一种液晶显示装置用基板，其特征在于，具有： 基板，其和相对配置的对置基板一起夹着液晶； 第１及第２总线，其通过绝缘膜相互交叉地形成在所述基板上；和 象素电极，其被配置成通过电介质层覆盖所述第１或第２总线中至少一方，并与所述第１或第２总线之间形成寄生电容。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子设备的显示单元等使用的液晶显示装置及其所用的液晶显示装置用基板。
技术介绍
有源矩阵型液晶显示装置一般具有TFT基板，其在每个象素中形成有用作开关元件的薄膜晶体管(TFTThin Film Transistor)；和形成有滤色器(CFColor Filter)等的对置基板。TFT基板具有通过绝缘膜相互交叉的栅极总线和漏极总线。在两总线的交叉位置附近形成有TFT。在被配置成矩阵状的多个象素区域中分别形成象素电极。TFT基板使用分档器，例如通过分块曝光方式来形成图案。分块曝光方式为例如将形成TFT阵列等重复图案的显示区域分成多个曝光区域，使用同一掩模依次对每个曝光区域进行曝光。在两个曝光区域相邻的交界处，使各曝光区域的端部相互重合。但是，在分块曝光时如果每次闪光(shot)时产生错位(X-Y方向的错位或转动方向的错位)，会使得在交界处的每次闪光中的其中一方被曝光的区域增加。这样，将感光部分通过显影而溶解的正型抗蚀剂用作光致抗蚀剂时，形成于交界处的布线和电极等的宽度将变窄。反之，使用感光部分通过显影而残留的负型抗蚀剂时，形成于交界处的布线和电极等的宽度将变宽。图22表示以往的TFT基板的结构。图23是沿图22的X-X线切断后的TFT基板的截面图。如图22及图23所示，在TFT基板102的玻璃基板110上形成相互并列地向图22的左右方向延伸的多个栅极总线112。在栅极总线112上的整个基板面上形成绝缘膜130。并形成通过绝缘膜130与栅极总线112交叉，并相互并列地向图22的上下方向延伸的多个漏极总线114。在漏极总线114上形成保护膜132。在保护膜132上形成由透明感光性树脂等构成的涂层(平坦化膜)134。在涂层134上由栅极总线112和漏极总线114包围的区域形成象素电极116。形成象素电极116的区域成为象素区域。在栅极总线112和漏极总线114的交叉位置附近形成TFT120。TFT120的栅电极电连接栅极总线112。TFT120的漏电极121电连接漏极总线114。TFT120的源电极122通过接触孔124电连接象素电极116。在TFT基板102上横穿象素区域的多个存储电容总线118并列形成在栅极总线112上。在存储电容总线118上的每个象素区域形成存储电容电极(中间电极)119。存储电容电极119通过接触孔126电连接象素电极116。在漏极总线114和象素电极116之间产生规定的寄生电容，该象素电极116通过电介质层即保护膜132和涂层134形成在漏极总线114的两侧端部附近。同样，在漏极总线112和象素电极116之间产生规定的寄生电容，该象素电极116通过电介质层即绝缘膜130、保护膜132和涂层134形成在栅极总线112的两侧端部附近。图24A至图24C表示TFT基板102的其他区域的截面结构。图24A表示在漏极总线114和象素电极116之间产生相对错位(重合错位)的TFT基板102。如图24A所示，象素电极116相对漏极总线114偏向图的右侧。所以，和图23所示截面进行比较，右侧象素电极116端部和漏极总线114端部之间的距离变长，左侧象素电极116端部和漏极总线114端部之间的距离变短。图24B、图24C表示在象素电极116形成图案时，每次闪光时产生错位后的TFT基板102的交界处的截面结构。如图24B所示，象素电极116由于每次闪光的错位而形成图的左右方向宽度变宽的状态。因此，象素电极116端部和漏极总线114端部之间的距离变短。另外，如图24C所示，象素电极116由于每次闪光的错位而形成图的左右方向宽度变窄的状态。因此，象素电极116端部和漏极总线114端部之间的距离变长。这样，如果象素电极116和漏极总线114的距离不同，将使得产生于象素电极116和漏极总线114之间的寄生电容不同。在显示区域内，如果产生寄生电容不同于其他的区域，则该区域的显示特性将变得不同。例如，在左右方向相邻的两个曝光区域的交界处的寄生电容不同时，可目视到交界处形成在显示画面的上下方向延伸的直线状显示斑点。另外，如果每个曝光区域的寄生电容不同时，可目视到在每个曝光区域的显示特性不同的显示斑点。为了解决上述问题，有进一步加厚形成由感光性树脂构成的涂层134的膜厚的方法。图25是表示加厚形成涂层134膜厚的TFT基板102的结构的截面图。如图25所示，如果加厚形成涂层134的膜厚，象素电极116端部和漏电极114端部之间的距离变长，所产生的寄生电容变小。