电光装置及其制造方法和电子装置制造方法及图纸

一种电光装置，其特征在于：具有 象素电极，与薄膜晶体管对应设置； 蓄积电容，与该象素电极连接； 第１蓄积电容电极，形成于上述薄膜晶体管的半导体层的漏区域侧； 第２蓄积电容电极，与上述薄膜晶体管的栅极在同一层上形成、与上述第１蓄积电容电极相对； 遮光性导电膜，为上述第２蓄积电容电极之上层，与上述半导体层的漏区电连接；和 象素电极，为上述遮光性的导电膜之上层，与上述遮光性的导电膜电连接。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于有源矩阵驱动方式的电光装置及其制造方法的
，特别是属于为了附加蓄积电容而具备蓄积电容电极、且具备被称为阻挡层的导电层的电光装置及其制造方法的
，上述阻挡层用来使像素电极与像素开关用的薄膜晶体管(以下，适当地称为TFT)之间的导电性的导通变得良好。
技术介绍
以往，在TFT驱动的有源矩阵驱动方式的电光装置中，在TFT阵列基板上设置了分别纵横地配置的多条扫描线、数据线以及与其各交点相对应的，多个TFT。在各TFT中，栅电极与扫描线连接，半导体层的源区与数据线连接，半导体层的漏区与像素电极连接。在此，特别是由于在使构成TFT和布线的各种层和该像素电极互相绝缘用的层间绝缘膜上设置了像素电极，故像素电极通过在层间绝缘膜上开出的接触孔与构成TFT的半导体层的漏区连接。而且，如果通过扫描线对TFT的栅电极供给扫描信号，则TFT处于导通状态，将通过数据线供给半导体层的源区的图像信号通过该TFT的源-漏间供给像素电极。这样的图像信号的供给只是在极短的时间内通过各TFT对每个像素电极来进行的。因此，为了在远比该处于导通状态的时间长的时间内保持通过在极短的时间内处于导通状态的TFT被供给的图像信号的电压，一般在各像素电极上与液晶电容并列地形成蓄积电容。另一方面，在这种电光装置中，由在TFT阵列基板上形成的半导体层来构成像素开关用TFT的源区、漏区和位于这两个区之间的沟道区。像素电极必须通过形成层叠结构的扫描线、电容线、数据线等的布线和互相导电性地绝缘这些布线用的多个层间绝缘膜与半导体层的漏区连接。在此，在从TFT阵列基板一侧来看具有在半导体层上设置栅电极的顶栅结构的正交错型或共平面型的多晶硅TFT等情况下，特别是由于层叠结构中的从半导体层到像素电极的层间距离例如约为1000nm或该值以上，故对导电性地连接两者用的接触孔进行开孔是困难的。更具体地说，由于随刻蚀进行得较深，刻蚀精度下降，存在穿透作为目标的半导体层进行开孔的可能性，故只通过干法刻蚀来开出这样的深的接触孔是极为困难的。因此，将湿法刻蚀组合到干法刻蚀中来进行，但由于湿法刻蚀的缘故，接触孔的直径变大，在有限的基板区域中对布线和电极进行必要的布局变得困难。因此，最近开发了下述的技术对于在扫描线上被形成的层间绝缘膜，在开出到达半导体层的源区的接触孔来导电性地连接数据线与源区时，开出到达半导体层的漏区的接触孔，预先在该层间绝缘膜上形成由与数据线为同一的层构成的被称为阻挡层的中继用的导电层，其后，对在数据线和该阻挡层上被形成的层间绝缘膜，开出从像素电极到达该阻挡层的接触孔。这样，如果构成为以由与数据线为同一的层构成的阻挡层为中继、从像素电极导电性地连接到漏区，则与开出从像素电极一下子到达半导体层的接触孔相比，接触孔的开孔工序等变得容易，也可减小各接触孔的直径。在这种电光装置中，显示图像的高品位化这样的的一般的要求是强烈的，为此，图像显示区域的高精细化或像素间距的微细化和提高像素开口率(即，提高各像素中透过显示光的像素开口区域与不透过显示光的非像素开口区域的比率)是极为重要的。但是，如果像素间距的微细化获得进展，则由于在电极尺寸、布线宽度、再者，接触孔的直径等方面因制造技术的缘故，存在本质上的微细化的极限，由于相对地说这些布线和电极等占有图像显示区域的比率提高，故存在像素开口率变低这样的问题。再者，如果像素间距的微细化以这种方式获得进展，则将必须在有限的基板的区域内制成的上述的蓄积电容作得足够大是困难的。在此，特别是按照上述的使用阻挡层的技术，由于阻挡层用导电膜来构成，该导电膜用与数据线为同一的Al(铝)构成，故起因于该阻挡层的位置和材料的缘故，缺乏对接触孔开孔时的自由度，此外，将该阻挡层用于例如使蓄积电容增大这样的中继功能以外的用途是极为困难的，特别是在已微细化的层叠结构内不能最大限度地利用各层来谋求装置结构的简化和制造工艺的高效率。再者，按照该技术，由于构成阻挡层的A1膜与构成像素电极的ITO(铟锡氧化物)接触，产生化学反应，腐蚀容易离子化的Al膜。