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本公开提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：先提供半导体基底，再在半导体基底上形成待处理层；本公开在待处理层上形成光刻胶叠层，并通过双大马士革镶嵌工艺形成光刻胶图形；最后再将光刻胶图形上的图案转移到待处理层上。本公开一些实施例...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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