具有控制电路的ESD保护电路制造技术

一种ＥＳＤ保护电路，具备作为与半导体集成电路连接的外部连接端的第１焊盘、作为与上述半导体集成电路连接的外部连接端的第２焊盘、连接在上述第１焊盘与第２焊盘之间的钳位电路。进一步，将上述钳位电路控制为处于导通状态或者处于非导通状态的控制电路。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及保护IC(Integrated Circuit，集成电路)以及LSI(Large ScaleIntegration Circuit，大规模集成电路)等半导体集成电路的不受到ESD(Electrostatic Discharge，静电放电)的影响的ESD保护电路。
技术介绍
以往，为了保护IC或LSI等的半导体集成电路不受ESD产生的高电压影响，而提出各种各样的ESD保护电路。这里用图1～图5来说明以往的3种ESD保护电路。图1是模式化示意以往例1的ESD保护电路的电路图。如图1所示，在第1、第2焊盘(pad)11、12上连接有内部电路13，在这些焊盘11、12之间连接有钳位电路14。上述钳位电路14由NMOS晶体管18构成。即，上述NMOS晶体管18的漏极连接于第1焊盘11，源极连接于第2焊盘12，栅极与背栅极连接于源极。接着用图2来说明如图1所示电路的动作。图2是模式化示意图1所示的NMOS晶体管18的电压-电流特性的图。在图2中，横轴为NMOS晶体管18的漏极与源极之间外加的电压值V1，纵轴为在漏极与源极之间流过的电流值I1。首先，在第1焊盘11与第2焊盘12之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＥＳＤ保护电路，其特征在于，具有：第１焊盘，作为与半导体集成电路连接的外部连接端；第２焊盘，作为与上述半导体集成电路连接的外部连接端；钳位电路，连接在上述第１焊盘与上述第２焊盘之间；以及控制电路，以将上述钳位电路控制成导通状态或者非导通状态。

【技术特征摘要】
JP 2003-8-4 2003-2057351.一种ESD保护电路，其特征在于，具有第1焊盘，作为与半导体集成电路连接的外部连接端；第2焊盘，作为与上述半导体集成电路连接的外部连接端；钳位电路，连接在上述第1焊盘与上述第2焊盘之间；以及控制电路，以将上述钳位电路控制成导通状态或者非导通状态。2.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，上述钳位电路包含开关元件，该开关元件响应从上述控制电路输出的控制信号而被控制成导通状态或者非导通状态。3.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，上述钳位电路含有逆变器和开关电路，向该逆变器供给从上述控制电路输出的控制信号，该开关电路由上述逆变器电路的输出信号控制成导通/截止状态。4.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，上述逆变器电路具备第1导电型的第1MOS晶体管和第2导电型的第2MOS晶体管，上述第1导电型的第1MOS晶体管的源极连接于上述第1焊盘、其栅极上供给从上述控制电路输出的控制信号，上述第2导电型的第2MOS晶体管的漏极连接于上述第1MOS晶体管的漏极、其源极与上述第2焊盘连接、其栅极上供给从上述控制电路输出的的控制信号。5.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，上述开关电路具备第2导电型的第3MOS晶体管，上述第2导电型的第3MOS晶体管的漏极连接于上述第1焊盘、其源极连接于上述第2焊盘、其栅极连接于上述逆变器电路的输出端。6.如权利要求4所述的ESD保护电路，其特征在于，上述开关电路具备第2导电型的第3MOS晶体管，上述第2导电型的第3MOS晶体管的漏极连接于上述第1焊盘、其源极连接于上述第2焊盘、其栅极连接于上述逆变器电路的输出端。7.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，上述开关电路具备NPN型双极性晶体管，上述NPN型双极性晶体管的集电极连接于上述第1焊盘、其发射极连接于上述第2焊盘、其基极连接于上述逆变器的输出端。8.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，上述开关电路具备PNP型双极性晶体管，上述PNP型双极性晶体管的发射极连接于上述第1焊盘、其集电极连接于上述第2焊盘、其基极连接于上述逆变器的输出端。9.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，上述开关电路具备可控硅整流器和触发电路，上述可控硅整流器的阳极和阴极连接在上述第1焊盘与上述第2焊盘之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：崎濱和久，山口明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]