【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术涉及双向光可控硅芯片。通常，作为一种与交流电一起使用的固体继电器(下文中简称为SSR)，有一种如图9所示的电路结构。这种SSR 8由下列元器件构成一光触发耦合器3，它由诸如一LED(发光二极管)之类的发光器件1和一用于触发的双向光可控硅2组成；一实际上用于控制负载的双向可控硅(下文有时也称之为主可控硅)4，以及由电阻5、电容6等构成的减震器电路。构成SSR8的光触发耦合器3的等效电路图示于附图说明图10。双向光可控硅2由CH(沟道)1的光可控硅9和CH2的光可控硅10构成。CH1的光可控硅9是通过将一PNP晶体管Q1的基极连至NPN晶体管Q2的集电集以及将该PNP晶体管Q1的集电极连至该NPN晶体管Q2的基极构成的。与此类似，CH2的光可控硅10是通过将PNP晶体管Q3的基极连至一NPN晶体管Q4的集电极以及将该PNP晶体管Q3的集电极连至该NPN晶体管Q4的基极构成的。此外，在CH1侧，PNP晶体管Q1的发射极直接连至电极T1，而另一方面，NPN晶体管Q2的发射极和基极则分别直接和通过一栅极电阻11连至电极T2。与此类似，在CH2一侧，PNP晶体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有一对光可控硅部分的半导体芯片的双向光可控硅芯片，它包括具有第二导电类型的第一扩散区、与所述第一扩散区面对面形成并具有第二导电类型的第二扩散区，以及在所述第二扩散区内与所述第一扩散区面对面形成并且在所述第一导电类型衬底面上具有第一导电类型的第三扩散区，其特征在于，所述双向光可控硅芯片包含形成在构成光可控硅部分的第二扩散区与所述衬底之间的肖特基势垒二极管。2.如权利要求1所述的双向光可控硅芯片，其特征在于，所述肖特基势垒二极管与所述第三扩散区相对设置，且其长度大致与所述第三扩散区的长度相等，并具有预定的宽度。3.如权利要求2所述的双向光可控硅芯片，其特征在于，所述肖特基势垒二极管的面积是通过改变该肖特基势垒二极管的宽度来改变的；以及通过改变所述肖特基势垒二极管的面积，可以设置所述肖特基势垒二极管的前向电压。4.如权利要求3所述的双向光可控硅芯片，其特征在于，设置所述肖特基势垒二极管的宽度，使得所述肖特基势垒二极管的前向电压为20mV或低于所述光可控硅部分的第二扩散区与所述衬底之间的前向电压。5.如权利要求3所述的双向光可控硅芯片，其特征在于，...
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