一种制造半导体器件的方法技术

本公开提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：先提供半导体基底，再在半导体基底上形成待处理层；本公开在待处理层上形成光刻胶叠层，并通过双大马士革镶嵌工艺形成光刻胶图形；最后再将光刻胶图形上的图案转移到待处理层上。本公开一些实施例能够通过PPE(光刻

【技术实现步骤摘要】
一种制造半导体器件的方法


[0001]本公开涉及半导体器件加工
，更为具体来说，本公开为一种制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]重布线层(Redistribution Layer，RDL)往往是在焊垫区域顶层铜金属上面的一层铝，许多设计中将重布线层用来作为走线。现有重布线层工艺一般通过双大马士革镶嵌(Dual Damascene)工艺实现。进行的顺序一般包括：需要进行反复两次以上的光刻工艺和刻蚀工艺，才能完成最终的通孔沟槽结构，所以传统的加工工艺必须要经过多次反复地刻蚀步骤才能够实现双大马士革镶嵌(Dual Damascene)工艺，从半导体器件量产的角度来说，传统工艺步骤复杂，产出(Through put)越高的情况下设备投资费用也越高，故亟需对传统工艺进行改进。

技术实现思路

[0003]为了解决传统工艺中多次反复地刻蚀导致的工艺步骤复杂、成本高等问题，本公开提供了一种制造半导体器件的方法，可以通过两次光刻工艺和一次刻蚀工艺完成双大马士革镶嵌工艺。
[0004]根据本公开的一个或多个实施例，本公开提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成待处理层；在所述待处理层上形成光刻胶叠层，并通过双大马士革镶嵌工艺形成光刻胶图形；将所述光刻胶图形上的图案转移到所述待处理层上。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述待处理层包括器件层和至少一层金属布线层；将所述光刻胶图形上的图案转移到所述金属布线层上。3.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述待处理层上形成光刻胶叠层的步骤包括：在待处理层上依次形成第一光刻胶层、中间层及第二光刻胶层；依次对所述第二光刻胶层和所述中间层进行处理，以在所述第二光刻胶层上形成第二光刻图案、在中间层上形成中间图案；对所述第一光刻胶层进行处理，以在所述第一光刻胶层上形成第一光刻图案。4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在待处理层上依次形成第一光刻胶层、中间层及第二光刻胶层的步骤包括：在所述待处理层表面涂布KrF光刻胶，以形成所述第一光刻胶层；在所述KrF光刻胶表面沉积聚乙烯醇层，以形成所述中间层；在所述聚乙烯醇层表面涂布i线光刻胶，以形成所述第二光刻胶层。5.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，对所述第二光刻胶层和所述中间层进行处理的步骤包括：在所述第二光刻胶层上方设置第二掩模板，且所述第二掩模板上具有第二光刻图案；以所述第二掩模板作为光刻掩模对所述第二光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：南兑浩，李大烨，贺晓彬，刘金彪，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：