半导体器件,卡,系统以及初始化和检验半导体器件的真实性和身份的方法技术方案

本发明专利技术的半导体器件包括一种由钝化结构（５０）覆盖的电路。半导体器件设置有包括钝化结构（５０）的局部区域的第一和第二安全元件（１２Ａ，１２Ｂ），并设置有第一和第二电极。安全元件（１２Ａ，１２Ｂ）分别具有阻抗彼此不同的第一和第二阻抗。因为钝化结构具有在该电路之上横向变化的有效介电常数，由此实现本发明专利技术的半导体器件。通过测量装置测量阻抗的实际值并通过传送装置将阻抗的实际值转送到存取器件。存取器件包括或有权访问存储阻抗的中央数据库器件。而且，存取器件还可以用存储的阻抗值与实际值比较，以检验半导体器件的真实性或身份。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种设置有电路的半导体器件，该半导体器件包括有源元件，在衬底的一侧设置该电路并由钝化结构覆盖该电路，该半导体器件还设置有第一安全元件，该安全元件包括钝化结构的局部区域并具有第一阻抗。本专利技术还涉及一种包括半导体器件和存取器件的系统。本专利技术进一步涉及一种设置有半导体器件的卡。本专利技术进一步涉及一种初始化半导体器件的方法并涉及一种检验半导体器件的真实性的方法，以及涉及一种识别半导体器件的方法。由EP-A300864中知道这种系统、这种半导体器件和这种智能卡。已知器件的第一安全元件是具有两个电容器电极的电容器，该两个电容器电极通过钝化结构电容性地耦合在一起。器件优选包括多个安全元件。在检验器件的真实性时，将测量的电压与计算的参考电压进行比较。如果存在差异，就不能认可真实性。已知器件的一个缺点是安全元件可能被避开。安全元件可以由具有相同电容的其它结构来替代，其并不干扰下面的电路。此外，为了观察电路，如果后来重新施加该电极和该钝化结构，就不能检测出该钝化结构和该电极是否移除(aremoval)。本专利技术的第一目的是提供一种在开篇中提及的半导体器件，其中以后可以检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件（１１），设置有包括有源元件（３３，４３）的电路，该电路设置在衬底（３１）的一面（３２）处并由钝化结构（５０）覆盖，该半导体器件（１１）还设置有第一安全元件（１２Ａ）并设置有第二安全元件（１２Ｂ），第一安全元件（１２Ａ）包括钝化结构（５０）的第一局部区域并具有第一阻抗，第二安全元件（１２Ｂ）包括钝化结构（５０）的第二局部区域并具有第二阻抗，每一个安全元件（１２Ａ，１２Ｂ）设置有第一和第二电极（１４，１５），其特征在于：设置用于测量第一和第二阻抗的实际值的 测量装置（４）；以及设置用于将实际值转送到外部存取器件（２）的传送装置（６），该存取器件包括或有权访问中央数据库...

【技术特征摘要】
EP 2001-11-28 01204588.61.一种半导体器件(11)，设置有包括有源元件(33，43)的电路，该电路设置在衬底(31)的一面(32)处并由钝化结构(50)覆盖，该半导体器件(11)还设置有第一安全元件(12A)并设置有第二安全元件(12B)，第一安全元件(12A)包括钝化结构(50)的第一局部区域并具有第一阻抗，第二安全元件(12B)包括钝化结构(50)的第二局部区域并具有第二阻抗，每一个安全元件(12A，12B)设置有第一和第二电极(14，15)，其特征在于设置用于测量第一和第二阻抗的实际值的测量装置(4)；以及设置用于将实际值转送到外部存取器件(2)的传送装置(6)，该存取器件包括或有权访问中央数据库器件(3)。2.根据权利要求1中所述的器件，其特征在于设置算法装置以便根据预定算法将测量的实际值修改为传送的实际值。3.根据权利要求1中所述的器件，其特征在于钝化结构(50)具有在电路之上横向变化的有效介电常数，以致第一阻抗不同于第二阻抗。4.根据权利要求3中所述的半导体器件(11)，其特征在于钝化结构(50)包括钝化层(52)和安全层(53)，该安全层(53)包括在电路之上非均匀分布的载流子材料和颗粒。5.根据权利要求3或4中所述的半导体器件(11)，其特征在于钝化结构(50)设置在金属层(28)的顶部，以及安全元件(12A，12B)的第一和第二电极(14，15)设置在金属层中并构成一对交叉指型电极。6.一种包括半导体器件(11)和存取器件(2)的系统，其特征在于设置权利要求1至5中任何一个所述的半导体器件(11)；存取器件(2)包括或有权访问中央数据库器件(3)；以及中央数据库器...

【专利技术属性】
技术研发人员：PE德乔赫，E罗克斯，RAM沃特斯，HL皮克，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]