【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构和其制造方法
[0001]本公开涉及一种接合结构。具体地，接合结构具有不同的电介质。
技术介绍
[0002]总体上，晶种层用于增加金属层与介电层之间的粘附力。关于用于半导体封装的混 合接合技术，当前技术采用化学机械抛光(CMP)操作以去除导电衬垫的一部分(包含金属 层和形成金属层的内衬的晶种层)和围绕导电衬垫的介电层的一部分。
[0003]由于晶种层的蚀刻选择性不同于金属层的蚀刻选择性，因此可能过多去除金属层的 外围，从而在金属层的外围处产生具有从约5nm到10nm的凹部的腐蚀缺陷。可替代 地，在CMP操作之后，从横截面角度来看，导电衬垫的金属部分将具有凸上表面。因 此，当一个平坦化的导电衬垫与对应导电衬垫接合时，此类凸上表面会减小其间的有效 接合面积。此类现象对电连接是不利的，例如，接合强度可能受到损害，并且增加电阻。
技术实现思路
[0004]在一些实施例中，根据本公开的一方面，公开了一种用于制造接合结构的方法。所 述方法包含：提供具有晶种层的衬底；在所述晶种层上形成导电图案；在所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制造接合结构的方法，所述方法包括：提供具有晶种层的衬底；在所述晶种层上形成导电图案；在所述衬底和所述导电图案上形成介电层；以及去除所述介电层的一部分以暴露所述导电图案的上表面，而不消耗所述晶种层。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述介电层进一步包括：将第一介电层共形地形成到所述衬底和所述导电图案；以及在所述第一介电层上形成第二介电层。3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一介电层包括执行化学气相沉积操作，并且形成所述第二介电层包括执行旋涂操作。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一介电层包括氧化硅，并且所述第二介电层包括旋涂电介质。5.根据权利要求3所述的方法，其中接口位于所述第一介电层与所述第二介电层之间。6.根据权利要求3所述的方法，其中去除所述介电层的所述部分进一步包括执行表面处理以暴露所述导电图案的所述上表面。7.根据权利要求6所述的方法，其中执行所述表面处理以暴露所述导电图案的所述上表面在所述第一介电层中形成凹部。8.根据权利要求6所述的方法，其中执行所述表面处理包括利用对所述第一介电层的选择性比对所述第二介电层的选择性高的蚀刻化学物质。9.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在执行所述表面处理之前用于对所述介电层进行烘烤的固化操作。10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括在执行所述表面处理之后的接合操作，其中所述接合操作的接合温度大于所述固化操作的固化温度。11.一种接合结构，其包括：衬底；晶种层，所述晶种层安置在所述衬底上；第一导电图案，所述第一导电图案安置在所述晶种层上；以及介电层，所述介电层围绕所述第一导电图案，其中所述介电层与所述晶种层的侧面和所述第一导电图案的侧面接触。12.根据权利要求11所述的接合结构，其中所述介电层包含第一介电层和围绕所述第一介电层的第二介电层，并且其中所述第一介...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄劭萱，张皇贤，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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