一种用于碳化硅晶体的退火载具制造技术

本申请公开了一种用于碳化硅晶体的退火载具，属于半导体材料制备技术领域。该用于碳化硅晶体的退火载具，包括：第一罩盖，所述第一罩盖包括第一盖板；第二罩盖，所述第二罩盖包括第二盖板，所述第二盖板设置在所述第一盖板的下方，所述第一盖板和第二盖板的边缘通过支撑柱连接，所述第一盖板和第二盖板之间用于放置待退火处理的碳化硅晶体。使用该退火载具对待退火处理的碳化硅晶体进行退火处理，能够减少碳化硅晶体两侧与中间区域的应力差，改善碳化硅晶体的面型质量，避免晶体出现开裂。避免晶体出现开裂。避免晶体出现开裂。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅晶体的退火载具


[0001]本申请涉及一种用于碳化硅晶体的退火载具，属于半导体材料制备


技术介绍

[0002]目前碳化硅晶体的制备中，多使用物理气相传输法(PVT法)，将碳化硅原料装载于坩埚中，籽晶粘附在坩埚盖处，对坩埚进行加热，坩埚中的原料受热升华产生原料气，并在轴向温度梯度的驱使下向籽晶方向传输，由于籽晶处的温度较低，该原料气在籽晶处结晶，进行晶体的生长。
[0003]原料气不断在籽晶上进行长晶，导致晶体在生长过程中存在一定的应力，在理论模拟中通过sigma_Mises综合应力进行提现，发现生长出来的晶体应力呈现从籽晶面到生长面应力先减小再增大的趋势，即生长出来的晶体产品两侧应力大，中间区域应力小。晶体产品中存在应力，导致碳化硅晶体的面型质量下降，并且在后续的加工生产中容易出现开裂的现象，需要对晶体进行退火才能使用。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本申请提出了一种用于碳化硅晶体的退火载具，通过第一盖板和第二盖板覆盖碳化硅晶体的上下表面，使得碳化硅晶体的上下表面比中间区域温度高，从而减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅晶体的退火载具，其特征在于，包括：第一罩盖，所述第一罩盖包括第一盖板；第二罩盖，所述第二罩盖包括第二盖板，所述第二盖板设置在所述第一盖板的下方，所述第一盖板和第二盖板的边缘通过支撑柱连接，所述第一盖板和第二盖板之间用于放置待退火处理的碳化硅晶体。2.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶体的退火载具，其特征在于，所述第一盖板四周设置有外向倾斜设置的第一边沿，所述第二盖板四周设置有外向倾斜设置的第二边沿，所述碳化硅晶体的上表面位于第一边沿内部，碳化硅晶体的下表面位于第二边沿内部。3.根据权利要求2所述的用于碳化硅晶体的退火载具，其特征在于，所述第一边沿包括第一上边沿和第一下边沿，所述第一上边沿围绕所述第一盖板的周向向上倾斜设置，所述第一下边沿围绕所述第一盖板的周向向下倾斜设置；和/或所述第二边沿包括第二上边沿和第二下边沿，所述第二上边沿围绕所述第二盖板的周向向上倾斜设置，所述第二下边沿围绕所述第二盖板的周向向下倾斜设置。4.根据权利要求2所述的用于碳化硅晶体的退火载具，其特征在于，所述第一边沿与第一盖板的轴线的夹角为20
°
～80
°
，所述第二边沿第二盖板的轴线的夹角为20
°
～80
°

【专利技术属性】
技术研发人员：张九阳，王瑞，薛港生，王含冠，李硕，李霞，宁秀秀，高超，梁庆瑞，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：