一种等离激元光学增强芯片系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种等离激元光学增强芯片系统，该系统包括纳米孔芯片、集成光学芯片及图像传感器芯片，纳米孔芯片中设有至少一反应单元，反应单元包括在水平方向上间隔设置的激发光耦合光栅及微腔，微腔底面设有纳米开口；集成光学芯片包括至少一光学单元，用于将激发光照射于激发光耦合光栅上，收集纳米开口处被激发的光学信号，并将收集的光学信号进行处理后输出；图像传感器芯片包括至少一光电转换单元，用于接收集成光学芯片输出的光学信号并转换为电信号。本实用新型专利技术利用等离激元增强电场的放大作用，对微腔纳米开口处的分子进行高效激发，具有超高灵敏检测能力，可实现最低单个分子的超高灵敏的光学检测，可应用于单分子检测和DNA/RNA测序领域。子检测和DNA/RNA测序领域。子检测和DNA/RNA测序领域。

【技术实现步骤摘要】
一种等离激元光学增强芯片系统


[0001]本技术属于生物芯片
，涉及一种等离激元光学增强芯片系统。

技术介绍

[0002]生物芯片用途广泛，在生命科学研究及实践、医学科研及临床、药物设计、环境保护、农业、军事等各个领域有着广泛的用武之地，有着广泛的经济、社会及科研前景。如何提高生物芯片的检测灵敏度，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种等离激元光学增强芯片系统，用于解决现有技术中生物芯片检测灵敏度较低的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种等离激元光学增强芯片系统，包括：
[0005]纳米孔芯片，包括纳米孔芯片本体及金属膜，所述纳米孔芯片本体中设有至少一反应单元，所述反应单元包括在水平方向上间隔设置的激发光耦合光栅及微腔，所述微腔自所述纳米孔芯片本体的顶面开口，并延伸至所述纳米孔芯片本体的底面形成纳米开口，所述金属膜位于所述纳米孔芯片本体上表面并覆盖所述激发光耦合光栅的表面及所述微腔的表面；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离激元光学增强芯片系统，其特征在于，包括：纳米孔芯片，包括纳米孔芯片本体及金属膜，所述纳米孔芯片本体中设有至少一反应单元，所述反应单元包括在水平方向上间隔设置的激发光耦合光栅及微腔，所述微腔自所述纳米孔芯片本体的顶面开口，并延伸至所述纳米孔芯片本体的底面形成纳米开口，所述金属膜位于所述纳米孔芯片本体上表面并覆盖所述激发光耦合光栅的表面及所述微腔的表面；集成光学芯片，位于所述纳米孔芯片上方，所述集成光学芯片包括至少一光学单元，用于将激发光照射于所述激发光耦合光栅上，收集所述纳米开口处被激发的光学信号，并将收集的光学信号进行处理后输出；图像传感器芯片，位于所述集成光学芯片上方，所述图像传感器芯片包括至少一光电转换单元，用于接收所述集成光学芯片输出的光学信号并转换为电信号。2.根据权利要求1所述的等离激元光学增强芯片系统，其特征在于：所述激发光耦合光栅包括布拉格反射镜。3.根据权利要求1所述的等离激元光学增强芯片系统，其特征在于：所述反应单元还包括与所述微腔间隔设置的反射结构，且所述微腔位于所述激发光耦合光栅与所述反射结构之间。4.根据权利要求3所述的等离激元光学增强芯片系统，其特征在于：所述反射结构包括布拉格反射镜。5.根据权利要求1所述的等离激元光学增强芯片系统，其特征在于：所述微腔的开口面积自上而下逐渐缩小。6.根据权利要求1所述的等离激元光学增强芯片系统，其特征在于：所述纳米开口的形状包括长方形、正方形及圆形中的一种。7.根据权利要求1所述的等离激元光学增强芯片系统，其特征在于：所述光学单元包括单模波导、聚焦光栅耦合器、收集光栅耦合器、平面波导、多模波导及静态干涉仪，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：上海近观科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：