液晶显示器及其显示面板制造技术

本发明专利技术披露了一种改进了图像质量的平板显示器。在一个实施例中，将第一像素电极和第二像素电极形成在每一子像素区域上。电极包围一开口间隔（间隙）从而使它们的外部边界具有大致矩形的形状。该平板显示器还可以包括一连接于第二像素电极以形成一连接电容的电容电极。在应用中，连接电容操作使提供给第一像素电极的电压低于给定数据电压，并且使提供给第二像素电极的电压高于给定数据电压。该电压差使得置于第一像素电极之上的ＬＣ分子的倾斜方向不同于置于第二像素电极之上的ＬＣ分子的倾斜方向。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及液晶显示器，尤其是涉及一种用于液晶显示器的改进的薄膜晶体管(TFT)显示面板。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是应用最广泛的平板显示器之一。LCD包括两个面板及插入在两板之间的液晶(LC)层，面板装有诸如多个像素电极和一个公共电极的场生成(field-generating)电极。LCD通过给场生成电极提供电压以在LC层内产生电场来显示图像，该电场决定LC层中的液晶分子的方向来调整入射光的偏振。LCD的一个例子是垂直取向(VA)模式LCD，其这样对齐液晶(LC)分子即当电场不存在时液晶分子的长轴与面板垂直。VA模式LCD由于其具有高对比度比和宽基准视角而很受欢迎。宽基准视角或者是(i)使对比度比等于1∶10的视角或者是(ii)用于反转灰度等级间的亮度的极限角。VA模式LCD的宽视角可以通过场生成电极里的切口或者场生成电极上的突起提供。因为切口和突起可以决定液晶分子的倾斜方向，所以利用切口和突起可以将倾斜方向分成多个方向，这样就加宽了基准视角。虽然在VA模式LCD中基准视角可以被加宽，然而这些LCD也会带来很多缺点。例如，其侧面的可见度比正面的可见度要差。例如，在具有切口的组成图案的VA(PVA)模式LCD中，图像变亮了就好像观察者在正前方一样。在很多情况下，高灰度级间的亮度差会消失从而使图像感觉不到其变化。另外，通常情况下VA模式LCD响应时间差。例如，虽然切口或突起附近的液晶分子响应于强的边沿电场并沿一方向快速倾斜，然而远离切口或突起的液晶分子可能要经历一个比较弱的边沿电场并且可能不会快速的决定倾斜方向。因此，远离切口或突起的液晶分子可能要通过邻近的分子推动或碰撞才会倾斜。虽然减小切口间的距离可以提高响应时间，但是这样会减小孔径比。
技术实现思路
本专利技术涉及一具有改进了图像质量的平板显示器。在一实施例中，平板显示器包括一由一种透明导电材料形成并在其上具有至少一个切口的公共电极。将一个或多个像素区域安置在公共电极的下面，并且每个像素区域包括一个或多个子像素区域。将一液晶(LC)层安置在公共电极和一个或多个子像素区域之间，并且液晶层包含有大量液晶分子。在每一个子像素区域，将第一像素电极和第二像素电极彼此接合形成并且包围一开口间隔(间隙)以使它们的外部边界具有大致矩形的形状。第一像素电极包括一对面对第二像素电极的一条或多条倾斜边的直角三角形状的部分，并且还包括一面对第二像素电极侧边的纵向部分。第二像素电极具有大约是等腰梯形的形状。第二电极还可以具有安置在最近的第一存储电极的一边和布置在最近的第二存储电极的另一边。将形成在第一电极和第二电极间的间隙安置在公共电极上的至少一切口和一开口间，该开口将一个或多个像素区域中的一个像素区与另一个像素区分隔开。平板显示器还可以包括一与第二像素电极连接形成一连接电容器的电容电极。在使用中，连接电容器操作使提供给第一像素电极的电压小于给定的数据电压，并且使提供给第二像素电极电压大于给定的数据电压。不同的电压操作使得第一像素电极上的液晶分子的倾斜方向与第二像素电极上的液晶分子的倾斜方向不同。附图说明图1是本专利技术的一个实施例中的LCD中的一个TFT阵列面板的顶视图。图2是本专利技术的一个实施例中的LCD中的公共电极面板的顶视图。图3是包括图1中所示的TFT阵列面板和图2中所示的公共电极面板的LCD的顶视图。图4和图5分别是沿着图3中的线IV-IV’和线V-V’的LCD的截面图。图6是图1-5中中所示的TFT阵列面板的等效电路图。图7表示图1-6中的LCD中的多个电压的时间变化。图8是图解根据本专利技术实施例的LCD的第一和第二像素电极电压的曲线图，其作为通过模拟获得的数据电压函数。