激光装置和激光退火方法制造方法及图纸

为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Ｉｏ与应用于后表面的激光束的有效能量强度Ｉｏ′满足关系０＜Ｉｏ′＜Ｉｏ＜１或１＜Ｉｏ′／Ｉｏ。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种使用激光束对半导体膜进行退火的方法(此后称为激光退火)以及一套实现该目的的激光装置(更具体地，一套包括激光源和光学系统的装置，其中光学系统用于将从激光源中发射的激光束引导到需要处理的物体上)。
技术介绍
近年来，薄膜晶体管(此后称为TFT)有了很大的发展，特别地，采用多晶硅膜(多晶硅膜)作晶体半导体膜的TFT吸引了很多的注意。尤其地，在液晶显示器件(液晶显示)或EL(电致发光)显示器件中，这些TFT被用作开关像素的元件和构成控制像素的驱动电路的元件。在获取多晶硅膜的常用技术中，非晶硅膜被晶化以得到多晶硅膜。特别地，使用激光束晶化非晶硅膜的方法得到很多关注。在本说明中，使用激光束晶化非晶半导体膜来得到晶体半导体膜的方法被称为激光晶化。激光晶化使对半导体膜的瞬时加热成为可能，因此是一种对形成于具有低热阻的衬底之上的半导体膜进行退火的有效技术，如玻璃衬底、塑料衬底以及类似衬底。另外，与传统的采用电炉加热方法(此后称为炉子退火)相比，激光晶化具有更值得注目的高产量。虽然有各种激光束可用，但在激光晶化中一般用从脉冲共振准分子激光器发射的激光束(以下称准分子激光束)。准分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光装置，包括：一个用于发射激光束的激光源；一个用于将上述激光束分为第一激光束和第二激光束的半反射镜；一个用于将第一激光束和第二激光束分别导引到被处理物体的上表面和后表面上的光学系统，其中所述光学系统包括 用于衰减第一激光束的滤光片。

【技术特征摘要】
JP 1999-8-18 231211/99;JP 1999-8-31 244204/991.一种激光装置，包括一个用于发射激光束的激光源；一个用于将上述激光束分为第一激光束和第二激光束的半反射镜；一个用于将第一激光束和第二激光束分别导引到被处理物体的上表面和后表面上的光学系统，其中所述光学系统包括用于衰减第一激光束的滤光片。2.依照权利要求1的激光装置，其中激光束由光学系统整型为具有线性横截面。3.一种形成半导体器件的方法，包括用第一激光束照射物体的上表面；用放置在物体的后表面上的反射器反射第二激光束；和用反射的第二激光束照射物体的后表面；其中应用于上表面的第一激光束的有效能量强度Io设置到与应用于后表面的第二激光束的有效能量强度Io′不同的量级。4.依据权利要求3的方法，进一步包括对第一和第二激光束进行线性整型的步骤。5.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤从作为振荡源的激光源中产生激光束；使用一光学系统将所述激光束分割为第一激光束和第二激光束；使用一个衰减滤光片衰减上述第一激光束；使用衰减后的第一激光束照射物体的上表面；和使用第二激光束照射物体的后表面。6.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤从作为振荡源的激光源中产生激光束；使用一光学系统将所述激光束分割为第一激光束和第二激光束；使用一个衰减滤光片衰减上述第一激光束；使用衰减后的第一激光束照射一物体的上表面；和使用第二激光束照射所述物体的后表面，其中应用于上表面的第一激光束的有效能量强度Io设置到与应用于后表面的第二激光束的有效能量强度Io′不同的量级。7.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤从作为振荡源的激光源中产生激光束；使用一光学系统将所述激光束分割为第一激光束和第二激光束；使用一个衰减滤光片衰减上述第一激光束；使用被衰减的第一激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：笠原健司，河崎律子，大谷久，田中幸一郎，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]