【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
[0001]相关申请的引用
[0002]本申请基于2020年07月22日提出申请的现有日本专利申请第2020
‑
125438号的优先权利益，且追求该利益，其全部内容以引用的方式包含在本文中。
[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0004]作为半导体装置的制造方法，例如已知有一种贴合流程，即，分别形成具有包含CMOS(Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor：互补金属氧化物半导体)的周边电路的第1半导体衬底，与具有存储单元阵列的第2半导体衬底后，将第1半导体衬底与第2半导体衬底贴合。贴合流程中，将设置在第1半导体衬底的金属焊垫与设置在第2半导体衬底的金属焊垫接合。
技术实现思路
[0005]使用本专利技术的实施方式的半导体装置及半导体装置的制造方法，而提高半导体存储装置的生产性。
[0006]一实施方式的半导...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其是将第1半导体衬底与第2半导体衬底贴合而形成积层体，对设置在所述第1半导体衬底的外周部与所述第2半导体衬底的外周部间的间隙，嵌入具有第1粘度的第1填充材，将所述第1填充材嵌入所述间隙后，以与所述第1填充材相邻的方式将第2填充材嵌入所述间隙，并使所述第2半导体衬底变薄，其中所述第2填充材具有高于所述第1粘度的第2粘度。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1填充材包含有机化合物，所述第2填充材包含玻璃材料或无机聚合物。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中所述间隙包含：第1间隙部，在所述积层体的剖视时，沿所述第1半导体衬底的表面及所述第2半导体衬底的表面设置，位于比所述第1半导体衬底的端部及所述第2半导体衬底的端部靠所述第1半导体衬底及所述第2半导体衬底的中心侧；以及第2间隙部，设置在所述第1间隙部与所述第1半导体衬底的端部及所述第2半导体衬底的端部之间。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1填充材嵌入所述第1间隙部，所述第2填充材嵌入所述第2间隙部。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中在所述积层体的剖视时，所述第2间隙部的厚度比所述第1间隙部的厚度厚。6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1填充材是使用滴管、分配器或旋涂而嵌入所述第1间隙部。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述第2填充材是通过将呈薄膜状附着有所述第2填充材的膜沿所述积层体的外周涂擦于所述积层体，而嵌入所述第2间隙部。8.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中在嵌入所述第2填充材后，使用研磨膜来去除从所述第2间隙部溢出的所述第2填充材。9.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所述积层体前，在所述第1半导体衬底上形成第1电路部、及电连接在所述第1电路部的第1金属焊垫，在所述第2半导体衬底上形成第2电路部、及电连...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。