层压在一起以减小突出特征下面的可塑层的厚度从而产生减小厚度的区域；以及从可塑层撤走模型。2.权利要求1的方法，进一步包括步骤从减小厚度的区域除去可塑层的材料以选择性地暴露衬底的区域；和在暴露区域进一步选择性地处理衬底。3.权利要求2的方法，其中进一步处理包括用杂质掺杂衬底，从衬底除去材料，或在衬底上增加材料。4.权利要求1的方法，进一步包括在加压之后硬化可塑层的步骤。5.权利要求1的方法，其中加压包括密封模型和可塑层之间的区域，并使模型和衬底经受加压流体。6.权利要求5的方法，其中密封包括使模型和衬底之间的区域相对于加压流体密封。7.权利要求1的方法，其中衬底或模型或两者都足够地有挠性以在流体压力下密合在一起。8.权利要求1的方法，其中加压包括倾注加压流体把5模型和可塑层压在一起。9.权利要求1中的方法，其中压模表面的至少两个突出特征横向隔离开少于200nm。10.权利要求1的方法，其中可塑层的厚度处于0.1nm到10gym的范围。11.用于处理一衬底的设备，包括放置于衬底一表面上的一可塑层；压模表面包括多个邻近着可塑层布置的突出特征的一模型；以及包含加压流体的一压力容器，用于提供加压流体以把压模表面和可塑层压在一起。12.根据权利要求11的设备，进一步包括一个密封，以把可塑层和压模表面之间的区域相对于加压流体密封。13.根据权利要求12的设备，其中密封包括从外围垫圈，o-环，流体可渗透柔性膜和外围夹具中选择的一装置。14.根据权利要求11的设备，其中衬底和模型放置在压力容器之中。15.根据权利要求14的设备，其中压力容器进一步包括用于加热可塑层的一加热器。16.根据权利要求14的设备，其中压力容器进一步包括一透明窗口，用于允许用辐射照射可塑层。17.根据权利要求16的设备，其中模型或衬底对辐射是透明的。18.根据权利要求11的设备，其中压力容器包括多个开口，用于提供加压流体以把模型和可塑层压在一起。19.根据权利要求11的设备，其中压模表面的至少两个突出特征横向隔开少于200nm。20.根据权利要求1的设备，其中可塑表面的突出特征突出0.1nm到10p，m。21.一种压力模制系统，包括一压力腔；一模型，其具有一个表面，该表面具有至少两个高度的特征；以及一衬底，包括位置邻近于模型的表面的一可塑层，模型或衬底的一部分暴露于腔的流体压力以把模型和可塑层压在一起。22.权利要求21的系统，其中压力腔包括一开口，并且模型或衬底暴露于来自开口的加压流体。23.权利要求21的系统，其中模型上的特征配置为以便刻印特征尺寸小于200nm的图形。24.权利要求21的系统，进一步包括适当定位的一密封装置，以把模型和衬底之间的一区域和腔中的压力隔离。25.权利要求24的系统，其中密封装置包括位于模型和衬底之间的一材料环。26.权利要求25的系统，其中环是一o-环。27.权利要求24的系统，其中密封装置包括一柔韧膜。28.权利要求24的系统，其中密封装置包括一夹具以从周边把模型夹到衬底上。29.权利要求24的系统，其中密封装置包括至少一个圆柱体，用于将衬...
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