半导体封装方法及半导体封装结构技术

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。所述半导体封装方法包括：形成包封结构，所述包封结构包括包封层及芯片，所述芯片的正面设有多个焊垫，所述包封层至少覆盖所述芯片的侧面；在所述包封结构靠近所述芯片正面的一侧形成再布线层，所述再布线层将所述芯片的焊垫引出；形成介电层，所述介电层覆盖所述再布线层，且所述介电层上设有暴露所述再布线层的通孔；在所述介电层背离所述芯片的一侧形成引脚层，所述引脚层通过所述通孔与所述再布线层电连接。布线层电连接。布线层电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法及半导体封装结构


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

技术介绍

[0002]常见的半导体封装技术，比如芯片封装技术主要包含下述工艺过程：对于芯片正面进行工艺处理过程而言，首先将芯片的正面贴装在载板上，进行热压塑封，将载板剥离，然后在芯片的正面形成再布线层及位于再布线层背离芯片一侧的引脚层，之后形成绝缘层，绝缘层覆盖再布线层，且引脚层背离芯片的表面露出绝缘层。
[0003]现有的芯片封装技术，由于引脚层形成在再布线层背离芯片的一侧，再布线层的面积大于引脚层的面积，因此一般再布线层的面积较大，再布线层与邻接的绝缘层接触面积较大。由于再布线层与绝缘层的热膨胀系数差别较大，在制备或芯片工作过程中再布线层的温度升高会使得再布线层与绝缘层的应力差较大，可能会使得再布线层与绝缘层发生分层或再布线层发生翘曲，影响产品的正常工作。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构。
[0005]根据本申请实施例的第一方面，提供了一种半导体封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：形成包封结构，所述包封结构包括包封层及芯片，所述芯片的正面设有多个焊垫，所述包封层至少覆盖所述芯片的侧面；在所述包封结构靠近所述芯片正面的一侧形成再布线层，所述再布线层将所述芯片的焊垫引出；形成介电层，所述介电层覆盖所述再布线层，且所述介电层上设有暴露所述再布线层的通孔；在所述介电层背离所述芯片的一侧形成引脚层，所述引脚层通过所述通孔与所述再布线层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述引脚层包括多个间隔排布的导电凸柱，所述导电凸柱凸出于所述介电层；所述在所述介电层背离所述芯片的一侧形成引脚层之后，所述半导体封装方法还包括：形成焊料层，所述焊料层包覆所述导电凸柱凸出于所述介电层的表面。3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述引脚层包括多个间隔排布的导电凸柱，所述导电凸柱凸出于所述介电层；所述通孔内设有导电部，所述引脚层通过所述导电部与所述再布线层电连接，所述导电部与所述通孔对应的位置处形成凹陷；所述在所述介电层背离所述芯片的一侧形成引脚层之后，所述半导体封装方法还包括：形成焊料层，所述焊料层包覆所述导电凸柱凸出于所述介电层的表面，且所述焊料层填充所述凹陷。4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述通孔的宽度与深度的比值大于或等于1/3。5.根据权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述通孔的深度范围为60μm～100μm；所述导电部位于所述通孔底壁的部分的厚度范围为10μm～50μm。6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述引脚层的厚度大于30μm。7.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括：在所述介电层背离所述芯片的一侧形成散热层；所述在所述介电层背离所述芯片的一侧形成散热层之后，所述半导体封装方法还包括：形成焊料层，所述焊料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍炎，涂旭峰，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：