液体排出头的制造方法技术

将对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记形成于基板的构成器件的部分中的、并在基板上所施行的以后的工序中可以从基板上被除去的部位上，其中，在上述基板上构成有多个的器件，而上述光掩膜对涂覆在基板上的抗蚀保护层在用照相平版印刷工艺进行图形制作时对该抗蚀保护层进行掩蔽。由此，可以在不减少从基板所得到的器件产额的情况下，在基板上形成用于与光掩膜之间进行位置对合的对准标记。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在照相平版印刷(フオトリソグラフイ一)工序中所使用的对准标记的形成方法、构成器件(デバイス)的基板、以及使用该基板的液体排出头。
技术介绍
在半导体制造工艺等场合，为形成所希望的图形而使用的照相平版印刷技术如下所述一般地，先在基板上涂覆抗蚀保护层并进行烘干；然后，由形成有希望在基板上所形成的图形的光掩膜对基板上的抗蚀保护层进行掩蔽；对该抗蚀保护层进行曝光和显影；之后，由蚀刻工艺将被蚀刻材料除去；从而在基板上形成所希望的图形。特别是，在半导体制造工艺等中，为了在基板上形成复杂的图形，需要使用多种的光掩膜反复进行爆光、显影、和蚀刻步骤。因此，为了对已经形成有图形的基板与作为下一个图形的原形的光掩膜之间进行位置对合，有必要在基板和光掩膜的分别相对的位置上，配置在进行用图象处理等技术的位置对合时所必需的对准标记。又，在半导体制造工艺等中，如图6所示，从被称作硅片的基板1001中将所希望的产品器件1008集中地形成多个是主流。这样，在从基板1001上集中地形成多个的产品器件1008时，通常，将用于位置对合的对准标记形成于与构成着产品器件1008的部分为不同的、对准标记专用的区域1007上。图7为从图6所示的基板1001的下面侧所见到的、并将图6中的A区域内的对准标记专用的区域1007进行了放大显示的图。如图7所示，在位于基板1001的上面的对准标记专用的区域1007上，形成有“十字形”的基板侧对准标记1002。又，在基板1001的下面，形成有包含光掩膜的对准标记痕迹1005a的抗蚀图形1005。其中，该光掩膜的对准标记痕迹1005a被配置在与十字形的基板侧对准标记1002的四个角相对的位置上。如图7所示，该对准标记痕迹1005a以与对准标记1002不相重迭的方式而被配置在其右上、右下、左上、和左下的位置上。又，在图7中，显示了对位于基板1001上面的基板侧对准标记1002进行透视了的状态。又，象这样的将用于位置对合的对准标记形成于与构成着产品器件的部分为不同的、对准标记专用的区域上的技术(手法)，不用例举以往的技术文献，是众所周知的。但是，在将用于位置对合的对准标记1002形成于与产品器件1008为不同区域的、对准标记专用区域1007上时，从基板1001中所得到的产品器件1008的产额就会因区域1007的尺寸大小的量而减少。这种现象，随产品器件1008的面积的增大而变得更加显著。这是因为，由于单个的产品器件1008是将构成有多个的产品器件1008的基板1001在切割工序中被切断成围棋的棋子状后分离而得到的，所以，即使对准标记1002自身的大小比单个的产品器件1008的面积要小，产品器件1008所无法利用的各区域1007的面积也具有与各产品器件1008相同的面积。对这个问题，为消除产品器件所无法利用的区域，下列技术为人们所知不是将用于位置对合的对准标记形成于与产品器件为不同的、对准标记专用的区域上，而是在产品器件自身的区域内设置对准标记。但是，在该技术中，通常，由于单个的产品器件的面积会由于为配置对准标记所需的那部分的面积而增大，所以即使由该技术，其结果也不能大幅度地增加产品器件的产额(产量)。因此近年来，为解决由于设置对准标记而使产品器件的产额减少的课题，使用一种在基板的被切割的区域(一般，被称作‘划线区，)上配置对准标记的技术。依据该技术，由于在切割工序中的被切削着的部位上设有对准标记，所以就没有必要在基板上另外确保用于配置对准标记的区域，可以有效地利用基板，从而增加产品器件的产额。该技术被刊载在例如“特开2003-092246”号公报上。参照图8对该技术进行说明。如果用于切割的刀具(切割刀片)的厚度是50μm，由于近年来的照相平版印刷技术的微细化，有可能在切割线上配置对准标记1002。