【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体而言系关于半导体装置之制造，更特别的是相关于磁性随机内存(Magnetic Random Access Memory，MRAM)装置。
技术介绍
半导体系用于集成电路之电子方面的应用，例如包括无线电收音机、电视、行动电话及个人计算机装置等。一种半导体装置的形式是半导体储存装置，如一动态随机存取内存(DRAM)及高速缓存，其系利用一电子电荷来储存信息。一个在内存装置中更最近之发展，系牵涉到结合半导体技术及磁性之自旋电子学(spin electronics)。一个电子，而不是电荷，之旋转被用来指出一”1”或”0”之存在，而一个如此之旋转电子装置就是一磁性随机内存(MRAM)，其包括在不同金属层中彼此垂直配置之导线，而该导线则是将一磁性堆栈夹在中间。该导线交叉之位置称为一交叉点。当一电流流过其中一导线时会在该导线周围产生一磁场，并将磁性两极指向沿着该金属线或导线之方向，而流过其它导线之电流会也引导出磁场，并也可以部分旋转该磁性两极。数字信息，以”0”或”1”表示者，系储存于磁矩之排列中，而该磁性对象之抗性系取决于该磁矩之排列，所储存之状态则是藉由侦测该对...
【技术保护点】
一种电阻性半导体装置，包括： 一半导体基板；以及 复数个磁性内存储存胞元位于该基板之上，每一该储存胞元包括一第一端及一第二端，该等储存胞元系彼此串联连接，以使该等储存胞元之一第一端连接至该等储存胞元之一相邻储存胞元之一第二端。
【技术特征摘要】
US 2001-1-24 60/263931;US 2001-9-27 09/9676621.一种电阻性半导体装置，包括一半导体基板；以及复数个磁性内存储存胞元位于该基板之上，每一该储存胞元包括一第一端及一第二端，该等储存胞元系彼此串联连接，以使该等储存胞元之一第一端连接至该等储存胞元之一相邻储存胞元之一第二端。2.如申请专利范围第1项所述之电阻性半导体装置，其中该等胞元系为磁性随机存取内存(magnetic random-access memory，MRAM)胞元。3.如申请专利范围第2项所述之电阻性半导体装置，其中该磁性随机内存胞元包含磁性堆栈，而该磁性堆栈包括一信道接面，其中每一磁性堆栈中系可储存一逻辑状态。4.如申请专利范围第3项所述之电阻性半导体装置，其更包括复数个晶体管，而该复数个晶体管之每一个系分别并联连接至每一该储存胞元，该晶体管系彼此串联连接，该晶体管系为可用以控制该内存储存胞元。5.如申请专利范围第4项所述之电阻性半导体装置，其中储存于每一该内存储存胞元中之资料系藉由激活至少一该晶体管而进行存取。6.如申请专利范围第5项所述之电阻性半导体装置，其中该至少一晶体管包含一空乏装置。7.如申请专利范围第5项所述之电阻性半导体装置，其更包括复数个字符线、位线及数字线路接近该内存储存胞元，其中该磁性堆栈并没有直接连接至该字符线、位线及数字线路。8.如申请专利范围第7项所述之电阻性半导体装置，其中电流可双向地通过该信道接面。9.如申请专利范围第8项所述之电阻性半导体装置，其更包括复数个通孔，用以将每一该磁性堆栈之至少一边连接至一活性面积。10.如申请专利范围第9项所述之电阻性半导体装置，其中该活性面积系为连续的，且可致能每一该复数个晶体管。11.一种磁性随机内存(MRAM)装置，包括一半导体基板；一第一晶体管位于该半导体基板之上，其具有一闸极、一第一源极/汲极区域及一第二源极/汲极区域；一第二晶体管，其具有一闸极、一第一源极/汲极区域及一第二源极/汲极区域，该第二晶体管之该第一源极/汲极区域系连接至该第一晶体管之该第二源极/汲极区域；一第一磁性堆栈，其具有一第一及一第二端，该第一磁性堆栈之该第一端系连接至该第一晶体管之该第一源极/汲极区域，该第一磁性堆栈之该第二端系连接至该第一晶体管之该第二源极/汲极区域；以及一第二磁性堆栈，其具有一第一及一第二端，该第二磁性堆栈之该第一端系连接至该第二晶体管之该第一源极/汲极区域，该第二磁性堆栈之该第二端系连接至该第二晶体管之该第二源极/汲极区域。12.如申请专利范围第11项所述之MRAM半导体装置其更包括一第一字符线，...
【专利技术属性】
技术研发人员：H霍恩格施米德，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术北美公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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