【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电容(integrated capacitor)，尤其涉及一种可具有极性的集成电容结构，特别适合应用于模拟/数字转换器(A/D converter)或数字/模拟转换器(D/A converter)或切换电路(switch cap circuit)领域。附图说明图1为已知高集成度集成电容的部份结构侧视图。如图1所示，已知的集成电容1由多个平行排列的垂直金属板100及120所构成，其中无阴影的为垂直金属板120，表示其为电连接一节点A，有阴影的为垂直金属板100，表示其为电连接一节点B。垂直金属板100及120皆形成于一半导体基底(未显示)上。每一垂直金属板100都由多个金属层10a、10b、10c及10d以及电连接多个金属层10a、10b、10c及10d的金属插塞11a、11b及11c所构成。每一垂直金属板120皆由多个金属层12a、12b、12c及12d以及电连接多个金属层12a、12b、12c及12d的金属插塞13a、13b及13c所构成。垂直金属板100及120之间为一介电层(未显示)。一般而言，已知之集成电容1的多个金属层10a、...
【技术保护点】
一种可具有极性的集成电容，包含有：一半导体基底；第一垂直板设于该半导体基底上，该第一垂直板系由多个并列第一导电条上下经由多个第一插塞互相电连接所构成；第二垂直板，其与该第一垂直板平行设置于该半导体基底上，该第二垂直板是由多个并列 第二导电条上下经由多个第二插塞互相电连接所构成；以及一导电板，设于该第一垂直板及该第二垂直板之下，且介于该第一垂直板及该第二垂直板与该半导体基底之间；其中该第二垂直板系经由至少一第三插塞与该导电板电连接。
【技术特征摘要】
1.一种可具有极性的集成电容，包含有一半导体基底；第一垂直板设于该半导体基底上，该第一垂直板系由多个并列第一导电条上下经由多个第一插塞互相电连接所构成；第二垂直板，其与该第一垂直板平行设置于该半导体基底上，该第二垂直板是由多个并列第二导电条上下经由多个第二插塞互相电连接所构成；以及一导电板，设于该第一垂直板及该第二垂直板之下，且介于该第一垂直板及该第二垂直板与该半导体基底之间；其中该第二垂直板系经由至少一第三插塞与该导电板电连接。2.如权利要求1所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该导电板由金属所构成。3.如权利要求1所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该导电板与该第一垂直板藉由一介电层形成电性绝缘。4.如权利要求1所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该第一导电条及该第二导电条都由金属构成。5.如权利要求1所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该第一垂直板与该第二垂直板互为电性绝缘。6.如权利要求1所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该第一垂直板电连接一节点A，该第二垂直板电连接一节点B，该集成电容于该节点B端与该半导体基底构成一寄生电容。7.如权利要求6所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该第一垂直板电连接一节点A，该第二垂直板电连接一节点B，该集成电容于该节点A端并无寄生电容产生。8.一种可具有极性的集成电容，包含有一半导体基底；第一垂直电容柱设于该半导体基底上，该第一垂直电容柱是由多个第一导电块上下经由多个第一插塞互相电连接所构成；第二垂直电容柱，其与该第一垂直电容柱平行设置于该半导体基底上，该第二垂直电容柱是由多个第二导电块上下经由多个第二插塞互相电连接所构成；以及一水平导电板，设于该第一垂直电容柱及该第二垂直电容柱之下，且介于该第一垂直电容柱及该第二垂直电容柱与该半导体基底之间；其中该第二垂直电容柱经由至少一第三插塞与该导电板电连接。9.如权利要求8所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该水平导电板由金属所构成。10.如权利要求8所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该水平导电板与该第一垂直电容柱之间藉由一介电层形成电性绝缘。11.如权利要求8所述的可具有极性的集成电容，其特征在于，该第一导电块及该第二导电块都由金属构成。12.如权利要求8所述的可...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡曼君，郭晋安，林文忠，
申请(专利权)人：扬智科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。