但是，由于这时有必要使对准标记更微细化地形成，所以必须使用可以高精度地进行微细的图形加工的装置。但这样的装置价格昂贵。又，在对准标记的加工所需要的精度比产品器件的加工所需要的精度还要高的场合，以这样的精度制造产品器件时会使产品器件的性能超过规格。以上所述的关于对准标记的配置的问题，特别是在形成作为产品器件的必要功能的、贯通了基板的通孔时会变得更加显著。例如，在喷墨记录头的制造工序中，在硅(Si)基板上构成有墨排出能量产生单元和喷嘴，并将为对各喷嘴供给来自外部的墨所用到的墨供给口以在Si基板上形成贯通口的方式而配置着。为形成贯通口，一般使用照相平版印刷技术，特别是Si的各向异性蚀刻技术和使用反应气体的干法蚀刻技术得到应用。但在所有这几种场合，都必须对配置在基板上的墨排出能量产生单元和喷嘴的构造在与墨排出口之间进行位置对合后进行加工。但是，在对Si基板进行蚀刻而形成贯通口时，形成于Si基板上的对准标记的部分也会同样地受到蚀刻加工。因此，在Si基板的形成对准标记的部分上会产生凹状的损伤。对于这样的问题，当希望通过在不会对构成着产品器件的区域带来影响的区域上、也即在与产品器件相独立的对准标记的专用区域上形成对准标记从而解决问题时，如上所述，基板上的产品器件的产额就会因此而减少。又，在采用在划线区1006上配置对准标记的技术的场合，即使在尺寸方面允许在划线区1006上配置对准标记，但由于在蚀刻时自对准标记的形成部分会产生侧向蚀刻(一种与实际的抗蚀图形相比，其蚀刻向横方向扩长的现象)，所以在被配置在对准标记的四角周边上的产品器件上会产生亏损部位，这会不利于产品器件的质量。对该现象，参照图9进行说明。在由Si所构成的基板1001上进行蚀刻时，当在位于基板1001的下面的对准标记痕迹1005a的形成部位上产生的侧向蚀刻的量在单侧方向为50μm时，由于对准标记痕迹1005a的原来的尺寸是边长为50μm的正方(四方)形(参照图7)，由四方Si的各向异性蚀刻所产生的Si基板1001的<111>面(位于图9所示的基板1001的下面)的倾斜角是54.7°，所以进行侧向蚀刻后的对准标记痕迹1005a的形成部分就成为其开口部是边长为150μm的正方形、且其深度约为106μm 的四角锥的形状。作为为减少由这样的侧向蚀刻所产生的影响的技术，人们考虑扩大划线区1006的宽度，或者更微细地形成对准标记。但是，如果扩大划线区1006的宽度，就会相应地由此而减少产品器件的产额。又，为了更微细地形成对准标记，在增加其装置的成本的同时，还存在在使用微细的对准标记的场合，要保证位置对合时的精度会变得困难这样的问题。特别地，在半导体制造工艺中，可以在多大程度上从硅片基板上多得到一些产品器件，对产品器件的成本有很大的影响。因此，当在基板上形成用于对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记时，希望以对准标记的存在不会减少产品器件的产额的方式而对对准标记进行配置。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提供一种可以在不减少器件产额的情况下，将用于对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记进行配置的对准标记的形成方法、用该方法形成产品器件的基板、以及使用了该基板的液体排出头。本专利技术的另一个目的是，提供一种对准标记的形成方法、用该方法形成产品器件的基板、以及使用了该基板的液体排出头，其中，由于将对准标记形成于在基板的构成有器件的部分中的、并在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基板上形成对基板和光掩膜之间进行位置对合的对准标记的形成方法，其中，在该基板上构成有多个的器件，而该光掩膜为了对涂覆在该基板上的抗蚀保护层用照相平版印刷工艺进行图形制作而对该抗蚀保护层进行掩蔽；该形成方法包括如下工序：将上述对准标记形成于如下部位上，该部位是上述基板的构成有上述器件的部分中的、并在上述基板上所施行的以后的工序中可以从基板上被除去的部位。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小林顺一，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]