在LCOS中数据存储和数据控制显示的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种在ＬＣＯＳ中数据存储和数据控制显示的装置，包括由第一反向器和第二反向器并联组成的第一级静态存储结构，由第三反向器和第四反向器并联组成的组成第二级静态存储结构，通过控制电路，在同一时间段内同时完成数据的接收以及驱动显示功能；本发明专利技术的有益效果是：对芯片的速度和液晶的响应时间都降低了要求，不用提高硬件成本，即可实现高分辨率的显示精度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及LCOS(Liquid Crystal On Silicon，即基于大规模集成电路上的液晶技术)领域，尤其涉及一种在LCOS中数据存储和数据控制显示的装置。
技术介绍
液晶显示技术发展迅速，应用领域不断拓宽。液晶显示的对比度和响应速度与液晶材料和液晶光电效应关系密切，在实际应用中有许多种液晶显示方法，最常用的LCD(液晶显示器)是TN(twisted nematic，即扭曲向列)型的液晶显示。TN型液晶的基本原理是对偏振光的控制。当光进入TN型液晶，它的极性会随着液晶材料扭曲。当光进入带有电磁场的TN型液晶时，这种极性的扭曲会被破坏，通过调整电磁场的强度，从而产生灰度效应，其响应时间约为10ms。液晶显示与外加电压的关系也很密切。外加电压的大小对TN型液晶的响应至关重要，直接决定了液晶的显示精度、显示亮度、对比度以及液晶的整体工作。而LCOS显示技术是将成熟的硅工艺和液晶技术相结合，将控制电路埋入成像区下面，显示尺寸较小，成像与周边电路集成一体。以XGA格式(1024×768像素阵列)为例，它以32字节为一写周期，在32个写周期中共写入一行1024数据。每一周期中，数据被从左到右写入，直到所有32个写周期都被写入为止。纵向共有768列，数据一行一行地被扫描进入整个存储阵列之中。每一象素数据具有28个灰度等级，脉冲的累积效应产生出整个28个灰度等级。如果要保证上述中液晶的显示时间10ms，则可以得到传输时间。假设刷新频率为60Hz，即每幅图像的刷新时间为16.6ms，考虑到一些其它的损耗，传输时间约6ms。要实现8级的灰度，则像素数据量达到1024*768*8，传输速率必须达到30ns以上。如果要使图像的显示更平滑，更细腻，则所需灰度级数更高，数据量更多，传输速率必须更快。在更高精度的显示模式下，如SXGA格式(1280×1024)，数据传输成为瓶颈。目前，现有的技术中对LCOS的液晶点阵数据存储和数据控制显示使用了各种不同的实现电路。但由于这些实现电路不尽合理，对液晶的响应速度和芯片的工作速度提出了很高的要求，加大了硬件成本。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供了一种在LCOS中数据存储和数据显示的装置，旨在解决目前对液晶的响应速度和芯片的工作速度提出了很高的要求，加大了硬件成本的缺陷。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的包括由第一反向器和第二反向器并联组成的第一级静态存储结构，输入、输出的双向线两端分别为a、b，由第三反向器和第四反向器并联组成的组成第二级静态存储结构，输入、输出的双向线两端分别为c、d；所述a端与第一MOS管的源极连接，所述第一MOS管的漏极与第一字选择信号连接，栅极与行选择信号连接；所述b端与第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极与第二字选择信号连接，栅极与行选择信号连接；所述a端还与第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极与所述c端连接，源极与第五MOS管的漏极连接；所述第五MOS管的栅极通过与第六MOS管的栅极的耦合与控制第一级静态存储结构的信号传输到第二级静态存储结构的控制信号连接，源极通过与第六MOS管的源极的耦合接地；所述第六MOS管的漏极与第四MOS管的源极连接；所述第四MOS管的栅极与所述b端连接，漏极与所述d端连接；所述c端与第一传输门第二输入端和第二传输门的第三输入端耦合在一起，所述d端与第一传输门的第三输入端和第二传输门的第二输入端耦合在一起；所述第一传输门的第一输入端与第一从外面输入的模拟电压连接，所述第二传输门的第一输入端与第二从外面输入的模拟电压连接；所述第一传输门和第二传输门的输出端耦和在一起与显示像素的输入端连接。