【技术实现步骤摘要】
本专利技术是涉及一种，尤指一种制作一具有PN接面的可变电容的方法。
技术介绍
在现代化的信息产业中，各种数据、资料、讯息、影像等都是以电子讯号的形式来传递，而用来处理电子讯号的处理电路，也就成为现代信息产业中最重要的基础之一。举例来说，在一般的信息系统(像是计算机)中，都要以一时脉来协调数字系统中的各个数字电路一起运作，因此用来产生时脉的震荡器是现代数字系统中不可或缺的重要电路构筑方块之一。此外，要协调不同的时脉同步(譬如说在传输讯号的通讯系统中)，还需要使用锁相电路；而锁相电路中则需要精密的压控震荡器，以电压来控制压控震荡器震荡出频率不同的震荡讯号，以协调各时脉同步。还有，像是在某些精密的滤波器中，也常使用能调整滤波频率的电阻-电容(RC)滤波器。不论是电阻-电容(RC)滤波器的滤波特性(像是滤波器的通带频宽)，或是电感-电容(LC)压控震荡器的震荡特性(像是震荡讯号的频率)，都可以用改变电容值的方式来加以调整。目前已发展出多种可变电容可应用于集成电路组件中，例如PN二极管、肖基二极管(Schottky diode)以及金氧半导体(metal oxide s...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制作可变电容的方法，该方法包含有下列步骤提供一基底，该基底包含有一第一导电型式的离子井以及复数个隔离结构设于该离子井表面，且该隔离结构是于该离子井表面定义出至少一主动区域；于该离子井表面植入第一导电型式的离子，以于该主动区域中形成一掺杂区；于该基底表面形成一第二导电型式的掺杂层，以覆盖该掺杂区的部分表面；以及于该掺杂区以及该掺杂层表面形成一自行对准金属硅化物层。2.根据权利要求1的方法，另包含于该掺杂层表面形成一自行对准金属硅化物阻挡层，以避免该自行对准金属硅化物层破坏该掺杂层与该掺杂区间的接面。3.根据权利要求1的方法，其中该基底表面另包含至少一第一导电型式的埋藏式掺杂区设于该离子井下方。4.根据权利要求1的方法，其中该基底表面另包含至少一互补式金氧半导体晶体管，且该掺杂区是与该互补式金氧半导体晶体管的轻掺杂汲极利用同一掺杂制程形成。5.根据权利要求4的方法，其中该方法于形成该掺杂层之前，另包含于该基底表面形成至少一保护层，以用来覆盖该互补式金氧半导体晶体管。6.根据权利要求1的方法，其中该掺杂层包含一磊晶硅层。7.根据权利要求1的方法，其中该掺杂层包含一多晶硅层。8.根据权利要求1的方法另包含进行一离子布植制程，以于该掺杂层植入第二导电型式的离子，用来调整该掺杂层的阻值。9.根据权利要求1的方法，其中该掺杂区的掺质浓度高于该离子井的掺质浓度。10.一种于一基底上制作至少一互补式金氧半导体晶体管以及至少一可变电容的方法，该基底上包含有一用来制作该互补式金氧半导体晶体管的第一区域，以及一用来制作该可变电容的第二区域，该方法包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：高境鸿，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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