如果加厚形成涂层134的膜厚，使所产生的寄生电容小到可以被忽视的程度，则即使产生错位等时，也看不到上述的显示斑点。这种构成可以使象素电极116重叠形成在漏极总线114和栅极总线112上，所以能提高数值孔径(例如，参考专利文献1和2)。另外，也可以形成象素电极116使其覆盖漏极总线114、栅极总线112和TFT120(例如，参考专利文献3)。图26表示以往的MVA(Multi-domain Vertical A1ignment多区域垂直排列)模式液晶显示装置使用的液晶显示装置用基板的结构。如图26所示，TFT基板102具有线状突起140、141，该线状突起140、141用作限制负介电各向异性的液晶取向的取向限制用结构件。线状突起140在存储电容总线118和存储电容电极119上向图的左右方向延伸形成。线状突起141在象素区域的大约中央部位向图的上下方向延伸形成。线状突起140、141由抗蚀剂等形成。专利文献1特开平11-148078号公报(第4-6页、附图1)专利文献2特开平9-152625号公报(第8-10页、附图1)专利文献3特开平9-138423号公报(第2-4页、附图1) 树脂的介电常数一般为3～4，为了使所产生的寄生电容小到可以被忽视的程度，需要将涂层134的膜厚加厚形成为3～5μm左右。因此，将涂层134开口并形成接触孔时，所需要的曝光能量变大，曝光时间变长。所以，具有TFT基板102的制造工艺变复杂，降低生产率的问题。另外，产生形成图案时清晰度降低和发生显影残余等问题。另一方面，具有取向限制用结构件的液晶显示装置因形成于象素区域内的线状突起141而降低了数值孔径，所以产生液晶显示装置的显示亮度降低的问题。为了维持显示亮度需要提高背照光亮度，产生增加液晶显示装置的消耗电力的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可以简化制造工艺、能获得良好显示质量的液晶显示装置及其使用的液晶显示装置用基板。上述目的是通过下述液晶显示装置用基板实现的，该液晶显示装置用基板的特征是，具有基板，其和相对配置的对置基板一起夹持液晶；第1及第2总线，其通过绝缘膜相互交叉地形成在所述基板上；和象素电极，其被配置成通过电介质层覆盖所述第1或第2总线中的其中一方，并且与所述第1或第2总线之间形成寄生电容。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式的液晶显示装置的概略结构的图。图2是表示本专利技术的第1实施方式的液晶显示装置用基板的结构的图。图3A及图3B是表示本专利技术的第1实施方式的液晶显示装置用基板的结构的截面图。图4是表示本专利技术的第1实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的图。图5是表示本专利技术的第1实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的工序截面图。图6是表示本本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种液晶显示装置用基板，其特征在于，具有基板，其和相对配置的对置基板一起夹着液晶；第1及第2总线，其通过绝缘膜相互交叉地形成在所述基板上；和象素电极，其被配置成通过电介质层覆盖所述第1或第2总线中至少一方，并与所述第1或第2总线之间形成寄生电容。2.如权利要求1所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，还具有限制所述液晶取向的取向限制用结构件，沿垂直于基板面方向看时，所述取向限制用结构件配置在所述第1或第2总线其中一方上。3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，所述象素电极具有透明电极，其由透光性材料形成，使从所述基板里面侧入射的光透过到所述基板表面侧；和反射电极，其电连接所述透明电极，由光反射性材料形成，使从所述基板表面侧入射的光反射。4.如权利要求3所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，所述反射电极具有作为形成于所述每个象素区域的存储电容电极的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高木孝，星野淳之，泽崎学，佐口琢哉，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：
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