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本公开的至少一些实施例涉及一种用于制造接合结构的方法。所述方法包含:提供具有晶种层的衬底;在所述晶种层上形成导电图案;在所述衬底和所述导电图案上形成介电层;以及去除所述介电层的一部分以暴露所述导电图案的上表面,而不消耗所述晶种层。而不消耗所...该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。
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本公开的至少一些实施例涉及一种用于制造接合结构的方法。所述方法包含:提供具有晶种层的衬底;在所述晶种层上形成导电图案;在所述衬底和所述导电图案上形成介电层;以及去除所述介电层的一部分以暴露所述导电图案的上表面,而不消耗所述晶种层。而不消耗所...