用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法及系统技术方案

本发明专利技术是通过使用加热化学气体而生成的雾状化学剂来进行基片清洗的一个系统，尤其适用于半导体硅片与平板显示器的清洗，而这种雾状化学剂则是由加热化学气体而产生的。这种不同的被加热的雾状化学剂，依不同的工艺程序经加压后，连续地进入处理容器内，这些微小的化学物质经加热加压后，渗透到复杂的基片表层上，形成一个有效的工业处理薄膜。该装置是由一种能拒腐于所有典型化学剂及气体的材料构成。它具有使雾状化学剂及气体不断循环以达到均匀处理内部基片的功能。由于基片工业处理容器的最小化设计而节约化学液与去离子水的消耗，同时成功实现最优化基片的清洁与祛污功能，同时增强基片化学工艺处理的均匀性和产量。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是一个用化学方法处理基片的方法和系统，尤其适用于对半导体硅片和平板显示器(FPD)的清洗。
技术介绍
自从半导体产业开始，湿处理技术已经开始运用了。它不仅用于祛除因先前的加工程序而造成的金属与非金属污染物，而且还能为下一工艺过程形成一个最优的基片表面状态。这一处理过程占据了整个VLSI(超大规模集成电路)生产过程的30％以上。因此不适当的清洗过程会给基片表面造成损害，电路故障，过量化学液和去离子水的消耗，从而给生产质量及产量造成了负面的影响。当前最流行的化学湿处理剂仍然是基于美国RCA公司研制的标准清洁剂，主要为过氧化氢(H2O2)。包含有SC-1(氢氧化铵NH4OH、过氧化氢H2O2和去离子水H2O混合剂)和SC-2(氯化氢酸HCL、过氧化氢H2O2和去离子水H2O混合剂)两种工艺。SC-1被用于除去轻有机颗粒，SC-2被用于除去金属颗粒。其他流行的化学清洗方法就是SPM(硫酸H2SO4和过氧化氢H2O2)和SOM(硫酸H2SO4和臭氧气体O3)清洗方法。SPM和SOM方法两者都主要应用于除去重有机污染物。其他一些在被改进和可供选择的化学处理菜单正在被提出和运用。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法，包括如下步骤：在容器中安装基片；关闭容器并保持不泄露一定压力的气体；流入热氮气来等温；在容器内流入一种雾状化学剂，它是由加热的化学气体产生的；在容器内循环 雾状化学剂；用去离子水清洗基片；在容器内压入一种叫异丙基酒精的温雾状溶液，以此来祛除基片上大多数的去离子水；　加入热氮气来彻底干燥基片和容器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法，包括如下步骤在容器中安装基片；关闭容器并保持不泄露一定压力的气体；流入热氮气来等温；在容器内流入一种雾状化学剂，它是由加热的化学气体产生的；在容器内循环雾状化学剂；用去离子水清洗基片；在容器内压入一种叫异丙基酒精的温雾状溶液，以此来祛除基片上大多数的去离子水；加入热氮气来彻底干燥基片和容器。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于它还包括了使用由加热气体产生其他雾状化学剂来清洗基片的方法。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于它还包括下列雾状化学剂清洗过程使用加热的臭氧气体雾化去离子水H2O来祛除基片上的常见颗粒和剥离光胶；使用加热的氟化氢气体HF雾化液态的过氧化氢H2O2防止基片上粘附各类颗粒；使用加热的氟化氢气体HF雾化去离子水H2O来祛除金属物质和氧化物颗粒；使用加热的带有正电极的氮气气体雾化一种电镀化学溶液，从而使带负电的基片镀上所需的金属；使用加热的氮气气体雾化加热的光胶溶液来为基片镀层；使用一种气体的HCl加上液体H2O产生雾状化学剂的方法来处理基片。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于它还包括了使用被称为异丙基酒精的微热雾状有机溶液从基片上排去水的方法。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于它还包括了一种在高粘度化学剂被雾化前加热的方法。6.一种用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的系统，其特征在于该系统包括可以产生雾状化学剂雾化器，而雾状化学剂是由化学气体产生的，雾化器主要包括它由一种可拒腐于所有典型的化学剂和气体的材料制成；有着O型输出端口的圆柱型外壳，和一个球形雾化共振壁；一个液体化学剂输入端口和一个化学气体输入端口。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于所述雾化器中有一个O型输出端口被连接到一个垂直长型的管道上，以便在清洗工艺过程中起到收集多...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪党生，
申请(专利权)人：上海思恩电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]