填隙工艺制造技术

一种填隙工艺，包括：　　　　提供一衬底，于该衬底上形成有一介电层，且于该介电层中形成有一开口；　　　　于该介电层上与该开口形成一填隙材料层；　　　　去除部分该填隙材料层至露出该介电层表面；以及　　　　对该填隙材料层与该介电层表面进行一填隙材料处理工艺，以去除部分该介电层与该填隙材料层，并使该填隙材料层较平坦化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件(semiconductor device)工艺，且特别涉及一种填隙(gap-filling)工艺。
技术介绍
在半导体工艺中，填隙技术的应用十分广泛，凡是在半导体工艺所形成的开口中，以各种沉积方法将材料层填入开口的工艺，例如在浅槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)结构的槽中填入绝缘材料，在内层介电层结构(Inter-Layer Dielectric，ILD)的接触孔中填入导体层，在内金属介电层(Inter-Metal Dielectric，IMD)结构的通孔(介层窗)中填入导体层，或是在金属内连线的双重镶嵌(dual damascene)开口中填入导体层等，都可以视为填隙技术的应用。请参照图1A至图1D，图1A至图1D所示为在现有的一种通孔先定义双重镶嵌(Via First Dual Damascene，VFDD)结构的制造方法中，使用填隙技术以于通孔开口中形成填隙材料层的工艺流程剖面图。首先，请参照图1A，提供一衬底100。此衬底100具有一导线102。且于衬底100上依序形成有保护层104、介电层106、蚀刻终止层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种填隙工艺，包括提供一衬底，于该衬底上形成有一介电层，且于该介电层中形成有一开口；于该介电层上与该开口形成一填隙材料层；去除部分该填隙材料层至露出该介电层表面；以及对该填隙材料层与该介电层表面进行一填隙材料处理工艺，以去除部分该介电层与该填隙材料层，并使该填隙材料层较平坦化。2.如权利要求1所述的填隙工艺，其中该填隙材料处理工艺包括对该介电层与该填隙材料层进行一回蚀刻工艺。3.如权利要求1所述的填隙工艺，其中于进行该填隙材料处理工艺之后，还包括对该填隙材料层进行选自等离子体处理、紫外光固化与化学浸渍所组成的组中的一种，以于该填隙材料层表面形成一保护层。4.如权利要求1所述的填隙工艺，其中去除部分该填隙材料层的方法包括选自回蚀刻工艺与化学机械抛光工艺所组成的组中的一种。5.如权利要求1所述的填隙工艺，其中该填隙材料层包括选自I线光致抗蚀剂、深紫外光光致抗蚀剂与底层抗反射层所组成的组中的一种。6.如权利要求1所述的填隙工艺，其中形成该填隙材料层的方法包括旋涂法。7.如权利要求1所述的填隙工艺，其中在对该填隙材料层与该顶盖层表面进行该填隙材料处理工艺之后，还在该填隙材料层与该顶盖层上形成一底层抗反射层。8.如权利要求1所述的填隙工艺，其中该开口包括选自通孔开口、接触孔开口、槽、双重镶嵌开口所组成的组中的一种。9.一种填隙工...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁俊仁，陈瓀懿，潘鸿赐，李秋德，吴德源，林嘉祥，严永松，林嘉祺，曾盈崇，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：