半导体器件制造技术

本公开的实施例涉及半导体器件。公开了一种半导体器件，包括：透明基底，包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及与第一表面和第二表面横切的侧壁；模制化合物，处于透明基底的侧壁上；裸片，处于透明基底的第二表面上，裸片包括：传感器，与透明基底对准；接触件，从裸片的边缘向外延伸、并且延伸远离传感器；以及电连接件，具有被耦合到传感器的第一端以及被耦合到接触件的第二端。利用本公开的实施例，减小了完整的WLCSP的总体厚度。减小了完整的WLCSP的总体厚度。减小了完整的WLCSP的总体厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本公开涉及一种封装体(诸如晶片级芯片规模封装(WLCSP))。

技术介绍

[0002]一般来说，半导体器件封装体(诸如芯片规模封装或晶片级芯片规模封装(WLCSP))包含裸片，诸如被配置成检测半导体器件封装体外部的任何数量或质量的外部环境的传感器。例如，半导体器件封装体根据需要可以检测光、温度、声音、压力或外部环境的任何其他数量或质量。
[0003]随着对在电子器件中提供更多的半导体器件封装体来执行日益增长的复杂功能而同时降低制造成本、增加对外部应力的抵抗力以减少故障的可能性并且提高半导体器件的有效性的需求增加，平衡所有的上述偏好存在重大挑战。电子器件的示例包括膝上型计算机、显示器、电视、智能电话、平板计算机、可折叠电子产品或任何其他电子器件。

技术实现思路

[0004]本公开的实施例克服了与封装体(诸如晶片级芯片规模封装(WLCSP))相关联的重大挑战，诸如提高WLCSP内的光传感器的有效性和鲁棒性。
[0005]本公开的一方面提供了一种半导体器件，包括：透明基底，包括第一表面、与第一表面相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：透明基底，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及与所述第一表面和所述第二表面横切的侧壁；模制化合物，处于所述透明基底的所述侧壁上；裸片，处于所述透明基底的所述第二表面上，所述裸片包括：传感器，与所述透明基底对准；接触件，从所述裸片的边缘向外延伸、并且延伸远离所述传感器；以及电连接件，具有被耦合到所述传感器的第一端以及被耦合到所述接触件的第二端。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：第一绝缘层，处于所述裸片上、并且处于所述裸片的所述接触件上；导电层，处于所述第一绝缘层上、并且被耦合到所述裸片的所述接触件；第二绝缘层，处于所述第一绝缘层、所述导电层以及所述模制化合物上；以及开口，处于所述第二绝缘层中，所述开口暴露所述导电层中的一部分。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述模制化合物具有与所述第二绝缘层的表面基本齐平的表面。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：腔体，处于所述裸片与所述透明基底之间，所述腔体与所述裸片的所述传感器相邻；以及非导电层，处于所述透明基底上、并且处于所述裸片的所述接触件与所述透明基底之间。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述非导电层的端部的表面与所述模制化合物的表面齐平。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模制化合物是不透明的材料。7.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：