多层器件及其制作方法技术

一种制作多层器件的方法。该方法首先提供衬底，衬底包含用于支持电元件的支持区，然后在衬底的表面上形成导电键合层。键合层环绕用于支持元件的区域。该方法中的下一步骤是提供与键合层接触的封闭层，以使元件封闭在衬底和封闭层之间。最后一步包括将封闭层键合到键合层上以形成密封元件的密封腔。此外，提供了多层器件。器件包含衬底、至少一个位于衬底上的电元件、导电键合层以及封闭层。键合层形成在衬底上，环绕电元件，封闭层键合到键合层上以形成封闭其中元件的密封腔。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片尺寸封装
尤其涉及适用于单片集成系统的封装解决方案。单片集成系统可以是无源微结构、微传感器、微传动器、用于为系统的互连衬底和/或包括在同一晶片上实现的专用互补型金属氧化物半导体(CMOS)或BiCMOS接口电路的完整微系统。
技术介绍
微电机系统(MEMS)——传感器和传动器——变得日益重要。像硅压力传感器、硅加速计和硅流量传感器这样的传感器是重要工业产品的元件。在传动器领域，现在可以买到由单晶硅制成的墨喷嘴、燃料喷嘴和微动泵。更多的产品现在正处于研究当中，并正在被介绍给大家，包括在同一硅芯片上具有传感器、传动器和电子元件的完整微系统。在M.Madou著述的“微制造基础(Fundamentals of Microfabrication)”，CRC Press，1997中给出了在硅中微加工三维结构的方法的综述。为了以低成本制作像传感器和传动器这样的微系统，需要能够有效地封装这样的系统。现在技术上已知各种技术，但是它们中的许多缺少可靠性并在键合工艺过程中不能得到优质密封。实际上，现有技术的封装系统中合适的质量总是和更大的复杂性联系在一起，而后者反过来导致这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作多层器件的方法，该方法包含下列步骤：提供衬底，该衬底包含用于支持使用的电元件的支持区；在衬底表面上形成导电键合层，该键合环绕支持区；提供与键合层接触的封闭层，以将元件封闭在衬底和封闭层之间；以及将封闭 层键合到键合层上，以形成包围元件的密封腔。

【技术特征摘要】
EP 2003-3-18 03251626.21.一种制作多层器件的方法，该方法包含下列步骤提供衬底，该衬底包含用于支持使用的电元件的支持区；在衬底表面上形成导电键合层，该键合环绕支持区；提供与键合层接触的封闭层，以将元件封闭在衬底和封闭层之间；以及将封闭层键合到键合层上，以形成包围元件的密封腔。2.根据权利要求1的方法，其中封闭层被阳极键合到键合层上以形成密封腔。3.根据权利要求1或2的方法，其中衬底包含将元件与外部接触焊垫连接起来的电导体，该电导体与用于承接键合层的表面隔绝。4.根据权利要求3的方法，其中导体由至少一层与导电栓耦合的导电层形成。5.根据权利要求4的方法，其中导电层被电介质层环绕。6.根据任何前述权利要求的方法，其中元件为CMOS或BiCMOS电路。7.根据权利要求1至5的方法，其中元件为微传感器和/或微传动器。8.根据任何前述权利要求的方法，进一步包含通过在玻璃晶片上布置导电屏蔽层并将其与衬底相连从而保护器件不受阳极键合过程中产生的电场的影响的步骤。9.根据任何前述权利要求的方法，其中第二封闭层与衬底的第二表面键合以形成第二密封腔。10.根据任何前述权利要求的方法，其中在同一衬底上同...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫里克贾克布森，
申请(专利权)人：森松诺尔公司，
类型：发明
国别省市：NO[挪威]