图9和图10是图解根据本专利技术实施例的可见度失真的曲线图，其作为第二像素电极(PE)的占有面积的函数和LCD中第二像素电极与第一像素电极的电压比函数，这些函数通过模拟获得。图11A-11C是图解一没有被分割的像素、一包括两个具有不同电压的子像素的二等分像素、和一包括三个具有不同电压的子像素的三等分像素的正面和侧面的灰度曲线12是根据本专利技术的实施例的LCD的包括三等分像素的TFT阵列面板的等效电路图。图13是根据本专利技术的另一个实施例的LCD的TFT阵列面板的顶视图。图14和图15是分别沿着图13的线XIV-XIV’和线XV-XV’的TFT阵列面板的截面图。图16是根据本专利技术的另一个实施例的LCD中的TFT阵列面板的顶视图。图17是根据本专利技术的另一个实施例的LCD中的公共电极面板的顶视图。图18是包括图16中所示的TFT阵列面板和图17中所示的公共电极面板的LCD的顶视图。图19-21是分别沿着图18中的线XIX-XIX’和线XX-XX’和线XXI-XXI’的LCD的截面图。图22是根据本专利技术的另一个实施例的LCD的TFT阵列面板的顶视图。图23和24是分别沿着图22中的线XXIII-XXIII’和线XXIV-XXIV’的TFT阵列面板的截面图。具体实施例方式在下文中将参考附图更完整地描述本专利技术，该附图示出了本专利技术的优选实施例。然而，可以通过许多不同形式实施本专利技术，而且不应该仅局限于本文中所述的实施例。在附图中，为了清楚，将层、薄膜和区域的厚度放大了。相同的附图标记始终表示相同部件。可以理解，当谈到元件如层、薄膜、区域或基底“在”另一元件上时，它可能是直接在其他元件上或者也有可能在其间有插入元件。相反，当谈到元件“直接在”其他元件上时，其间就没有插入元件。将参考附图1-6详细描述本专利技术的一个实施例中的LCD。图1是本专利技术的一个实施例的LCD的TFT阵列面板的顶视图。图2是本专利技术的一个实施例的LCD的公共电极板的项视图。图3是包括图1中所示的TFT阵列面板和图2中所示的公共电极面板的LCD的顶视图。图4和图5分别是沿着图3中的线IV-IV’和线V-V’的LCD的截面图。参考图1，根据本专利技术的一个实施例的LCD包括一TFT阵列面板100，一公共电极面板200，和一形成在面板100和200间并且包含多个与面板100和200的表面大致垂直排列的液晶分子的液晶层3。图1和图3-5图解了本专利技术的一个TFT阵列面板100的例子。如图示，将多条栅极线121和多条存储电极线131形成在绝缘基底110例如透明玻璃上。将栅极线121配置为用于传输栅极信号并且沿大致横向的方向延伸。另外栅极线121还彼此互相独立。每一栅极线121都包括多个向下突出的第一电极124a和向上突出的第二栅极124c。可以将栅极线121延伸使其与集成在基底110上的驱动电路(未示出)连接。另一方面，多个栅极线中的一个或多个可以包括一末端部分(未示出)，该末端部分具有与(i)其它层或者(ii)外部驱动电路连接的大面积区域，该驱动电路安装在基底110或其他装置上，例如可以安放在连接到基底110上的柔性印刷电路薄膜(未示出)上。每一存储电极线131也沿大致横向的方向延伸并且与相邻的栅极线121大致等距离。每一存储电极线131包括多对形成为存储电极133a和133b的分支。每一分支对包括第一存储电极133a和第二存储电极133b，该两个电极都向上和向下延伸。如图所示，第一存储电极133a比第二存储电极133b长很多，从而可以将第一存储电极133a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示器，包括：一个或多个像素区域，每一像素区域包括一个或多个子像素区域；在每一子像素区域中，第一像素电极和第二像素电极互相接合并且包围一开口间隔（间隙）从而使它们的外部边界具有一大致的矩形形状；其中第一像素电 极包括一对面对第二像素电极的一条或多条倾斜边的直角三角形部分，并且还包括面对第二像素电极的一侧边的纵向部分，　其中第二像素电极具有接近于等腰梯形的形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋长根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]