铜双镶嵌内连线的焊垫及其制造方法技术

一种铜双镶嵌内连线的焊垫及其制造方法，它包括具有一平坦表面的第一堆叠绝缘结构设置于基底上；多数第一铜插塞是镶嵌于第一堆叠绝缘结构中；第一层至第ｎ－１层的铜导线层是镶嵌于第一堆叠绝缘结构中，每一铜导线层是通过第一铜插塞电性连接；第二绝缘层是设置于第一堆叠绝缘结构和ｎ－１层铜导线层上；多数第二铜插塞是镶嵌于第二绝缘层中，第二铜插塞是连接至第ｎ－１层铜导线层；第ｎ层ＡｌＣｕ导线层是设置于第一绝缘层和第二铜插塞上，且连接至第二铜插塞，第ｎ层ＡｌＣｕ导线层包括一焊垫和一内连线；保护层是设置于第ｎ层ＡｌＣｕ层和第二绝缘层上，保护层具有一开口暴露出该焊垫。具有降低制造成本和焊垫制程的复杂度的功效。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种与顶层内连线同时形成的铜双镶嵌内连线的焊垫。
技术介绍
众所周知，铜内连线的导线制程和铜封装制程的技术存在一些问题，必须将铜内连线技术的问题解决，才能将电子产品快速地流通至消费者。使用目前的技术，则问题在于金线(godwire)(即焊接线)无法直接接触最上层的铜金属层，因为铜对金线焊接的可靠度非常差。此外，若含铜表面的导线焊垫暴露于环境中，则将无法使用，因为暴露出的铜表面易发生腐蚀。一种可避免铜对金线焊接的问题的制程，是使用铝做为最上层金属来与金线接触。其主要缺陷在于然而，使用铝金属层需要额外的光罩步骤和额外的微影蚀刻步骤，例如反应性离子蚀刻。此额外的步骤需要配合预清洗和光阻移除的步骤，而且还需要额外的制程材料、额外的时间和额外的花费。使用铝金属层做为铜和金线之间的接触的制程是，在形成最后的铜金属结构(即顶层内连线)后，于铜表面沉积双介电层，且于此双介电层上形成一层聚亚酰胺(poyimide)层的绝缘层。并且，于上述的双介电层和聚亚酰胺层中暴露出一部份的铜金属层。暴露出的铜金属层是提供做为金线接触用。然而暴露出的铜金属层并未直接与金线接触。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜双镶嵌内连线的焊垫，其特征是：它包括有基底；具有一平坦表面的第一堆叠绝缘结构设置于该基底上；多数第一铜插塞是镶嵌于该第一堆叠绝缘结构中；第一层至第ｎ－１层的铜导线层是镶嵌于该第一堆叠绝缘结构中，该第ｎ－１层铜导线层的表面和该第一堆叠绝缘结构的表面是共平面；其中该ｎ为大于３的整数，其中每一铜导线层是通过该第一铜插塞电性连接；第二绝缘层是设置于该第一堆叠绝缘结构和该第ｎ－１层铜导线层上；多数第二铜插塞是镶嵌于该第二绝缘层中，该第二铜插塞是连接至该第ｎ－１层铜导线层；第ｎ层ＡｌＣｕ导线层是设置于该第一绝缘层和第二铜插塞上，且连接至该第二铜插塞，该第ｎ层ＡｌＣｕ导线层包括一焊垫和一内连线；保护层...

【技术特征摘要】
1.一种铜双镶嵌内连线的焊垫，其特征是它包括有基底；具有一平坦表面的第一堆叠绝缘结构设置于该基底上；多数第一铜插塞是镶嵌于该第一堆叠绝缘结构中；第一层至第n-1层的铜导线层是镶嵌于该第一堆叠绝缘结构中，该第n-1层铜导线层的表面和该第一堆叠绝缘结构的表面是共平面；其中该n为大于3的整数，其中每一铜导线层是通过该第一铜插塞电性连接；第二绝缘层是设置于该第一堆叠绝缘结构和该第n-1层铜导线层上；多数第二铜插塞是镶嵌于该第二绝缘层中，该第二铜插塞是连接至该第n-1层铜导线层；第n层AlCu导线层是设置于该第一绝缘层和第二铜插塞上，且连接至该第二铜插塞，该第n层AlCu导线层包括一焊垫和一内连线；保护层是设置于该第n层AlCu层和该第二绝缘层上，该保护层具有一开口暴露出该焊垫。2.根据权利要求1所述的铜双镶嵌内连线的焊垫，其特征是该第一堆叠绝缘结构的材质为二氧化硅。3.根据权利要求1所述的铜双镶嵌内连线的焊垫，其特征是该第二绝缘层的材质为二氧化硅。4.根据权利要求1所述的铜双镶嵌内连线的焊垫，其特征是该保护层包括一氧化硅层和一氮化硅层。5.一种铜双镶嵌内连线的焊垫的制造方法，其特征是它包括如下步骤(1)提供一基底；(2)形成具有一平坦表面的第一堆叠绝缘结构于该基底上；(3)镶嵌多数第一铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世达，徐震球，颜聪富，王清帆，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]