本专利技术还可以通过以下技术方案实现的包括由第一反向器和第二反向器并联组成的第一级静态存储结构，输入、输出的双向线两端分别为a′、b′，由第三反向器和第四反向器并联组成的组成第二级静态存储结构，输入、输出的双向线两端分别为c′、d′；所述a′与第10MOS管的源极连接；所述第10MOS管的栅极与第一级静态存储结构的行选择信号连接，漏极与第一字选择信号连接；所述c′与第12MOS管的源极连接；所述第12MOS管的栅极与第二级静态存储结构的行选择信号连接，漏极与第一字选择信号连接；所述b′与第11MOS管的源极连接，所述第11MOS管的栅极与第一级静态存储结构的行选择信号连接，漏极与第二字选择信号连接；所述d′与第13MOS管的源极连接，所述第13MOS管的栅极与第二级静态存储结构的行选择信号连接，漏极与第二字选择信号连接；所述a′还与第四传输门的第一输入端连接；所述第四传输门的第二输入端与第二显示控制信号连接，第三输入端与第一显示控制信号连接；所述c′还与第五传输门的第一输入端连接；所述第五传输门的第二输入端与第一显示控制信号连接，第三输入端与第二显示控制信号连接；所述b′还与第六传输门的第一输入端连接；所述第六传输门的第二输入端与第二显示控制信号连接，第三输入端与第一显示控制信号连接；所述d′还与第七传输门的第一输入端连接；所述第七传输门的第二输入端与第一显示控制信号连接，第三输入端与第二显示控制信号连接；所述第四传输门输出端和第五传输门输出端耦合在一起与第八传输门的第二输入端以及第九传输门的第三输入端连接；所述第六传输门输出端和第七传输门输出端耦合在一起与第八传输门的第三输入端以及第九传输门的第二输入端连接；所述第八传输门的第一输入端与第一从外面输入的模拟电压连接；所述第九传输门的第一输入端与第二从外面输入的模拟电压连接；所述第八传输门和第九传输门的输出端耦合在一起与显示像素的输入端连接。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是对芯片的速度和液晶的响应时间都降低了要求，不用提高硬件成本，即可实现高分辨率的显示精度(如XGA，SXGA)。附图说明图1是TN液晶对外加电压的响应关系；图2是LCOS简单的结构图；图3是产生LCOS灰度产生的电脉冲波形示意图；图4是本专利技术一个实施例； 图5是本专利技术另一个实施例；其中抛光金属反射层301二氧化硅的保护层302液晶303导电玻璃上的导电层304导电玻璃的玻璃基底305第一反向器11第二反向器12第一级静态存储结构1第三反向器21第四反向器22第二级静态存储结构2第一MOS管1001第二MOS管1002第三MOS管1003第四MOS管1004第五MOS管1005第六MOS管1006第一传输门10第二传输门20第七NMOS管101第一PMOS管102第八NMOS管201第二PMOS管202第九MOS管1009第10MOS管1010第11MOS管1011第12MOS管1012第13MOS管1013第四传输门40第五传输门50第六传输门60第七传输门70第八传输门80第九传输门90第20MOS管1020第41NMOS管401第42PMOS管402第51NMOS管501第52PMOS管502第61NMOS管601第62PMOS管602第71NMOS管701第72PMOS管702第81NMOS管801第82PMOS管802第91NMOS管901第92PMOS管902第一字选择信号31第二字选择信号32行选择信号33第一级静态存储结构的行选择信号331第二级静本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在ＬＣＯＳ中数据存储和数据控制显示的装置，其特征在于：包括由第一反向器（１１）和第二反向器（１２）并联组成的第一级静态存储结构（１），输入、输出的双向线两端分别为ａ、ｂ，由第三反向器（２１）和第四反向器（２２）并联组成的组成第二级静态存储结构（２），输入、输出的双向线两端分别为ｃ、ｄ；所述ａ端与第一ＭＯＳ管（１００１）的漏极连接，所述第一ＭＯＳ管（１００１）的源极与第一字选择信号（３１）连接，栅极与行选择信号（３３）连接；所述ｂ端与第二ＭＯＳ管（１００２）的源极连接，所述第二ＭＯＳ管（１００２）的漏极与第二字选择信号（３２）连接，栅极与行选择信号（３３）连接；所述ａ端还与第三ＭＯＳ管（１００３）的栅极连接，所述第三ＭＯＳ管（１００３）的漏极与所述ｃ端连接，源极与第五ＭＯＳ管（１００５）的漏极连接；所述第五ＭＯＳ管（１００５）的栅极通过与第六ＭＯＳ管（１００６）的栅极的耦合与控制第一级静态存储结构的信号传输到第二级静态存储结构的控制信号（３４）连接，源极通过与第六ＭＯＳ管（１００６）的源极的耦合接地；所述第六ＭＯＳ管（１００６）的漏极与第四ＭＯＳ管（１００４）的源极连接；所述第四ＭＯＳ管（１００４）的栅极与所述ｂ端连接，漏极与所述ｄ端连接；所述ｃ端与第一传输门（１０）的第二输入端和第二传输门（２０）的第三输入端耦合在一起，所述ｄ端与第一传输门（１０）的第三输入端和第二传输门（２０）的第二输入端耦合在一起；所述第一传输门（１０）的第一输入端与第一从外面输入的模拟电压（３５）连接，所述第二传输门（２０）的第一输入端与第二从外面输入的模拟电压（３６）连接；所述第一传输门（１０）和第二传输门（２０）的输出端耦和在一起与显示像素（３９９）的输入端连接。