陶瓷元件的制造方法及其制造系统技术方案

本发明专利技术提供可利用通孔在陶瓷层的一端面与另一端面之间形成可靠电连接的陶瓷元件的制造方法和制造系统。它通过（一）在底膜（３２）的上面形成印刷电路基板（３４）后、在该基板（３４）上形成通孔之前，在加热炉（３６）内对底膜（３２）和基板（３４）进行加热使其热收缩；（二）对含钛酸锆酸铅的基板（３４）照射激光Ｌ，形成通孔；（三）在基板（３４）上印刷导电膏，形成覆盖通孔一端的导电布图，然后使用加热炉（５１）以低于导电膏干燥温度的加热温度加热基板（３４）；（四）以位置基准孔（４５）为位置基准，形成通孔（１３），通过印刷同时形成覆盖通孔（１３）的一端面的基底布图（４７）和印刷标记４８，以此检测位置基准孔４５和印刷标记４８的位置关系，由此实现本发明专利技术的目的。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及层积型压电元件、层积型压电激励器、压电传感器等陶瓷元件的制造方法及其制造系统，具体而言，涉及由通孔使上述陶瓷层的一端面和另一端面之间形成电连接的陶瓷元件的制造方法和制造系统。
技术介绍
近年，作为陶瓷元件之一的层积型压电元件的技术开发正蓬勃发展。这种层积型压电元件揭示于如日本专利申请公开第2002-254634号公报中。该专利文献中所述的层积型压电元件是将由多个独立电极形成布图的压电体层与由共用电极形成布图的压电体层交替层积，利用导电部件经形成于压电体层上的通孔将整齐排列在层积型压电元件的厚度方向上的各独立电极连接而形成的。在这种层积型压电元件上，通过在预定的独立电极和共用电极之间施加电压，在压电体层中选择性地使与上述预定的独立电极相应的活性部分(因压电效果产生应变的部分)发生位移。
技术实现思路
在以如上所述的层积型压电元件为代表的陶瓷元件中，随着元件本身的小型化和形成于元件上的电极等的高度集成化，人们期望可利用通孔使陶瓷层的一端面与另一端面之间形成可靠电连接的技术。在此，本专利技术即是鉴于这种情况，以提供可利用通孔使陶瓷层的一端面与另一端面之间形成可靠电连接的陶瓷元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用形成在陶瓷层上的通孔使所述陶瓷层的一端面和另一端面之间形成电连接的陶瓷元件的制造方法，其特征在于，具有：在保持部件表面形成作为所述陶瓷层的陶瓷材料层的工序；　使所述保持部件和所述陶瓷材料层进行热收缩的工序；和 在已热收缩的所述陶瓷材料层上形成通孔的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-24 2003-080933;JP 2003-3-24 2003-081195;1.一种利用形成在陶瓷层上的通孔使所述陶瓷层的一端面和另一端面之间形成电连接的陶瓷元件的制造方法，其特征在于，具有在保持部件表面形成作为所述陶瓷层的陶瓷材料层的工序；使所述保持部件和所述陶瓷材料层进行热收缩的工序；和在已热收缩的所述陶瓷材料层上形成通孔的工序。2.如权利要求1所述的陶瓷元件的制造方法，其特征在于，具有在形成所述通孔后，在所述陶瓷材料层上印刷膏状导电材料的工序；和在预定温度下干燥印刷在所述陶瓷材料层上的导电材料的工序，在所述热收缩工序中，以高于所述干燥温度的温度使所述保持部件和所述陶瓷材料层实现热收缩。3.一种利用形成在陶瓷层上的通孔使所述陶瓷层的一端面和另一端面之间形成电连接的陶瓷元件的制造方法，其特征在于，具有利用YAG激光器的2次谐波或3次谐波的激光照射含有含铅化合物并形成所述陶瓷层的陶瓷材料，而在所述陶瓷材料上形成通孔的工序。4.如权利要求3中所述的陶瓷元件的制造方法，其特征在于，所述化合物为钛酸锆酸铅。5.如权利要求3或4中所述的陶瓷元件的制造方法，其特征在于，使所述激光发生脉冲振荡。6.如权利要求5所述的陶瓷元件的制造方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木诚志，东海林慎也，立本一志，工藤南，本间光尚，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]