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本发明系揭示一ＭＲＡＭ装置（１００）及其制造方法，其具有串联连接在一起之磁性内存储存胞元或堆栈（ＭＳ０、ＭＳ１、ＭＳ２及ＭＳ３）。而装置（Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２及Ｘ３）系分别并联连接至每一该磁性内存储存胞元（ＭＳ０、ＭＳ１、ＭＳ２及ＭＳ３）。活性...
该专利属于因芬尼昂技术北美公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术北美公司授权不得商用。

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