形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法技术

一种形成动态准中性束（ｄｙｎａｍｉｃ　ｑｕａｓｉ－ｎｅｕｔｒａｌ　ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｂｅａｍ）方式减少电子激发能损的方法，其是当一粒子束施加于一目标物的一选定作用区域时，外加一辅助辐射束于该作用区域，且该辅助辐射束近乎平行于粒子束。由于该外加辅助辐射束在作用区内加速传导电子（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ）或产生新的近同方向行进的传导电子，使得带电粒子束变成动态准中性粒子束，因而大幅减少粒子束与目标物作用间的电子激发能损。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种形成动态准中性束方式减少电子激发能损的方法，当带电粒子束被应用于各种目标物的物质需达到许多加工、生产及分析目的时，减少目标物上粒子束在作用区域内的电子激发能损。
技术介绍
带电粒子束一直被用在各种物质上以达到许多加工及分析的目的。例如，以离子布植机将杂质射入半导体基底是硅晶圆上制造超大规模集成电路的制造厂中每日的例行工作。新应用为穿透性的粒子(例如质子)被用来产生穿透硅晶圆的局部缺陷，以作为分隔混合信号(数字信号与模拟信)的阻绝架构，以及在单芯片上实现具高Q值(品质因子(quality factors))的电感(请参阅US Patent6,046,109 to Liao，Chungpin et al.(2000))。近日的研究中，粒子束甚至被视为微细的雕刻工具，在如氮化硅(Si3N4)的材料上挖出纳米级(或分子大小)的孔洞，以利于日后各种电子、化学及生物相关应用的目的。此外，以粒子束轰击核种以制备放射性化学品与核医药物也是一个重要的离子束应用，他们一般用于检测与治疗。然而，上述各种应用都受到物理上的共同限制，即由于粒子束与物质的交互作用，在给定的条件下，粒子束在目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法，其特征在于：包括有一目标物（１０）；一施加于该目标物（１０）上的作用区域（１１）的粒子束（２０）；一外加辅助辐射束（３０）于该作用区域（１１） ，且该辐助辐射束近乎平行于粒子束（２０）。

【技术特征摘要】
1.一种形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法，其特征在于包括有一目标物(10)；一施加于该目标物(10)上的作用区域(11)的粒子束(20)；一外加辅助辐射束(30)于该作用区域(11)，且该辐助辐射束近乎平行于粒子束(20)。2.根据权利要求1的形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法，其特征在于，该目标物(10)是为固体，包含硅(Si)、锗(Ge)、硅化锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铟镓铝(AlInGaN)、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、硅玻璃、铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)、碳(C)、聚合物、核医药物材料、放射性同位素标帜化合物及核医药物。3.根据权利要求1的形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法，其特征在于，该目标物(10)是为软性物质的生物结构、无机与有机化合物。4.根据权利要求1的形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法，其特征在于，该粒子束(20)是包含氢、氘、氦、氩、氮、碳、氧、硅、砷、磷、硼原子元素，以及一般化合物与分子。5.根据权利要求1的形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖重宾，
申请(专利权)人：奥博先进科技整合有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]