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在LCOS中数据存储和数据控制显示的装置，其特征在于包括由第一反向器(11)和第二反向器(12)并联组成的第一级静态存储结构(1)，输入、输出的双向线两端分别为a、b，由第三反向器(21)和第四反向器(22)并联组成的组成第二级静态存储结构(2)，输入、输出的双向线两端分别为c、d；所述a端与第一MOS管(1001)的漏极连接，所述第一MOS管(1001)的源极与第一字选择信号(31)连接，栅极与行选择信号(33)连接；所述b端与第二MOS管(1002)的源极连接，所述第二MOS管(1002)的漏极与第二字选择信号(32)连接，栅极与行选择信号(33)连接；所述a端还与第三MOS管(1003)的栅极连接，所述第三MOS管(1003)的漏极与所述c端连接，源极与第五MOS管(1005)的漏极连接；所述第五MOS管(1005)的栅极通过与第六MOS管(1006)的栅极的耦合与控制第一级静态存储结构的信号传输到第二级静态存储结构的控制信号(34)连接，源极通过与第六MOS管(1006)的源极的耦合接地；所述第六MOS管(1006)的漏极与第四MOS管(1004)的源极连接；所述第四MOS管(1004)的栅极与所述b端连接，漏极与所述d端连接；所述c端与第一传输门(10)的第二输入端和第二传输门(20)的第三输入端耦合在一起，所述d端与第一传输门(10)的第三输入端和第二传输门(20)的第二输入端耦合在一起；所述第一传输门(10)的第一输入端与第一从外面输入的模拟电压(35)连接，所述第二传输门(20)的第一输入端与第二从外面输入的模拟电压(36)连接；所述第一传输门(10)和第二传输门(20)的输出端耦和在一起与显示像素(399)的输入端连接。2.根据权利要求1所述的一种在LCOS中数据存储和数据控制显示的装置，其特征在于所述第一传输门(10)包括第七NMOS管(101)和第一P MOS管(102)；所述第二传输门(20)包括第八NMOS管(201)和第二P MOS管(202)；所述第七NMOS管(101)的源极和第一P MOS管(102)的源极耦和在一起为所述第一传输门(10)的第一输入端；所述第八NMOS管(201)的源极和第P MOS管(202)的源极耦和在一起为所述第二传输门(20)的第一输入端；所述第七NMOS管(101)和第P MOS管(202)的栅极分别为第一传输门(10)的第三输入端和第二传输门(20)的第二输入端；所述第八NMOS管(201)和第一P MOS管(102)的栅极分别为第二传输门(20)的第三输入端和第一传输门(10)的第二输入端；所述第七NMOS管(101)的漏极和第一P MOS管(102)的漏极耦和在一起与所述第八NMOS管(201)的漏极和第二P MOS管(202)的漏极连接，以作为输出端。3.根据权利要求1所述的一种在LCOS中数据存储和数据控制显示的装置，其特征在于所述显示像素399的输出端与第九MOS管(1009)的源极相连；所述第九MOS管(1009)的栅极与控制读显示像素值的信号(39)连接，漏极与第一字选择信号(31)或者第二字选择信号(32)连接。4.根据权利要求1所述的一种在LCOS中数据存储和数据控制显示的装置，其特征在于包括由第一反向器(11)和第二反向器(12)并联组成的第一级静态存储结构(1)，输入、输出的双向线两端分别为a′、b′，由第三反向器(21)和第四反向器(22)并联组成的组成第二级静态存储结构(2)，输入、输出的双向线两端分别为c′、d′；所述a′与第10MOS管(1010)的源极连接；所述第10MOS管(1010)的栅极与第一级静态存储结构的行选择信号(331)连接，漏极与第一字选择信号(31)连接；所述c′与第12MOS管(1012)的源极连接；所述第12MOS管(1012)的栅极与第二级静态存储结构的行选择信号(332)连接，漏极与第一字选择信号(31)连接；所述b′与第11MOS管(1011)的源极连接，所述第11MOS管101 1的栅极与第一级静态存储结构的行选择信号(331)连接，漏极与第二字选择信号(32)连接；所述d′与第13MOS管(1013)的源极连接，所述第13MOS管(1013)的栅极与第二级静态存储结构的行选择信号(332)连接，漏极与第二字选择信号(32)连接；所述a′还与第四传输门(40)的第一输入端连接；所述第四传输门(40)的第二输入端与第二显示控制信号(38)连接，第三输入端与第一显示控制信号(37)连接；所述c′还与第五传输门(50)的第一输入端连接；所述第五传输门(50)的第二输入端与第一显示控制信号(37)连接，第三输入端与第二显示控制信号(38)连接；所述b′还与第六传输门(60)的第一输入端连接；所述第六传输门(60)的第二输入端与第二显示控制信号(38)连接，第三输入端与第一显示控...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄萍，韩竞春，印义言，
申请(专利权)人：上海华园微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]