因此，由于阻挡层与像素电极间的导电性的连接受到损害，故除了由Al膜构成的第1阻挡层外，有必要使用在与ITO膜之间能得到良好的导电性的连接的Ti(钛)膜等高熔点金属膜作为第2阻挡层，但也存在导致层结构及其制造工艺变得复杂的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的问题而进行的，其课题是提供这样一种电光装置及其制造方法，在该电光装置中，即使使像素间距实现微细化，也能使用比较简单的结构，能实现对像素电极与薄膜晶体管进行良好的中继的结构和使蓄积电容增大的结构，可实现高品位的图像显示。为了解决上述课题，本专利技术的第1电光装置在基板上具有多条扫描线和多条数据线；与上述扫描线和上述各数据线对应而设置的薄膜晶体管；与该薄膜晶体管对应而设置的像素电极；以及蓄积电容，具备第1层间绝缘膜，在上述扫描线和上述蓄积电容的一方电极的上方被形成；导电层，在该第1层间绝缘膜的上方被形成；以及第2层间绝缘膜，在该导电层的上方被形成，在上述第2层间绝缘膜上形成了上述数据线。按照本专利技术的第1电光装置，在基板上按下述顺序形成了扫描线和蓄积电容的一个电极；第1层间绝缘膜；导电层；第2层间绝缘膜；以及数据线。因而，可将作为扫描线与数据线之间的层而介入的导电层利用于各种用途。例如，首先，通过经第1接触孔导电性地连接导电层与半导体层，同时，经第2接触孔导电性地连接导电层与像素电极，可实现经由导电层导电性地连接半导体层与像素电极的结构。或者，通过将导电层的一部分作为经电介质膜与半导体层的一部分或蓄积电容的一个电极相对的另一蓄积电容电极，也可实现对像素电极提供蓄积电容的结构。或者，通过由遮光膜来形成导电层，也可实现利用导电层来规定像素的开口区域的至少一部分的结构。再者，也可实现由导电层来形成除了数据线、扫描线或用来构成蓄积电容的一个电极的电容线外的其它布线的结构或由导电层来形成数据线、扫描线和电容线的冗余布线的结构。按照本专利技术的第1电光装置的一种形态，在上述基板上还具备在上述数据线的上方被形成的第3层间绝缘膜，上述像素电极在上述第3层间绝缘膜上被形成、同时，通过在上述第2和第3层间绝缘膜上被形成的接触孔与上述导电层导电性地连接，上述导电层与上述半导体层导电性地连接。按照这样的结构，在数据线的上方，经第3层间绝缘膜形成了像素电极，像素电极经在第2和第3层间绝缘膜上被形成的接触孔与导电层导电性地连接，导电层与半导体层连接。因而，可得到经由导电层导电性地连接半导体层与像素电极的结构。为了解决上述课题，本专利技术的第2电光装置在基板上具备多条扫描线和多条数据线；与各上述扫描线和各上述数据线连接的薄膜晶体管；与该薄膜晶体管连接的像素电极；构成上述薄膜晶体管的源区、漏区和第1蓄积电容电极的半导体层；在该半导体层上形成的绝缘薄膜；在该绝缘薄膜上被形成、同时由上述扫描线的一部分构成的上述薄膜晶体管的栅电极；在上述绝缘薄膜上被形成的上述蓄积电容的第2蓄积电容电极；在上述扫描线和上述第2蓄积电容电极的上方被形成的第1层间绝缘膜；在该第1层间绝缘膜的上方被形成的导电层；以及在该导电层的上方被形成的第2层间绝缘膜，上述数据线在上述第2层间绝缘膜上被形成，同时，通过在上述绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电光装置，其特征在于具有象素电极，与薄膜晶体管对应设置；蓄积电容，与该象素电极连接；第1蓄积电容电极，形成于上述薄膜晶体管的半导体层的漏区域侧；第2蓄积电容电极，与上述薄膜晶体管的栅极在同一层上形成、与上述第1蓄积电容电极相对；遮光性导电膜，为上述第2蓄积电容电极之上层，与上述半导体层的漏区电连接；和象素电极，为上述遮光性的导电膜之上层，与上述遮光性的导电膜电连接。2.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述遮光性导电膜，在邻接的数据线之间，沿着扫描线的伸展方向而形成。3.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于具有下侧遮光膜，为上述薄膜晶体管的半导体层之下层，将上述半导体层覆盖、并且与上述遮光性导电膜重叠。4.一种电子机器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：村出正夫，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：