【技术实现步骤摘要】
一种多晶元减薄工艺处理系统
[0001]本技术涉及晶元生产
,尤其涉及一种多晶元减薄工艺处理系统。
技术介绍
[0002]单晶硅片是由纯度极高的单晶硅制成,是一种具有基本完整的点阵结构的晶体,单晶硅圆片也成为晶元,是生产集成电路所用的载体,在集成电路的生产过程中起着至关重要的作用。在晶元硅片的使用过程中,有时需要对晶元表面进行减薄处理。然而,现有市场上的晶元减薄机只能加工单一尺寸的晶元,浪费资源增加了运营的成本,为此我们提出一种多晶元减薄工艺处理系统来解决以上问题。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在现有市场上的晶元减薄机只能加工单一尺寸的晶元,浪费资源增加了运营的成本的缺点,而提出的一种多晶元减薄工艺处理系统。
[0004]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
[0005]设计一种多晶元减薄工艺处理系统,包括机架、多轴研磨机器人和研磨工位,所述机架内固定有调节电机,所述调节电机的输出端固定有调节环,所述研磨工位包括第一工件座、第二工件座和第三工件座,所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶元减薄工艺处理系统,包括机架(1)、多轴研磨机器人(5)和研磨工位(2),其特征在于,所述机架(1)内固定有调节电机(8),所述调节电机(8)的输出端固定有调节环(9),所述研磨工位(2)包括第一工件座(21)、第二工件座(22)和第三工件座(23),所述第一工件座(21)、第二工件座(22)和第三工件座(23)自内而外依次套接设置,所述第一工件座(21)、第二工件座(22)和第三工件座(23)的外壁均设有限位环(201),所述机架(1)、第二工件座(22)和第三工件座(23)的内壁均设有与限位环(201)相匹配的限位槽(202),所述第一工件座(21)、第二工件座(22)和第三工件座(23)的底部分别通过滑轨(203)转动连接设有与其相匹配的第一调节座(211)、第二调节座(221)和第三调节座(231),所述第一调节座(211)、第二调节座(221)和第三调节座(231)自内而外依次套接设置,所述第一调节座(211)、第二调节座(221)和第三调节座(231)的底部设有调节槽(204),所述调节槽(204)为弧形槽结构,所述调节槽(204)与调节环(9)同轴设置,所述调节环(9)顶部设有对接凹槽(91),所述第一工件座(21)、第二工件座(22)的外壁设有外花键(206),所述第二工件座(22)、...
【专利技术属性】
技术研发人员:耿林茹,高伦,
申请(专利权)人:河北光森电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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