【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及尤其可用于抛光或者平整表面的浆料组合物。本专利技术尤其可用于抛光或者平整在集成电路器件中用作互连线的铜，该集成电路器件例如是包含铜大马士革(damascene)和双大马士革部件的半导体晶片。本专利技术还涉及采用本专利技术的组合物的抛光工艺。
技术介绍
在半导体工业中，在集成电路的制造过程中，对一般没有擦伤的表面进行抛光，以便平整所涉及的结构和/或除去不想要的材料。所包含的抛光是化学机械抛光(CMP)。例如，平整如铝、铜和钨等的金属。此外，在铝、铜或钨的下面一般具有难熔金属衬垫，以提供与下面的绝缘体之间的良好粘附力和与低层金属化(moralization)的良好的接触电阻。该衬垫可以是单独的铌、钽、和钛，或者与它们的氮化物或任何其它难熔金属的组合。近来已经开发铜和铜的合金作为芯片互连/布线材料，尤其用于VLSI和ULSI半导体芯片。与铝及其合金相比，使用铜和铜合金提高了器件的性能。在半导体器件的制造中，布线结构的金属互连材料例如铜或其合金一般开始为介质层上的均厚电沉积膜(blanketelectrodeposited film)，该介质层具有蚀刻到...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种浆料组合物，包括研磨剂粒子、氧化剂、表面活性剂、氯离子源和硫酸根离子源。2.权利要求1的浆料组合物，其中包括大约0.5至大约6％重量百分比的研磨剂粒子、大约1至50g/l的氧化剂、大约0.1至大约100ml/l的表面活性剂；大约0.001至大约20g/l的氯离子源和大约0.001至大约20g/l的硫酸根离子源。3.权利要求1的浆料组合物，其中还包括腐蚀抑制剂。4.权利要求3的浆料组合物，其中腐蚀抑制剂的量为大约0.1至大约5克/升。5.权利要求4的浆料组合物，其中腐蚀抑制剂选自咪唑、三唑和取代三唑。6.权利要求4的浆料组合物，其中腐蚀抑制剂包括苯并三唑。7.权利要求1的浆料组合物，其中氯离子源包括氯化钠。8.权利要求1的浆料组合物，其中氯离子源的量为大约0.001至大约5克/升。9.权利要求1的浆料组合物，其中氯离子源的量为大约0.05至大约0.1克/升。10.权利要求1的浆料组合物，其中硫酸根离子源的量为大约1至大约3克/升。11.权利要求1的浆料组合物，其中硫酸根离子源包括硫酸钠。12.权利要求1的浆料组合物，其中氧化剂包括硝酸铁。13.权利要求1的浆料组合物，其中研磨剂粒子包括氧化铝。14.权利要求1的浆料组合物，其中表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·T·布雷格汉姆，D·F·加纳帕利，M·A·科布，W·库特，K·M·戴维斯，S·A·艾丝泰斯，E·J·乔丹，J·W·汉纳，M·克里什南，M·F·洛夫罗，M·J·麦克唐纳德，D·A·谢弗，G·J·斯卢舍，J·A·托纳罗，E·J·怀特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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