化学/机械抛光用水分散体制造技术

公开了一种水分散体，其包含（Ａ）磨料粒，（Ｂ）选自２－溴－２－硝基－１，３－丙二醇，２－溴－２－硝基－１，３－丁二醇，２，２－二溴－２－硝基乙醇和２，２－二溴－３－次氮基丙酰胺中的至少一种化合物，和（Ｃ）一种不同于组分（Ｂ）中化合物的有机组分。该水分散体即使储存后或在中性ｐＨ范围内使用也没有腐败的问题，以及特别应用于半导体器件制造的ＳＴＩ方法中时生产出几乎没有凹痕或划痕的极好的抛光表面。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利技术
技术介绍
领域本专利技术涉及一种化学/机械抛光用的水分散体。
技术介绍
随着半导体器件的集成、多层布线等程度的提高，存储设备的存储容量已经显著提高。这得益于微型制造技术的进步。然而，也存在着问题，诸如尽管使用多层布线等仍增大了的集成电路片尺寸，和由于微型制造技术的进步导致的生产步骤的数目增加而提高了的芯片生产的成本。在这种情况下，制造半导体器件中，在加工膜等的抛光步骤中引入了化学/机械抛光技术。该技术引起了注意。许多微型制造技术如整平已通过应用化学/机械抛光技术实现。例如，浅槽隔离(STI)技术已知是作为这样一种微型制造技术，例如(例如，见日本专利申请公开No.8-22970)。已经提出了用于微型制造技术的化学/机械抛光的各种水分散体。为了提高这些水分散体的抛光性能，常常加入有机添加剂。然而，有机添加剂，容易使水分散体腐败。为避免这一问题，添加能使水分散体强酸性或强碱性，或能抑制水分散体腐败的成分。例如，日本专利申请公开No.2002-45681，公开了一种添加过氧化氢等以抑制水分散体腐败的方法。日本专利申请公开No.3-197575公开了一种将氯化四烷基季铵、氢氧化四烷基季铵等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学／机械抛光用水分散体，包含：（Ａ）磨料粒，（Ｂ）选自２－溴－２－硝基－１，３－丙二醇，２－溴－２－硝基－１，３－丁二醇，２，２－二溴－２－硝基乙醇和２，２－二溴－３－次氮基丙酰胺中的至少一种化合物，和（Ｃ）一种不同于组分（Ｂ）化合物的有机组分。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-1 270113/20031.一种化学/机械抛光用水分散体，包含(A)磨料粒，(B)选自2-溴-2-硝基-1，3-丙二醇，2-溴-2-硝基-1，3-丁二醇，2，2-二溴-2-硝基乙醇和2，2-二溴-3-次氮基丙酰胺中的至少一种化...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部雅幸，川桥信夫，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]